(整理完)电子技术专科网上作业题及参考标准答案20121114(电气专业).doc

1、东北农业大学网络学院电子技术学院的网上工作半导体器件首先，对还是错1.因为晶体管的发射极区中的杂质浓度比基极区中的杂质浓度小得多，所以两个二极管可以反向连接而不是晶体管。()2.晶体管相当于两个反向连接的二极管，因此它也可以在基极断开后用作二极管。()3.P型半导体的大多数载流子是空穴，所以P型半导体带正电荷。()4.当反向电压加到二极管上时，二极管将有一个小的反向电流，它是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动形成的。()5.二极管的电流-电压关系特性可以大致理解为反向导通和正向截止的特性。()6.当二极管加直流电压时，二极管将有很大的正向电流，这是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动

2、形成的。()7.如果发射极结处于正向偏置，它必须工作在放大状态。()8.一般来说，晶体管的电流放大系数随着温度的升高而降低。()9.在常温下，硅晶体管的UBE值为0.7V，UBE值随着温度的升高而增加。()10.二极管正向动态电阻的大小随流经二极管的电流而变化，这不是固定的。()11.当使用万用表识别二极管的极性时，如果测量二极管的正向电阻，二极管的阳极与标有“十”的测试条相连，另一端为阴极。()12.n型半导体是在本征半导体中加入少量三价元素形成的杂质半导体。()13.在N型半导体中，自由电子的数量远大于空穴的数量，因此自由电子被称为多数载流子，空穴被称为少数载流子。()14.一般来说，硅二

3、极管的死区电压小于锗二极管。()15.晶体管的基极区做得非常薄的原因是为了减少基极区中电子和空穴的复合机会，使得从发射极区进入基极区的大多数载流子可以进入集电极区以形成更大的集电极电流。()16.当外加电压为零时，PN结的结电容最小。()17.当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流非常小。当反向电压大于反向击穿电压时，反向电流迅速增加。()18.当晶体管的工作电流小于集电极的最大允许电流，并且UCE小于BUCEO时，晶体管可以安全工作。()19.晶体管的电流放大系数越大，晶体管的电流控制能力越强。因此，晶体管的值越大越好。()20.场效应晶体管和晶体管是电流控制元件。()21.二极管电

4、压-电流曲线描述了电流和时间之间的关系。()22.当二极管两端的电压恒定时，流经二极管的反向电流将随着环境温度的变化而变化。()23.当基极开路，集电极和发射极之间加上一定电压时的集电极电流称为晶体管的穿透电流。()24.一般来说，晶体管的交流电流放大系数随着温度的变化而变化。随着温度升高，增加。()25.齐纳二极管的动态电阻是指稳压管的稳定电压与额定工作电流的比值。()26.晶体管的DC输入电阻和交流输入电阻与工作点有关。IB越小，输入电阻越小。()27.晶体管集电极-发射极击穿电压BUCEO的值与工作温度有关，温度越高，BUCEO越大。()28.晶体管的DC输入电阻和交流输入电阻与工作温度

5、有关。随着温度上升，RBE和rbe下降。()第二，选择题1.如果二极管的正向和反向电阻非常大，则二极管()。A.正常b .故障c .内部开路2.当晶体管的两个PN结正向偏置时，晶体管处于()。A.饱和状态b .放大状态c .截止状态3.当晶体管的发射极结正向偏置而集电极结反向偏置时，晶体管处于()。A.饱和状态b .放大状态c .截止状态4.如果每个电极的接地电位为4。NPN硅晶体管为UC=9V，UB=0.7V，UE=0V，晶体管的工作状态为()A.饱和正常放大截止5.当环境温度升高时，二极管的反向电流将为()。A.增减保持不变6.在二极管特性的正向传导区，二极管相当于()。A.大电阻接通开关

6、断开开关7.用DC电压表测量NPN晶体管电路。晶体管各电极对地电位为UB=4.7V，UC=4.3V，UE=4V，则晶体管的工作状态为()。A.饱和状态b .放大状态c .截止状态8.点接触二极管更适合()A.大功率整流小信号检测大电流开关9.用万用表欧姆档测量小功率二极管的性能时，将欧姆档拉至()。A.r100 或R xl k块B. R1 块C.r10k齿轮10.如果半导体中自由电子和空穴的数量相等，这种半导体称为()半导体。A.n型B. p型c .固有11.n型半导体()，p型半导体()。A.带正电荷的b带负电荷的c中性12.将反向偏置电压加到PN结上，参与导电的是()。A.多数承运人b .

7、少数承运人c .多数承运人和少数承运人都有13.()发生在晶体管饱和时。A.集成电路随IB B而变化。集成电路不随IB C而变化。集成电路随Ube D而变化。集成电路随而变化14.8V和7.5V两个稳压管以不同方式串联，最大可用稳压值为()。A.二b .三c .四d .五15.场效应晶体管之间的电阻大于晶体管之间的电阻。A.大b .小c .差不多16.场效应晶体管通过改变()来控制漏极电流。A.栅极电流栅极源极电压源极电压源极电流17.在下列半导体材料中，具有突出的热敏性(传导率受温度影响最大)的材料是()。A.本征半导体18.掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。A.温度、杂质浓度、本征半

8、导体的纯度19.如果p型半导体中的空穴比自由电子多，则p型半导体的电学性质是()。A.正电，负电，中性电20.反向电压下的PN结，pn结的宽度(或空间电荷面积)将为()。A.窄b .加宽c .不变21.使晶体管具有放大效应的外部条件是()。A.发射极结正向偏置。发射极结反向偏置。集电极结正向偏置22.使用晶体管时，不能超过以下哪一个额定值？()A.电流放大系数 B .反向饱和电流ICBO C .反向击穿电压buceo D .耗散功率PCM第三，填空1.半导体根据其导电类型分为()型半导体和()型半导体。2.n型半导体主要依靠()导电，而P型半导体主要依靠()导电。3.根据使用的材料，二极管可分

