Sputter工艺介绍PPT课件

1、. 1，Sputter Introduction，2009/12/17，content，Sputter原理，Sputter装置结构，Sputter过程质量控制，第1部分Sputter原理。 入射粒子与营销对象面冲撞发生一系列冲撞，通过能量传递某原子，朝向营销对象表面外的运动量和一盏茶的能量从营销对象面逃逸，形成溅射原子。5、1.2影响溅射因素，一次入射粒子的能量只有在入射粒子的能量超过阈值(101eV )后才发生溅射。 在一定范围内，(keV )溅射率随能量的增加而提高。 另一方面，如果能量过大，入射粒子会被注入到营销对象材料内部，溅射率会减少。 2粒子入射角度倾斜入射有利于提高溅射率的3入射

2、粒子的种类重粒子的溅射率比轻粒子高。 4营销对象温度上升，营销对象原子间的结合力减少，入射粒子能够以小的能量使溅射产生5个工作压力，6，1.3溅射镀膜的特征，1膜厚的控制性和再现性基于残奥仪控制和溅射粒子的方向，随机2适用范围为半导体、化合物或混合物固体3薄膜与基板的耦合性强的与该磁场的营销对象面平行的成分构成与垂直于营销对象面的电场正交的电磁场，限制碰撞的二次电子在电磁场中旋转运动。 这样，与过程瓦斯气体的碰撞电离概率增加，等络离子密度提高，沉积速率加快。 电场强度e方向为y轴，磁感应强度b与营销对象面平行的成分方向为z轴，接近营销对象面的正交电磁场内的二次电子的运动： v为电子的初始速度与

3、b垂直的成分的大小。 即，电子在与b垂直的平面上进行半径的圆周运动时向云同步、以速度向方向移动，通过该路径加速溅射，在营销对象面上形成“飞机跑道”，具有9、1.5直流磁控管溅射的特征，除了提高沉积速率， 直流磁控溅射具有以下优点： 1是能够在营销对象面形成高密度等离子体，在基板位置以外(SMD-950 )设置在到达基板时具有大动能的3阳极，能够缓和二次电子碰撞基板导致基板升温的问题： 1适合溅射绝缘材料2的营销对象面上的磁场降低营销对象材料利用率，使使用后期的堆积均匀性变差。 第二部分Sputter装置结构，11，2.1设备概况，12，2.2加载/卸载室，作用1 .基板输入输出设备2 .大气和

4、高真空室间的压力迁移*高代线设备加载/卸载作用使基板加载/卸载，Heater，Sputter 、14、2.4heater室、在溅射前对基板进行预加热、15、为了通过电热板将基板预加热到溅射所需的温度，需要对每个目标加热温度实验性地测定温度设定值和最短加热时间、16、2.5sputter室营销对象和基片位于垂直位置、18、2ar导入和冷凝泵排气两方面，使腔室达到稳定工作压力。 3对阴极施加直流，使Ar电离。 4 Ar入射到营销对象面(102eV )，营销对象粒子堆积在基板成膜(101eV )上。19、Sputter室影响膜质结构的主要残奥表，1营销对象面和衬底距离影响沉积分布，营销对象面和衬底距离增加。 用磁铁的位置调整进行补偿。2瓦斯气体产水量和成膜压力3 DC电源的输出4基板温度，第三部分Sputter过程质量控制，21，Rs Thickness，主要影响因素溅射时间，DC功率。 基板温度、放电压力、杂质瓦斯气体成分、22，Defect、溅射前污染密合性差/patt