晶圆制造工艺-ETCH#严选内容

1、晶片制造工艺流程1 .表面清洗2 .一次氧化3、用化学沉积(CVD )法沉积si3n4(热CVD或LPCVD )。(1)常压CVD(NormalPressureCVD )(2)低压CVD(LowPressureCVD )(3)热CVD (热CVD )/(热CVD )(4)等离子体强化CVD(PlasmaEnhancedCVD )(5) MOCVD (金属有机CVD )分子磊晶生长(6)外延生长法(LPE )4 .涂抗蚀剂(1)抗蚀剂的涂布(2)预烘焙(预烘焙)(3)曝光(4)显影(5)后烘焙(postbake )(6)腐蚀(etching )(7)抗蚀剂的去除5、这里用干氧化法除去氮化硅6 .

2、离子布植是通过SiO2膜向基板注入硼离子(B 3 )，形成p型阱7 .去除抗蚀剂，放入高温炉中进行退火处理8 .用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P 5 )离子，形成n型阱9 .退火处理后，用HF除去SiO2层10、干式氧化法生成SiO2层，LPCVD沉积氮化硅11 .利用光刻技术和离子蚀刻技术，留下下栅极分离层上的氮化硅层12 .湿式氧化，生长未被氮化硅膜保护的SiO2层，形成PN间的分离区域13 .用热磷酸去除氮化硅，用HF溶液去除栅绝缘层位置的SiO2，新生成质量好的SiO2薄膜，作为栅氧化层。14、LPCVD沉积多晶硅层，涂上光致抗蚀剂进行光刻，等离子蚀刻技术，栅极结构，氧化生成SiO2保

3、护层。15 .在表面涂布抗蚀剂，除去p阱区域的抗蚀剂，注入砷(As )离子，形成NMOS的源、漏。 用同样方法，向n阱区域注入b离子形成PMOS的源极和漏极。16 .利用PECVD沉积非掺杂氧化层，保护元件，进行退火处理。17 .沉积掺杂硼磷的氧化层18 .溅射第一层金属(1)薄膜的沉积方法因用途而异，厚度通常小于1um。(2)真空蒸镀法(EvaporationDeposition )(3)溅射(SputteringDeposition )19、光刻技术制作了VIA孔，沉积第二层金属，蚀刻布线结构。 接着，用PECVD法氧化氧化层和氮化硅保护层。20 .通过光刻和离子蚀刻确定PAD的位置21、

4、最后进行退火处理，保证整个Chip和布线的连接性晶片制造整体的工艺流程芯片的制造过程大致可以分为几个工序，如晶片处理工序、晶片检查工序、封装工序、测试工序等.实施例。 其中，晶片处理工序和晶片针测定工序是前级(FrontEnd )工序，组装工序，测试工序是后级(BackEnd )工序。1、晶片处理工序：本工序的主要工作是在晶片上制作电路和电子部件(晶体管、电容器、逻辑开关等)，处理程序涉及通常产品的种类和使用的技术，一般的基本步骤是适当清洗晶片，在其表面进行氧化和化学气相生长进行蚀刻、离子注入、金属溅射等反复步骤，最终在晶片上完成几层电路和零件的加工和制作。2、晶片针测定工序：经过前一工序，在

5、晶片上形成一个单元，即晶粒，一般来说，为了使测试变得容易，提高效率，在同一晶片上制作同一品种、规格的产品，但是，也可以根据需要，制作几个不同的品种、规格的产品。 用探针对各个晶粒测定电气特性，在不合格的晶粒上标记后，切开晶片分割成各个晶粒，按电气特性分类，放入不同的托盘中，丢弃不合格的晶粒。3、组装工序：把单一的晶粒固定在塑料或陶瓷制的芯片底座上，把从晶粒蚀刻的引线端子连接到底座底部突出的引脚上，为了和外部的电路基板连接，最后复盖塑料盖，用粘合剂密封。 其目的是保护晶粒不受机械损伤和高温破坏。 这样就制作了集成电路芯片。茶色，两侧或四方有很多引脚或导线的长方形的小块)。4、测试工序：芯片制造的

