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文档简介

1、四.绝缘栅双极晶体管，IGBT:绝缘栅双极晶体管。一种具有功率MOSFET高速开关特性和GTR低导通压降特性的复合器件。IGBT于1982年开发，并于1986年投入生产，这是发展最快、最有前途的混合动力设备。目前，IGBT产品已经系列化，最大电流容量为1800安，最大电压水平为4500伏，工作频率为50千赫。在电机控制、中频电源、各种开关电源等高速低损耗的中小功率领域，IGBT已经取代了GTR和部分场效应晶体管市场。(1)绝缘栅双极晶体管及其工作原理，1) IGBT结构由VDMOS厚基区PNP GTR驱动；IGBT有三个电极：集电极、发射极和栅极。(1)绝缘栅双极晶体管及其工作原理；(2)场控

2、器件IGBT的形状是一个栅控自关断器件，其集电极电流由栅压UGE控制。接通：当UGE接通UGE电压(th)时，IGBT接通。导通压降：电导调制效应使导通压降变小。3.IGBT的工作原理，关闭：IGBT关闭时，施加反电压或没有信号施加在栅极和发射极之间。(1)绝缘栅双极晶体管及其工作原理；(1)最大集电极-发射极电压UCEM:当它关闭时，IGBT可以在集电极和发射极之间承受的最高电压。(2)导通压降：指IGBT处于导通状态时，集电极和发射极之间的管压降。(3)最大集电极电流ICM:当ICM: IGBT增加时，将出现保持效应。此时，为了防止保持效应发生，指定的最大集电极电流ICM。(2)IGBT的

3、主要参数，(1)IGBT对驱动电路的要求，(1)提供合适的正反向输出电压，一般为1215伏，-5-10伏，(2)IGBT的开关时间应综合考虑。(3)IGBT接通后，驱动电路应提供足够的电压和电流幅度。(4)RG的作用(5)驱动电路应具有较强的抗干扰能力和IGBT保护功能(RGE、V1、V2)，(3) IGBT驱动电路，(3) IGBT驱动电路，(2) IGBT驱动电路，(3) IGBT驱动电路，(2) IGBT驱动电路，1。防静电2，当接地时，不要对接地3施加电压。如果没有适当的防静电措施，通用电气终端不能开路。(4)IGBT使用注意事项，图1.9.11带脉冲变压器隔离的栅极驱动电路，图1.9.12带推挽输出的栅极驱动电路。2.边缘栅双极晶体管的特性和主要参数。(1)IGBT的伏安特性在UGE有所体现。IGBT的伏安特性分为：截止区、有源放大区、饱和区和击穿区。图1 . 7 . 2 IGBT 1的伏安特性和转移特性。IGBT的伏安特性和转移

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