III族纳米氮化物的研究背景简介.ppt_第1页
III族纳米氮化物的研究背景简介.ppt_第2页
III族纳米氮化物的研究背景简介.ppt_第3页
III族纳米氮化物的研究背景简介.ppt_第4页
III族纳米氮化物的研究背景简介.ppt_第5页
已阅读5页，还剩13页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、氮化铝纳米材料的研究背景简介,在 III 族氮化物半导体材料中，AIN 与其它两种材料相比，其具有禁带最宽的直接带隙，带间跃迁发射波长可进入深紫外波段，使其成为制备紫外/深紫外光电子器件的理想材料。特宽带隙的 AIN 还可以作为其它发光体的基体材料。AlN 具有高的热导率(319Wm-1K-1) ；低的介电常数(1 MHz 下约为 8.0) ; 低的热膨胀系数 (293773 K, 4.8 10- 6K-1)；高电阻(体电阻率大于1014cm)、低密度(理论密度 3.26 gcm-3)；低的介电系数和介电损耗；高硬度； 高强度; 高绝缘性和无毒害等等优异的物理化学特性, 被广泛用于高级陶瓷、复

2、合材料和电子材料等领域。特别是电子工业方面有着广泛的应用：如切割工具, 高聚物和玻璃材料添加剂, 电子基片, 保护层材料, 光电应用, 吸热器件, 高能芯片等。,目前 AlN 纳米结构的主要制备方法,直流电弧等离子体方法是一种重要的制备纳米材料的方法，特别是制备一些高熔点的化合物，如氮化物、碳化物、氧化物、硅化物等。电弧放电可以产生极高的温度，可以达到几千度以上，并且在电弧区内存在很大的温度梯度。而等离子体则是由电弧放电在阴阳两极之间产生的电子、离子、原子等混合气体，它是一种高活性、高电离程度、高温的气体，极具反应活性。过去，直流电弧等离子体方法被较多的应用在制备纳米粒子上，近几年，也有一些利

3、用该方法制备出一维纳米结构的报导。利用直流电弧等离子体的这些特性，将金属铝、镓、钪、钇等熔化、蒸发，氮气或者氮气与氨气的混合气体电离。这些金属蒸气与反应气体电离后的活性粒子相互发生反应，成核，最后在基底上温度合适的位置生长出晶体。,1.玻璃罩、 2. 水冷壁、3.钨杆阴极、4.阳极金属块、5.水冷铜锅,直流电弧等离子体方法反应室示意图,人们发现纳米级的 AlN 材料有很多优异的性质, 如纳米级 AlN 的烧结材料会有更好的热导性质，适用于高耗能器件中的应用。还可以作为增韧剂、增强剂加入金属或其他陶瓷材料中，以提高其强度和刚性；纳米 AlN 具有更高的热导率和更高速率声学的压电性质。因此，制备高纯的 AlN 纳米结构的研究随之兴起。研究者们利用各种不同的方法制备出多种形貌的 AlN 纳米结构。,AlN 树状结构的 SEM 照片,AlN 树状结构的 TEM 和 HRTEM 照片,AlN海胆结构的SEM照片,AlN海胆结构的TEM和HRTEM照片,AlN 海胆结构的生长机制图,AlN单边

人人文库> 全部分类> 应用文书 > 技术指导

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论