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文档简介

1、、3二极管及其基本回路、3.1半导体的基本知识、3.3二极管、3.4二极管的基本回路及其分析方法、3.5特殊二极管、3.2 PN结电容的形成和特性、3.1半导体的基本知识、3.1.1半导体材料、3.1.2半导体的共价键结构典型的半导体有硅Si和锗Ge、加3.1.2半导体的共价键结构、硅和锗的原子结构简化模型和晶体结构、3.1.3本征半导体、空穴及其导电作用、本征半导体化学成分的纯半导体。 在物理结构上呈单晶形态。 空穴共价键中的空穴。 电子空穴对热激发产生的自由电子和空穴对。 空穴的移动空穴的运动通过相邻的共价键中的价电子依次填充空穴来实现。 由于随机的热振动，共价键被破坏，产生空穴电子对，空

2、穴在假的载流子本征半导体中自由电子和空穴成对产生，浓度相等的ni=np空穴越多，半导体中的载流子数越多，电流越大。 空穴的移动方向与电子相反，是由空穴的移动产生的电流，可以表示由约束电子的移动产生的电流。 热激发温度越高，自由电子和空穴的发生率越高。 在载体瓦斯气体的复合率和发生率相等的情况下，取得了动态平衡。 3.1.4非本征半导体通过在本征半导体中作为杂质导入某种微量元素体，可以使半导体的导电性发生显着变化。 混入的杂质主要是3价或5价的元素体。 混入了杂质的本征半导体叫做非本征半导体。 在n型半导体中掺杂磷等5价杂质元素体的半导体。 在p型半导体中掺杂硼等3价杂质元素体的半导体。 1.

3、N型半导体、3.1.4非本征半导体，5价杂质原子中只有4价电子能够与周围4个半导体原子中的价电子形成共价键，因此多才1价电子没有共价键的束缚，容易形成自由电子。 n型半导体中自由电子是多个载流子，主要由杂质原子供给的空穴是少数载流子，通过热激发而形成。 由于供给自由电子的5价杂质原子带正电荷成为正络离子，所以5价杂质原子也被称为施主杂质。 2. P型半导体、3.1.4非本征半导体在3价杂质原子与硅原子形成共价键时，由于缺少1价电子而在共价键上残留空穴。 p型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂大头针形成的自由电子是少数载流子，由热激励形成。 空穴容易说唱乐电子，杂质原子为负络离子。 三价杂质也被称为受主杂质。 n型、p型半导体的半导体整体为中性，掺杂大头针后的载流子瓦斯气体的数量都相当增加，因此掺杂大头针是提高半导体的导电能力的最有效的方法。 关于n型半导体： nd-施主原子浓度n-总电子的浓度p-少子空穴的浓度，n=p ND P: p=n NA使施主原子的自由电子浓度增加，自由电子和空穴复合的概率增加，因此通过电子和空穴的复合，在一定的温度条件下，空穴浓度和电子浓度的积一定， pn=pini=ni 2，3，3 .杂质对半导体导电性的影响、3.1.4非本征半导体、杂质的混入对本征半导体的导电性有很大影

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