ICP刻蚀简析PPT课件

1、1、北京牌创世威纳科技有限公司，ICP蚀刻简析，2，蚀刻简介，ICP蚀刻原理，ICP蚀刻及检验， 3、蚀刻：未通过物理和/或化学方法将上层掩蔽膜材料掩蔽在下层材料中的光电微影技术、4、湿蚀刻和干蚀刻，利用特定溶液与薄膜的化学反应，薄膜未被负性光刻胶掩模复盖、5， wetetchingcharacteristicsadvantages : simpleequipmenthighthroughputhighselectivitydisadvantages : isotropicetchingleadstou ghdisposalcostarehigh，6，干法蚀刻利用射频波电源使反应瓦斯气体生成反

2、应活性高的络离子和电子，对硅片进行物理冲击和化学反应，有选择地去除我们应该去除的区域。 被蚀刻的物质变为挥发性的瓦斯气体，通过排气系统分离，最后根据设定修正模式的要求蚀刻我们必须实现的深度。 dryetchingcharacteristicsadvantages 3360 anisotropicetchprofileispossiblechemicalconsumptionissmalldisposalofreactionproductsleees tion，单晶片，cassettetocassettedisadvantages : complex设备，射频，gas测量， v access指令

3、选择性ctivitycanbepoorresiduesleftonwafer . 8、关于蚀刻工艺的残奥仪表、蚀刻速率，习惯于将每单位时间的除去材料的厚度定义为蚀刻速率，蚀刻速率由被蚀刻材料的种类、蚀刻速率等工艺和设备变量决定，选择比差： 11选择U(%)=(Emax Emin )/(Emax Emin )、10、蚀刻截面被蚀刻的图案的侧壁形状、各向异性现象：蚀刻仅在与晶片表面垂直的方向上进行， 各向同性：在所有方向上以相同的蚀刻速率进行蚀刻的ICP蚀刻：电感耦合等离子蚀刻、电容器特罗尔盘、真空室、板阀开关、射频波电源、 12、受电感耦合等离子体(ICP )蚀刻原理、自动匹配网络控制的含13.

4、56定径套功率大小直接影响等离子体电离率，影响等离子体密度。 第2个定径套的射频波电源与腔室内下方的电极相连，样品放置在该台上进行蚀刻。13、14、et chants与etch产品、15、BOSCH ICP、theboschprocessusestwochemistries onetogeneratepolymersandtheothertoetchsilicon.theetchmachineswitchesbetweenthetwoeveryfewsecondstoensurethatthesidewallsarre on ing fast、deep trench etching .产生聚合

5、物和硅蚀刻交替进行。 本发明的目的在于，有意识地形成快速开关、16、深度德里蚀刻、聚合物(侧壁钝化)，在侧壁上形成结账台钝化膜，防止横向蚀刻，形成高各向异性现象蚀刻。17、腐蚀相关残奥表，1 )、工作压力的选择：应要求，工作压力的选择很重要，压力取决于通气量和泵的抽吸速度，合理的压力设定值可以增加反应速度的控制，增加反应瓦斯气体的有效利用率等。 2 )、RF功率的选择： RF功率的选择能够确定蚀刻中物理冲击所占的比重，在蚀刻速率和选择上发挥重要作用。 RF功率、反应瓦斯气体的选择和瓦斯气体的通过方式可以将蚀刻过程控制在同步蚀刻或BOSCH过程中。 3 )、ICP功率： ICP功率在瓦斯气体分离率中发挥重要作用，保证反应瓦斯气体的一盏茶利用。在瓦斯气体产水量一定的情况下，随着ICP功率的增加，瓦斯气体分离率也相应地增加，若增加到某种程度，则分离率有饱和的倾向，在这种情况下，若进一步增加ICP功率，则浪费。 4 )、反应瓦斯气体的选择和配合。18、腐蚀注意事项、腐蚀前的准备要点作业人员应仔细阅读作业说明，检查各零配件作用于腐蚀系统上是否连接有水、电、瓦斯气体，接通电源，蒸发制冷循环水，压缩空气如果工作室为真空，则不接通