第二章23内存

1、4-1,2.3 内存储器,1 主内存的发展历程 2内存特点及结构 3内存的分类 4内存的性能指标 5内存的技术规范 6内存的识别与选购,4-2,2.3.1 主内存的发展历程,80286时代， 30线、256KB。 80486时代， 30线的SIMM FPM和 72线的SIMM FP并存，速度是60ns。 EDO RAM，有72线和168线之分， 速度40ns。 SDRAM， 168线。 Rambus DRAM， 184线。 DDR SDRAM， 速度是SDRAM的双倍。 DDRII， 速度是DDR SDRAM的两倍。,4-3,2.3 内存储器,1 主内存的发展历程 2内存特点及结构 3 内存的

2、分类 4 内存的性能指标 5内存的技术规范 6 内存的识别与选购,4-4,2.3.2 内存特点及结构,内存与外存的区别,内存表现形式有寄存器、缓存、主存储器 外存的表现形式有硬盘、软盘、光盘等。,4-5,存储器的层次结构,4-6,内存的结构与封装,内存特点及结构图,4-7,PCB (Printed Circuit Board)印制线路板结构,4-8,内存的结构,4-9,内存的结构,10,内存的封装,DIP,SOJ,TSOP,BGA,4-11,内存封装,Tiny-BGA,mBGA,4-12,内存的封装,CSP,WLCSP,4-13,内存的接口方式,SIMM 30线SIMM 72线SIMM 168

3、线,4-14,内存的接口方式,DIMM 184线（DDR）DIMM 240线（DDRII）RIMM 184线,4-15,2.3 内存储器,1 主内存的发展历程 2内存特点及结构 3 内存的分类 4 内存的性能指标 5内存的技术规范 6 内存的识别与选购,4-16,2.3.3 内存的分类,广义的内存按照读写性能分为： RAM（random access memory） 随机存储器 静态随机存储器（Static RAM, SRAM) 动态随机存储器（Dynamic RAM, DRAM) ROM（Read-Only Memory）只读存储器按照功能分为： Register 寄存器 Cache 缓存

4、Main memory 主存储器（狭义的内存）,4-17,存储器功能示意图,4-18,半导体存储器分类,4-19,DRAM的分类,从接口标准上可以分为：SIMM、DIMM 从外观上可以分为：30线、64线、72线、100线、144线、168线、200线和卡式、插座式。 按工作方式可以分为：FPM、EDO、SDRAM、RDRAM、DDR 从整体性能上可以分为：普通（无任何特殊功能）、带校验（自动检错）、带纠错（自动纠错）三种。,4-20,SDRAM：Synchronous DRAM 同步动态存储器（1个卡口） RDRAM：Rambus DRAM 高频动态存储器 DDR SDRAM： Double

5、 Data Rate SDRAM 双倍速率同步动态随机存储器（两个卡口）,DRAM常见的类别名称,4-21,2.3 内存储器,1 主内存的发展历程 2内存特点及结构 3 内存的分类 4 内存的性能指标 5内存的技术规范 6 内存的识别与选购,4-22,2.3.4 内存的性能指标,内存容量 工作频率 数据带宽 奇偶校验与ECC校验 CAS的延迟时间 存取时间 工作电压,4-23,2.3 内存储器,1 主内存的发展历程 2内存特点及结构 3 内存的分类 4 内存的性能指标 5内存的技术规范 6 内存的识别与选购,4-24,2.3.5 内存的技术规范,SDRAM: PC100、PC133 RDRAM

6、： PC3200、PC4200、PC4800 DDR SDRAM： PC1600、PC2100、PC2700、 PC3200、PC3500、PC3700 DDRII： PC2 3200、PC2 4300、PC2 5300、 PC2 6400,4-25,DDR与DDRII技术规范,4-26,DDR与DDRII技术规范,4-27,RDRAM技术规范,4-28,流行内存比较:,1、HY DDR400 2、KimgBox 黑金刚DDR400 3、KingSton金士顿 ValueDDR400,4-29,2.3 内存储器,1 主内存的发展历程 2内存特点及结构 3 内存的分类 4 内存的性能指标 5内存

7、的技术规范 6 内存的识别与选购,4-30,2.3.6 内存的识别与选购,内存的识别,4-31,第一位：HY代表该产品是现代的产品。 第二位：代表内存芯片类型。 第三位：代表内存工作电压。 第四位：代表芯片密度和刷新速度。 第五位：代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 第六位：代表BANK数量：1、2、3分别代表2个、3个、4个和8个Bank，是2的幂次关系。 第七位：I/0界面，1SSTL-3；2SSTL-2。 第八位：芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后表示越新。 第九位：代表功耗：L=低功耗芯片；空白=普通芯片。 第十位：内存芯片封装形式。 第十一位：代表内存工作速度。,现代电子的内存产品编号,4-32,内存的选购,1、确定容量