9、为()和()，根据PN结的结构特征，二极管可分为()和()。4.4的正向连接。PN结是指P型区域连接到电源的()极，而N型区域连接到电源的()极。5.P型半导体中的多数载流子是()，少数载流子是()。6.N型半导体中的多数载流子是()，少数载流子是()。7.晶体管的三个电极分别称为()和()，分别用字母()和()表示。8.根据晶体管的输出特性，它可以分为三个区域： ()、()和()。9.晶体管是由两个PN结组成的半导体器件，其中一个叫做()另一个叫做()。10.具有电流放大功能的晶体管的内部条件是：()区域的多数载流子浓度高；()结面积大；()面积尽可能薄；()接点正向偏置；()结反向偏置。1

10、1.晶体管电流放大的外部条件是：(1)结正向偏置；()结反向偏置。12.晶体管的电流放大功能是通过改变()电流来控制()电流。它的本质是通过电流来控制电流。13.硅晶体管的饱和压降为()，锗晶体管的饱和压降为()。14.硅晶体管发射极结的导通电压约为()，锗晶体管发射极结的导通电压约为()。15.当晶体管饱和时，其发射极结必须增加()电压，集电极结必须增加()电压或()电压。16.当晶体管的UCE一定时，基极和发射极之间的电压UBE与基极电流IB之间的关系曲线称为()曲线；当基极电流IB恒定时，集电极和发射极之间的电压UCE与集电极电流IC之间的关系曲线称为()曲线。17.晶体管的穿透电流IC

11、EO随着温度的升高而增加。由于硅晶体管的穿透电流优于锗晶体管()，所以硅晶体管的()优于锗晶体管。18.当晶体管用作放大元件时，要求它工作在()状态，而当它用作开关元件时，要求它工作在()状态和()状态。19.PN结中的内部电场将阻止多数载流子的运动。促进少数民族承运人的()运动。20.NPN晶体管的发射极区是()型半导体，集电极区是()型半导体，基极区是()型半导体。21.有一个晶体管继电器电路，它的晶体管集电极与继电器的吸引线圈串联，继电器的动作电流为6mA。如果晶体管的电流放大系数=50，晶体管的基极电流应该至少为()才能启动继电器。22.点接触二极管可以用于()和()，因为它的结电容。

12、表面接触二极管可以用在()中，因为它的接触面积大。23.晶体管的输入特性曲线与二极管的相似。晶体管输入特性的重要参数是交流输入电阻，它是()和()的比值。24.当()为常数时，晶体管的输出特性是指()和()之间的函数关系。25.二极管的DC电阻(即静态电阻)定义为()。如果工作点向上移动，DC电阻值将为()。26.二极管的结电容由两部分组成： (电容)和(电容)，一般以(电容)为主。27.晶体管穿透电流ICEO是基极开路时从()流向()的电流。它是由-(-)随着温度的升高而产生的。28.当基极开路时，晶体管的集电极-发射极击穿电压BUCEO指的是()的允许电压值。BUCEO随温度升高而增加()

13、。29.半导体中的总电流是()和()的代数和。30.在半导体中，自由电子携带电，空穴携带电。31.理想二极管正向导通时，其电压降为()v；反向关断时，其电流为() a。32.使晶体管处于放大状态的偏置条件是：(1)结正向偏置，(2)结反向偏置。33.场效应晶体管分为两类： ()和()。34.场效应晶体管的三个引脚分别称为()和()。它的输入电阻()是晶体管无可比拟的特性。35.场效应晶体管中的载流子只能是电子或空穴中的一种。NMOS管的载流子是()，而PMOS管的载流子是()。第四，计算问题1.如图所示，让二极管的直流电压降至0.5V，分别计算出UA为15V、-5v和0V时的UB值。2.当二极

14、管的直流电压为1V时，电流为40mA。二极管的DC内阻是多少？如果我们知道当直流电压变化为0.8V时，电流变化为20mA，那么二极管的交流内阻是多少？3.在图中所示的电路中，当UA=10V，UB=0V时，试着找出输出端电压UF和通过每个元件的电流。(让二极管的正向电阻为零，反向电阻为无穷大)4.在图中所示的电路中，V1、V2和V3都是理想的二极管。A和B两端的等效电阻和RAB应该是多少？5.当有人测量3DG6晶体管工作时电极之间的DC电压时，他们处于以下三种情况，并试图分别区分晶体管在什么状态下工作。(1) UBE=0.7V，UBC=0.4V，UCE=0.3V；(2) UBE=0.7V，UBC

15、=-6V，UCE=6.7V；(3) UBE=0V，UBC=-12V，UCE=12V。6.在图中所示的电路中，已知伏安=2.3V，V1和V2是硅管，管电压降为0.7V。试着估算一下，伏安等于几伏。UAB等于多少伏特？第五，绘图问题1.在图中所示的电路中，已知ui是振幅为8V的正弦波，并且绘制了uo波形，其中二极管被设置为理想二极管。2.在图中所示的电路中，已知ui是振幅为8V的正弦波，并且绘制了uo波形，其中二极管被设置为理想二极管。3.在图中所示的电路中，当振幅为6V的三角波加到输入端时，试着画出输出电压的波形。4.如图所示，限幅器电路在其输入端加入一个振幅为10V的矩形波，并试图在其输出端画出波形。5.试着画出PN结两侧带电薄层的极性。6.试着画出NPN和PNP晶体管的图形符号，并指出电流方向。单级交流放大器电路首先，对还是错(1)可以说任何放大电路都具有功率放大功能。()(