PN节学习总结心得体会半导体物理

1、第一章p-n结的形成和平衡态1.2直流特性1.3空间电荷区域和势垒电容1.4交流小信号特性1.5 p-n结破坏，第一章p-n结， 第2章双极晶体管的直流特性2.1晶体管的基本构造和杂质分布2.2放大反应历程2.3直流I-V特性和电流增益2.4逆电流和击穿电压2.5直流特性曲线介绍2.6基极电阻2.7埃伯莫尔模型、第2章1 BJT直流特性、 第三章双极晶体管的频率特性3.1晶体管的交流电流放大倍数和频率残奥仪表3.2晶体管的交流特性3.3晶体管的射频波残奥仪表及等效电路3.4射频波下的晶体管中的载流子传输及中间残奥仪表3.5晶体管的电流放大倍数的频率关系第三章频率特性， 第4章双极晶体管的功率特

2、性4.1集电极最大允许生物电流4.2基极区域大注入效果对电流放大倍数的影响4.3有效基极区域扩展效应4.4发射极电流集电极效果4.5发射极单位周长电流容量4.6晶体管最大电功耗PCM 4.7二次破坏和安全工作区域， 第4章功率特性第5章二极管和双极晶体管的开关特性5.1 p-n结二极管的开关特性5.2晶体管的开关作用5.3晶体管的开关过程和开关时间5.4开关晶体管的顺向电压下降和饱和电压第6章结型场效应晶体管6 . 1基本工作原理6.2直流特性和次低频小信号残奥表6.3交流特性6.4电力特性6.5的构成例第7章MOS增强型场效应晶体管7.1基本工作原理和分类7.2开启电压7.3电流电压特性和直

3、流特性曲线7.4破坏特性7.5频率特性7.6电力特性和功率MOSFET的构造7.7开关特性7.8温度特性性7.9短信和窄沟道效应，第6章JFETMESFET 7章MOSFET， 第8章晶体管的噪声特性通过8.1晶体管的噪声和噪声系数8.2晶体管的噪声源8.3双极晶体管的噪声8.4 JFET和MESFET的噪声特性8.5 MOSFET的噪声特性基极电流的提取和复合，过剩蓄积电荷消失(1点)，基极由于云同步基极电流的提取，男低音中国帆船的正偏压从零偏压减少到反偏压(1点)。 下降过程：基极电流进一步提取基极区域的蓄积载流子、发射结和集电结空间电荷区域的载流子(阻挡电容放电) (1点)，使基极区域的

4、少子浓度梯度逐渐减少到零(1点)，集电结反向偏置(1点)，集电电流降低到接近零(1点)。 之后，基极电流继续挖墙脚发射极结电荷，发射极结被反向偏置，晶体管截止。 如上所述，晶体管的开关过程是放电结和集电结势垒电容的充放电、基极区少子浓度梯度的确立或减少以及过剩蓄积电荷的消失过程。 为了改善开关特性，从去老虎钳设定修正方面考虑，采用能够通过减小结面积而减小两个结的势垒容量(1点)并掺杂金来减少npn管集电区的少子寿命，从而减少过剩储存，加速复合(1点)的外延结构， 尽量减薄外延层的厚度，降低外延层的电阻率，缩小存储空间，缩短集电极区域的少子寿命(1分钟)。 从使用方面：适当选择控制适当增大驱动电流和挖墙脚电流的饱和深度的负载电阻(1点)。 1、适用p-n结势垒高度修正公式时。 2 .开关运用晶体管的情况和理想的开关的区别是1 2； 三3.p-n结的击穿电压随禁带宽度Eg的增大而变高，是因为后者所决定的大小。4 .特征频率fT和最高振荡频率fM分别表示什么意思？ “晶体管的最高振荡频率高于特征频率”的说法正确吗？ 为什么？ 5 .为了提高晶体管的开关速度，请选择尽可能大的基极驱动电流。 这个说法正确吗？ 为什