6、最后一道工序是测试，它分为一般测试和特殊测试。 前者将封装后的芯片在各种环境下测试电特性，例如功耗、运行速度、耐压度等。 测试的芯片根据其电特性分为不同的等级。 特殊测试是否需要根据客户特殊需求的技术参数，从接近参数的标准、品种中取出部分芯片，进行符合目的的专业测试，看能否满足客户的特殊需求，为客户设计专用芯片一般测试合格的产品，可以贴上规格、型号、发货日期等标识标签包装后发货。 没有通过测试的芯片根据其到达参数而定为降级品或废品耶西什么是蚀刻？a :将在晶片表面形成的薄膜全部或在特定的地方除去到必要的厚度的工序。蚀刻种类：a:(1)干蚀刻(2)湿蚀刻蚀刻对象根据薄膜的种类可以分类为：多边形，

7、氧化物，金属什么是dielectric蚀刻(介质蚀刻)？a:oxideetchandnitridetch半导体中常见的介质材质是什么？a :氧化硅/氮化硅什么是湿蚀刻a :用液相酸液或溶剂除去不需要的薄膜什么是等离子体Plasma？a :等离子体的物质的第四状态具有正、负电荷和中性粒子的总和，其中含有电子正离子、负离子、中性分子、活性基和发光子等，作为产生等离子体的方法，可以使用高温或高电压.什么是干蚀刻？用plasma去除不需要的胶卷什么是Under-etching (蚀刻不足)？a :指被蚀刻材料，在被蚀刻的中途停止，剩下应该除去的薄膜所谓过蚀刻(Over-etching )a :蚀刻过多

8、会破坏基底什么是蚀刻速率a :每单位时间能去除的蚀刻材料的厚度或深度所谓Seasoning (陈化处理)a :蚀刻室的清洁和零件更换后，为了使工艺条件稳定，使用模拟晶片进行了数次蚀刻循环。Asher的主要用途a :去除抗蚀剂Wetbenchdryer的作用是什么？a :除去晶片表面的水分列举了当前的Wetbenchdry方法：a:(1)自旋驱动器(2)矩阵(3) ipavapordry什么是SpinDryera :利用离心力去除晶片表面的水分什么是MaragoniDryera :利用表面张力去除晶片表面的水分什么是IPAVaporDryera :利用IPA (异丙醇)和水的共溶解原理，去除晶片

9、表面的水分测量Particle时，使用哪个测定器？TencorSurfscan测量蚀刻速率时，使用哪个测定器？a :膜厚计、膜厚差测定什么是PSa:aftretchingsinspection蚀刻后的检查AEI目视检查Wafer需要检查哪个项目：a:(1)正面的颜色有无异常，有没有伤痕(2)有缺口的角，Particle(3)刻印是否正确金属蚀刻机台转动非金属蚀刻机台时该怎么办？a :清机可以防止金属污染问题金属蚀刻机asher的作用是什么？a :遮光和防止腐蚀金属蚀刻后，为什么不能用一般的硫酸槽清洗？a :因为金属线溶于硫酸。“热板”机台是什么用途？a :烤热板烘烤温度是多少？90120度cP

10、olyETCH的主要使用气体是什么？a:cl2、HBr、HCl用于Al金属蚀刻的主要气体是a:cl2、BCl3w金属蚀刻中使用的主要气体是a:sf6什么样的气体主要用于oxide vai /接触etch？C4F8、C5F8、C4F6硫酸槽的化学成分是：H2SO4/H2O2AMP槽的化学成分是：NH4OH/H2O2/H2OUVcuring的用途是什么？a :用UV光对抗蚀剂进行预处理，增强抗蚀剂的强度“UVcuring”在哪个级别使用？a :金属层什么是EMO？a :机台紧急开关EMO的作用是什么？a :如果机台可能发生危险，或者控制不了，可以紧急按下湿法蚀刻门上贴了警告标志吗？a:(1)警告.

11、内部有严重的危险.不能打开这扇门. (2)机器人臂的危险.不能打开这扇门. (3)化学药品的危险.不能打开这扇门发生药液泄漏时该怎么办？a :严禁用手检查泄漏的液体。 你应该用酸碱试纸检查，寻找漏出管道。如果PB油箱着火了该怎么办？ 什么？a :马上关闭PS输送管道，用机台的灭火器灭火，通知紧急应对队BOE槽的主要成分是什么？a:hf (氢氟酸)和NH4F (氟化铵)BOE是那三个英语缩写吗？a :缓冲器ddiedeetcher。有毒气体的阀箱(VMB )的作用是什么？a :有毒气体泄漏到外部时，可以利用抽气装置进行吸引，防止有毒气体泄漏等离子体的频率一般为13.56MHz，为什么不使用其他频

