2015第3次课 第三章 异质结的能带图解析.ppt

1、安德森规则是什么？异质结可以有几种突变形式？尖峰位置和掺杂浓度的关系是什么？同质性连接和异质连接电位分布的异同是什么？同构异质结的特征是什么。3.1节(3.1.1)波段图(3.1.2)突变型异质结的接触电位和挡墙宽度(3.1.3)突变型等异质结(3.1.4)多异质结的波段图(3.1.5)峰值位置和掺杂浓度关系，第3章异质结什么是带状图？let x be the electric affinity，Which is the energy required to take an electric from the conduction band edge to the vacum level，电子

2、亲和力the vacum levels of the two semiconductor on either side of the hetero junction should be aligned不管接口状态(1)的频带结构(1)频带图如何，都具有电子亲和力、频带宽度2铅波段差异是两种材料电子亲和力的差异。3和原子价带差等于带隙差减去铅带差。n-GaAs，p，n，两种单晶材料共同构成后，它们处于平衡状态，费米能级必须相同。为了保持每个原始的共函数和电子亲和力，形成空间电荷区域，结的两侧发生静电，相应的屏障高度为eVD，e为电子电荷，VD为接触电位。接触前，接触后1。align the fe

3、rmi level with two semiconductor bands separated .leave space for the transition region。接触后异质结带状图的绘制方法，EF1，内置电场=空间电荷区域的每个点都有额外的电势能，空间电荷区域的能量带弯曲。1波段可能会发生弯曲。n型半导体的导向和原子价的偏转为qVD2，在界面上形成尖峰的p型半导体的导向和原子价的滚动为qVD1，在界面上形成凹型(能量谷)。2波段在界面上不连续，有突变。Ec，Ev，There is non symmetry in dec and dev values that will tend

4、to make the potential barriers seen by electros and holes different。this non symmetry does n Ot occur in home junction、straddling交叉垂直(b) Staggered交错类型、(c) Broken gap间隙类型、典型的带突变形式、空间中电子和腔的分离温度越高，最终效率极限就成为材料的载体auger合成。目前最好的红外探测器材料HgCdTe的最终性能极限是载波auger复合链，该带脱离超晶格结构可以像预期的那样物理地分离电子和腔，从而有效地抑制auger复合体。电子从一

5、个半导体大量流入另一个半导体，一个半导体中存在很多电子，另一个半导体中存在很多孔。具有导电性，具有半金属性。采用高质量GaAs基GaSb块状材料和InAs/GaSb超声光栅材料技术的分子束外延生长，为制作低成本稳定性能N-GaAs/P-GaSb热光电阴极、新一代焦平面多色红外探测器等提供了重要的技术基础。，使电子反射的障碍是提供一定厚度和高度的势阱，应用突变，dec=0.07ev，dev=0.69ev，dec dev=0.76ev，3.1.2突变异质结的接触电位障碍宽度，过程生长方法，过程生长方法例如，GAAs，半导体的Ga和As徐璐对电子有不同的结合能力，构成晶体时，电子更偏向As原子的一侧

6、。(110) :电中性(111)极性-偶极三分量异质结的半导体特性偶极变形，影响能量突变的因素，Anderson能带模型，1，假设异质结接口不存在接口状态或偶极状态；2、异质结界面两侧的空间电荷层(或贫化层)，空间电荷的符号相反，大小相同；3，异质结接口两侧的介电常数分别为1和2，12，接口的电场不连续：1E1=2E2 E1 E2。poisson方程，障碍区的电荷密度分布，where again na1 is the net acceptor concentration in the p side，and nd2 is the net donor concentration on the n side。突变异曲同工的泊松方程，Where E1 an