场效应管的分类及特点_第1页
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文档简介

1、场效应晶体管的分类、特性和概念。场效应晶体管是一种半导体器件，其电流由输入信号电压控制。它是根据三极管的原理研制的新一代放大器，它有三个极性：栅极、漏极和源极。属于压控半导体器件。如上图所示，PN结的概念是一种两侧掺杂不同元素的半导体。由于P型区和N型区两侧的载流子性质和浓度不同，P型区的空穴浓度较大，而N型区的电子浓度较大，因此扩散运动发生在界面处。外加电压的电场方向与PN结的电场方向相反。在外部电场的作用下，内部电场将减弱，扩散运动将增强。这样，大部分载流子将在外部电场力的驱动下连续通过PN结，形成大的扩散电流，称为正向电流。可以看出，当PN结正向导通时，它的电阻非常小。从以上分析可知，P

2、N结在通过直流电压时可以导电，这通常称为导通；当施加反向电压时，它不导电，这通常被称为截止。这表明PN结具有单向导电性。(1)场效应晶体管的分类，场效应晶体管可分为结型和绝缘栅型。(1)结型场效应晶体管，它是一种利用耗尽层的宽度改变导电沟道的宽度来控制漏极电流大小的器件。在该方法中，在n型半导体硅晶片的两侧制造PN结，以形成其中两个PN结夹着n型沟道的结构。当N沟道场效应晶体管工作时，在栅极和源极之间施加负电，栅极和沟道之间的PN结被反向偏置。在源极和漏极之间施加一定的正电压，使得N沟道中的多数载流子(电子)从源极漂移到漏极，并且控制它们的尺寸。当P沟道场效应晶体管工作时，极性相反，沟道中的多

3、路复用器是空穴。第二，绝缘栅场效应晶体管，场效应晶体管可分为结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管，绝缘栅场效应晶体管可分为n沟道耗尽型和增强型；p沟道耗尽型和增强型。两个通道都通过多数载流子的定向运动来导电。n沟道中的大多数载流子是电子，p沟道是空穴。当沟道中存在电场时，大量载流子将形成沟道，电场和沟道将消失。增强型场效应晶体管在高电平时开启(沟道在高电平时形成)，耗尽模式在低电平时开启。N沟道绝缘栅场效应晶体管和P沟道绝缘栅场效应晶体管的区别，绝缘栅场效应晶体管的增强和耗尽特性曲线，(2)场效应晶体管的特性，它具有高输入电阻、低噪声、低功耗、大动态范围、易集成、无二次击穿和宽安全工作区等优点，已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争对手。1.输入端基本上不接收电流，初级输入电阻非常高，通常高达108105。2.它具有噪声低、受温度和辐射影响小、制造工艺简单、便于大规模集成等优点，已广泛应用于集成电路中。场效应晶体管是一种半导体器件，其中大多数载流子参与传导，因此也被称为单极三极管。与参与传导的载流子分开，它具有以电子为载流子的N沟道器件和以空穴为载流子的P沟道器件。用途：场效应管是一种电压控制器件，其栅极基本上不吸收电流，因此用于高精度、高灵敏度的测量仪器和仪表中，只允许信号源抽取小电流。只有很多孩子参与导电，所以他们不容易受到温度和辐射等外部因素的影响，并用于环境条件变化

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