12、率？a :为了不影响通信质量，现在仅开放特定频率，使用例如380420KHz、13.56MHz、2.54GHz等来生成等离子体什么是电子静态连接(ESC )a :利用静电吸附的原理，把Wafer固定在极板上PS的主要气体是a:o2PS载物台蚀刻的最重要的参数是什么？a :温度简要叙述TURBOPUMP的原理a :利用涡轮的原理，能把压力拉到10-6托换热器的作用是什么？a :为了实现温度控制的目的，通过介质输送热能简单说明一下BACKSIDEHELIUMCOOLING的原理吗？a :薯由于氦气良好的热传导特性，可以使芯片上的温度均匀化ORIENTER的用途是什么？一边寻找notch一边把芯片放

13、入反应室的位置固定，可以追踪问题简要叙述EPD的作用a :检测蚀刻终点利用endpoint检测器波长检测蚀刻终点什么是PS？massflowcontroler气体流量控制器用于控制反应气体的流量GDP为什么？a :气体分配盘GDP的作用是什么？a :在芯片上均匀分布气体什么是isotropicetch？a :各向同性蚀刻侧壁侧蚀刻的概率均等什么是安全技术？a :非各向同性蚀刻侧壁侧的蚀刻的概率少什么是etch选择比？a :不同材质的蚀刻速率比什么是PR？a :蚀刻后的特定图案尺寸的大小、特征尺寸(CriticalDimension )什么是光盘偏置？a :蚀刻CD蚀刻前的黄光CD什么是田口式实

14、验计划法？a :利用混合变异原因辅助统计归纳分析什么是反射功率？a :在蚀刻中，所供给的功率没能完全接受反应室内的接收侧，一部分的值进行反射，将该反射的量称为反射功率。加载锁定的功能是什么？a:waferers经由loadlock出入反应室，在真空下维持反应室不受粉尘和湿度的影响工厂供气系统中什么是散装气体？BulkGas是普遍存在于大气中的处理气体，例如N2、O2、Ar等工厂供气系统中什么是InertGas？a:inertsgas是NH3、CF4、CHF3、SF6等无特殊毒性的气体工厂供气系统中什么是ToxicGas？甲： a:toxiccgas是对人体有害的毒性气体，如SiH4、Cl2、B

15、Cl3等机台维护时的异常告知列和机台控制权应该如何处理？a :异常地切断布告栏，为了不做错误的动作，将机台的控制权转移到维护区域冷却器的冷却液是如何工作的？a :传递热量Etch的废气是怎么处理的？a :利用水循环溶解废气后，向废酸槽排出什么是PS？a :远程电源模块，整个系统的电源箱火灾异常处理程序a:(1)立即警告周围的人。(2)尝试灭火3秒。(3)按emo停止机台。(关闭VMBValve通知工厂。)(五)撤退一氧化碳(CO )检测器警报异常处理程序a:(1)向周围的人发出警告。(按Pause键，暂时停止运行货物。(3)立即关闭vmb阀，通知工厂。高压电击异常处理程序a:(1)确认安全，按

16、EMO键(2)确认受伤的原因(误接触电源漏水等) (3)处理受伤的人传输信道(t/c )的功能是什么？a :提供真空环境，机械臂在反应室和小船之间输送Wafer，节省时间机台PS需要戴口罩吗？a :是的，是防毒面具机台停滞时间长的run货物前需要做什么？Seasoning (陈化处理)什么是陈化处理a :在蚀刻室的清洁和部件更换后，为了使工艺条件稳定，使用模拟晶片进行了几次蚀刻循环。什么是日常测量机a :机台的日常检查项目，确认机台的状况正常什么是无线安全(WAC )没有wafer自动干蚀刻清洗机什么是DryCleana :干蚀刻清洗机日常测量机测量etchrate的目的是什么？a :蚀刻多少厚度的薄膜，重要的参数之一是蚀刻速率操作酸碱溶液时，应该如何采取安全措施？a:(1)戴酸碱手套围裙的安全眼镜或护目镜(2)操作区，有时备有清水和水管以备不时之需(3)操作区备有吸酸棉和隔离带如何将chamber设定为设定温度？使用heater和chillerChiller的功能是什么？为了稳定chamber的温度而使用如何用chamber制造真空？a:(1)首先确立