版图设计实例课件

1、布局设计示例，1，PPT学习交换，MOS fet布局实施单个MOS管布局1。MOS管结构和配置图MOS管配置图4种配置图、2、PPT学习交换、来源、通道和泄漏区域定义为MOS管来源区域(Active)，来源区域外部的区域定义为栏位区域(Fox)。源区域和域区域之和是整个芯片表面。Fox Active=Surface，芯片表面包含源区域和场区域两个部分，n陷阱CMOS集成电路使用p型基板，NMOS管直接构建在p型基板上，PMOS管位于n井内。3，PPT学习交流，整体MOS管板布局应由a)源、浇口和泄漏组成的两部分组成；b)连接衬底。4，PPT学习交换，5.1.2 MOS管阵列的布局为1 .MOS

2、管系列(1)实现两个MOS管的连接。N1的源，泄漏区域是x和y，N0的源，泄漏区域是y和z。y是公共区域，如果组合公共区域，则获得图5.7(d)中所示的两个MOS管排成一列的连接板。电流的方向可以确定当莫尔斯管排成一列时，该电极通过S-D-S-D-S-S-D连接。(a)电路图，(b) N1布局(c) N0布局(d) N1和N0连接布局，(2)任意MOS管连接。例如，三根莫尔斯管连接在一起。(a)电路图，(b)布局，5，PPT学习交流，2 .MOS管并行(并行是源和源连接、泄漏和泄漏连接、自浇口或独立)。(1)浇口水平放置，节点x和y可以用黄金连接(图b)。也可以使用源区域连接(图c)。(2)浇

3、口垂直方向，节点连接可以通过金属导线(图b)和源区域(图c)连接。6，PPT学习交流，(3) 3个以上MOS管并行。全部用金属连接和泄漏源的连接(图a)，称为叉指结构；使用金属和源区域并行连接源和泄漏；金属连接和源区域连接结合使用(图b)。3 .MOS管的重新接合是MOS管的第一个字串与第一个和最后一个字串的连接。7，PPT学习交流，1 .CMOS门电路(1)逆变电源，图布局1布局2，布局1特征：多晶栅格垂直阵列，MOS管源区域面积小，逆变区域小。布局2功能：多晶体栅极水平排列，MOS管泄漏极金属与电源、地线之间的空白空间由于水平大小，可以通过稍大的其他金属线。8，PPT学习交换，(2)其他或

4、门，布局1特征：多晶体门垂直布局；MOS管由4行排列，2行和4行组成，1行和3行组成，或整个门组成。9，PPT学习交换，布局2功能：或非门和/或非门单独布局，p管和n管各占一行。10，PPT学习交流，(3) 2输入和门(and2)，特性：和门采用非门和逆变连接，结合公共区域的技术，p管连接电源通用，n管接地源通用，小型组件。11，PPT学习交流，(4)和非门(AOI)，提示：设计AOI或OAI布局，绘制MOS管串行和并行图，查看每个MOS管输入信号，用棒子绘制草图，然后熟练绘制布局。12，PPT学习交流，(5)或非门(OAI)，提示：比较AOI和OAI电路图与布局的差异和画法，集成并熟练操作C

5、MOS复合电路的布局。13，PPT学习交流，(6)全部加法器，14，PPT学习交流，布局，15，PPT学习交流，特征：与其他或门类似，几个输入信号几乎所有设备都通用，设计布局时要充分注意此特性。布局将a、b和c多情分割为两段，a线在顶部(Vdd附近)断开连接，b线在底部(Vss附近)断开连接，c线不能直接连接，在Vss附近用金属连接。左侧是a、b、c多晶布局设备的串行并行列，右侧是a、b、c多晶布局设备的串行列。整个电路分为四行，第2行和第3行构成舍入电路的前级，第1行和第4行构成合计电路的前级。舍入和求和的输出逆变器使用宽高比。横跨在地图中间的金属丝从上到下连接舍入部分串行并行电路的输出，以

6、多晶方式通过此金属线以下连接此输出金属。，16，PPT学习交换，2 .CMOS RAM单元和阵列(1)CMOS RAM单元；特性：设计为双层金属。两个逆变器是公共源，交叉连接和基板连接都使用金属1，两个水印也使用金属1作为连接。Vdd、Vss和w使用金属2作为导线。门管的多晶体栅格和金属1连接在一起，然后金属1通过通孔连接到电线。陷阱和基板的接触也通过通孔连接到Vdd和Vss。17，PPT学习交换，(2) CMOS RAM阵列，特征：存储设备阵列时，列的方向需要相邻单元水印的间距符合设计规则。行的布局整合了公共区域，即Vdd和Vss共享。18，PPT学习交换，3 .CMOS D触发器(1)位置

7、和重置无末端D触发器、电路图、电路图使用时钟控制逆变器，而不是移相器和传输门(TG2)串行。19，PPT学习交流，布局，特征：1) 4行结构，中间2行形成逆变器，多愁善感从2行延伸到3行，形成逆变器。(2)第1行和第4行形成传输语句，分为第2行和第3行，但这两行不需要多晶共享，仅通过金属实现源泄漏连接，即使这些金属连接跨越中间两行的源区域，也不形成寄生MOS管。3)CP多晶放置在Vdd线路下，CPb多晶沿Vss水平布线，中央部分的两个多晶都从源区域的空隙扩展到Vdd和Vss线路附近，从而实现到传输门设备的栅极级连接。4)主触发器使用时钟逆变器节省金属连接。20，PPT学习交流，(2) d触发器

8、、电路图、布局、特征：设备仍分为4层，CP和CPb也位于上下两侧，在CP多晶体上方添加一个水平多晶体作为复位(r)。CPb线对水平和垂直方向的连接使用金属过渡。主触发器使用铃或雨语来节省金属连接。21，PPT学习交流，4 .CMOS放大器、22、PPT学习交流、分割输入设备四重奏交点：将M3更改为M3a和M3b，将M4更改为M4a和M4b可实现四重奏交点，以确保输入设备的对称性。23，PPT是所有电流通过输入晶体管的每个，例如，有时整个电流完全在M3上，差分信号关闭时M3关闭M4，整个电流完全在M4上，每次信号晃动时切换，为了承受这种电流，M3和M4之间的金属线达到一定宽度，两条金属线达到M3

9、和M4的必须通过m3和m3b，24，PPT学习交流，25，PPT学习交流，M3和M4的长宽比较大，M3a、M3b、M4a和M4b使用多管并行结构。 这四个MOS管的源已连接到metalun 1导线，M3和M4的泄漏必须连接到metalun 2，以避免与metalun 1短路。Metal2具有许多通孔和宽电线，以使电流顺畅流动。26，PPT学习交流，为了对称，分为M5度M5a和M5b。27，PPT学习交流，CMOS放大器的布局，28，PPT学习交流，考虑到对称，两个p管只需画一个，另一个管通过克隆制作。p管由n型陷阱制成，n型陷阱用n型陷阱接触包围整个设备，并将电源线和接触连接到一条金属线。在陷阱外部p基板接触中，复制M2管，因