南玻电容式触摸屏培训资料.ppt

1、OPTREX TP PQC训练资料，2008年3月15日，基板要求，1，化学钢铁化2，AGC原板尺寸400X500X0.55 3，钢铁化层要求应力43035MPa厚度8.50.7UM翘曲度0.6mm，F R面定义区分，膜面f面空气面r面工序的工作面玻璃结构如下图所示，FSIO2 FITO钢化基板RITO MOALMO R SIO2，patoc， 生产流程强化玻璃双面ITOito图案曝光R ITO抗蚀剂F ITO蚀刻双面POSI TANK剥离R ITO图案曝光F ITO抗蚀剂R ITO蚀刻双面POSI TANK剥离r面MOALMO镀膜MOALMO图案曝光MOALMO蚀刻POSI剥离f 在检查RS

2、IO2 R面PATTERN OC FQC双面包复PET保护膜的生产时，请确认各工序的基板载置方法(大角位置)及流程图、F ITO特性1、镀fti膜厚170200A的透射率88 (参考空气)电阻100 155 ohm 2， ftiposi线宽301.53UM线宽28.5 3UM (注意整板线宽均匀性控制)位置精度a、b、c6. 00.1 mm总pitch长度尺寸480.0010.005UM短尺寸378.0010.005UM 3， fhito蚀刻线宽3003UM线宽30 3UM TOTAL PITCH长度尺寸480.0000.005UM短尺寸378.0000.005UM、fhito外观检查1、IF

3、TO涂层膜检查原料缺陷：损伤、污垢等涂层膜缺陷F ITO POSI A，检测生产过程对双面ITO的影响：损伤膜面清洗效果的空气面轮转印、污染压伤、伤等注意系统缺陷b，检测生产过程对POSI的影响：涂层膏不良曝光机的系统缺陷(传感器和相机状态) MASK缺陷(MARK是否完全，包括系统的MASK污点等)显影效果确认(膜脱落和显影不干净)系统缺陷3、R ITO涂布保护橡胶的主要检查项目：确认每个生产设备对F ITO POSI的影响(例如，POSI损伤等)，注意涂布不良系统缺陷4， F ITO蚀刻的主要检查项目：确认蚀刻效果(例如，ITO是否被很好地蚀刻等)，在POSI工序时不注意系统缺陷5，双面P

4、OSI槽剥离条件：将3 KOH加热到45剥离时间15 MIN，清洗生产线清洗后剥离剥落R ITO特性1、R ITO镀膜厚度170200A的透过率88 (参考空气)电阻100 155 ohm 2、R ITO POSI ITO开口28.53m间距28.5m (注意全板间距均匀性控制)对位精度033.5UM(R ITO和F ITO对位) TOTAL PITCH长度尺寸480.0010.005UM短度尺寸378.0010.005UM 3、ITO蚀刻ITO开口303UM间距303UM对位精度035UM (R ITO和ITO对位) TOTAL PITCH长度480.0000 . R ITO外观检查1，R

5、ITO涂层膜检查原料缺陷：损伤崩塌和污垢等涂层膜缺陷： ITO膜脱落、电弧靶污染反射色等2，R ITO POSI A，检查生产过程对双面ITO的影响：损伤膜面清洗效果、印章和污染压伤、损伤等注意系统检查生产过程对POSI的影响：涂胶不良曝光机的系统缺陷(传感器及相机状态) MASK缺陷(包括MASK是否正确、MARK是否完全、系统的MASK污点等)显影效果确认(膜脱落和显影不干净) F ITO涂层保护橡胶的主要检查项目：确认每个生产设备对R ITO POSI的影响(例如，POSI损伤等)，涂层不良注意系统缺陷4，R ITO蚀刻的主要检查项目：蚀刻效果(例如，ITO是否被清洗干净POSI施工时不

6、要注意系统缺陷5、双面POSI槽剥离条件：将3 KOH加热到45剥离时间15分钟，清洗生产线清洗后确认剥离是否干净，清洗前用水车浸渍。MOALMO特性1、MOALMO镀膜总膜厚4000(500 2500 500)A面电阻0.4 Ohm 2、MOALMO POSI线间距离16.5 3 UM对位精度x、y03 um总pitch长度尺寸480.0010.005UM短尺寸378.00 MOALMO蚀刻线间距20 3 UM的对位精度x、20 3 UM总pitch长度480.0000.005UM短378.0000.005UM、MOALMO外观检查1、MOALMO镀膜前清洗效果和其他外观缺陷(例如镀膜后检查

7、项目：针孔、反射色等2，MOALMO POSI A，检查生产过程对双面ITO和MOALMO的影响：损伤膜面清洗效果印章和污染压伤、伤等注意系统缺陷b，生产过程对POSI的影响：涂层膏不良曝光机的系统缺陷(MASK缺陷(MASK是否正确，MARK是否完全，包括系统的MASK污垢点等)显影效果确认(膜脱落或是否显影)系统缺陷3、MOALMO蚀刻部注意：是否进行了干净的蚀刻(AL残留、f面电路(客户要求金属横截面为80度，没有屋檐现象)剥离部主要确认是否干净地剥离，轮切伤等。双面SIO2特性、R SIO2膜厚500a透过率90 (参考空气)对位精度0 350UM F SIO2膜厚500a透过率90

8、(参考空气)对位精度0 350UM、SIO2 PATTERN成膜，1、方法：现在用金属MASK涂复时SIO2 PATTERN 2、安装时的玻璃结构：铜磁背板MOALMO基板金属MASK 3，成膜温度： 100 4，电镀用工具： CCD对位台，金属MASK，铜磁背板，有400X500专用框架：SIO2对位检查方法，1，MASK金属F-MASK 2、MASK对位框的位置以小孔对位为基准。 3、玻璃对位标记的位置为图1，标记放大图2的图2、4，对位检查方法为对位的情况下，十字标记图中的4个长边不能被金属掩模遮挡(即，不能露出到方孔外) 。 必须是OK NG，SIO2成膜外观检查，照明器具检查用绿，背

9、光源，金属的损伤检查用绿。 主要缺陷：电子冲击伤(背光检查或荧光灯下玻璃背检查白色墙壁)金属伤(蓝色信号检查) SIO2膜脱落(粘贴胶带纸)打电弧(蓝色信号或灯) PARTICEL和污染(蓝色信号或灯)衍射(蚀刻) 特性材料NN901的膜厚2.3 m的对位精度：外侧50 5UM内侧30m2、外观检查a、检查生产过程对双面SIO2及MOALMO的影响：膜面清洗效果的刻印及f面OC的压伤和损伤等注意系统的缺陷b， 检查生产过程对OC的影响：涂布膏不良和OC MURA(SPIN MURA，吸盘MURA) VCD气泡(金属层可见白点)曝光机的系统缺陷(SENSOR和CAMERA状态) MASK缺陷(MASK是否正确，MARK完全确认显影效果(是掉膜还是不显影)要注意系统缺陷，两面复盖PET保护膜，1、粘贴薄膜时注意不要使