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1、7.1 MS接触的势垒模型 7.2 MS接触的整流理论 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触,第七章金属和半导体的接触,1,本章重点: 势垒模型, 整流理论的概念 欧姆接触的性质及特点,2,为什么研究金属与半导体接触？,什么是M-S接触？,3,7.1 MS接触的势垒模型,4,E0：真空能级,5,6,7,8,9,10,表面态密度极高,半导体和金属接触时,只转移表面态中的电子就可以使整个系统达到平衡. 即接触前后,半导体一侧的空间电荷不发生变化,表面势垒不变,称为钉扎效应或锁定效应,11,12,13,7.2 MS接触的整流理论,14,15,16,17,18,19,20,21,肖特基势垒二极管与二极管

2、的比较,相同点 单向导电性 不同点 正向导通时，pn结正向电流由少数载流子的扩散运动形成，而肖特基势垒二极管的正向电流由半导体的多数载流子发生漂移运动直接进入金属形成，因此后者比前者具有更好的高频特性 肖特基势垒二极管的势垒区只存在于半导体一侧 肖特基势垒二极管具有较低的导通电压，一般为0.3V，pn结一般为0.7V,23,7.3 少数载流子的注入和欧姆接触,24,欧姆接触应满足一下三点: 1.伏安特性近似为线性,且是对称的 2.接触引入的电阻很小 3. 在接触区附近,载流子浓度等于热平衡的值,即,没有少子注入,25,欧姆接触,欧姆接触 不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变，为非整流接触 若 ，金属和n型半导体接触可形成反阻挡层； 时，金属和p型半导体接触也能形成反阻挡层，反阻挡层没有整流作用，可实现欧姆接触 实际生产中利用隧道效应的原理，把半导体一侧重掺杂形成金属n+

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