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文档简介
1、四.绝缘栅双极晶体管,IGBT:绝缘栅双极晶体管。一种具有功率MOSFET高速开关特性和GTR低导通压降特性的复合器件。IGBT于1982年开发,并于1986年投入生产,这是发展最快、最有前途的混合动力设备。目前,IGBT产品已经系列化,最大电流容量为1800安,最大电压水平为4500伏,工作频率为50千赫。在电机控制、中频电源、各种开关电源等高速低损耗的中小功率领域,IGBT已经取代了GTR和部分场效应晶体管市场。(1)绝缘栅双极晶体管及其工作原理,1) IGBT结构由VDMOS厚基区PNP GTR驱动;IGBT有三个电极:集电极、发射极和栅极。(1)绝缘栅双极晶体管及其工作原理;(2)场控
2、器件IGBT的形状是一个栅控自关断器件,其集电极电流由栅压UGE控制。接通:当UGE接通UGE电压(th)时,IGBT接通。导通压降:电导调制效应使导通压降变小。3.IGBT的工作原理,关闭:IGBT关闭时,施加反电压或没有信号施加在栅极和发射极之间。(1)绝缘栅双极晶体管及其工作原理;(1)最大集电极-发射极电压UCEM:当它关闭时,IGBT可以在集电极和发射极之间承受的最高电压。(2)导通压降:指IGBT处于导通状态时,集电极和发射极之间的管压降。(3)最大集电极电流ICM:当ICM: IGBT增加时,将出现保持效应。此时,为了防止保持效应发生,指定的最大集电极电流ICM。(2)IGBT的
3、主要参数,(1)IGBT对驱动电路的要求,(1)提供合适的正反向输出电压,一般为1215伏,-5-10伏,(2)IGBT的开关时间应综合考虑。(3)IGBT接通后,驱动电路应提供足够的电压和电流幅度。(4)RG的作用(5)驱动电路应具有较强的抗干扰能力和IGBT保护功能(RGE、V1、V2),(3) IGBT驱动电路,(3) IGBT驱动电路,(2) IGBT驱动电路,(3) IGBT驱动电路,(2) IGBT驱动电路,1。防静电2,当接地时,不要对接地3施加电压。如果没有适当的防静电措施,通用电气终端不能开路。(4)IGBT使用注意事项,图1.9.11带脉冲变压器隔离的栅极驱动电路,图1.9.12带推挽输出的栅极驱动电路。2.边缘栅双极晶体管的特性和主要参数。(1)IGBT的伏安特性在UGE有所体现。IGBT的伏安特性分为:截止区、有源放大区、饱和区和击穿区。图1 . 7 . 2 IGBT 1的伏安特性和转移特性。IGBT的伏安特性和转移
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