电子元件的识别与检测二极管、三极管、电容、电阻ppt课件

1、项目工程识别和检查常用的电子元件，塔斯克1正确使用万用表塔斯克2识别电子元件塔斯克3，识别二极管塔斯克4学习晶体管的操作指导。 电路有稳定调节电流、电压的作用，可作为分流器、分压器等使用。 2 )电容器：是电气线路中使用率仅次于电阻器的能够储存电场能量的元件，具有“隔离交流”的能力，通常起到过滤烟嘴、旁路、耦合等作用。 3 )电感器：能够储存磁场能量的元件，具有“通过直流电阻交流”的能力，通常用于过滤、振荡、延迟等电路。 4 )二极管：具有单向式导电特性。 二极管有普通和特殊的区别，可以起到整流、稳定作用、检波、保护、发光等作用。 5 )晶体管：具有电流放大和开关作用。零配件选择、零配件说明书

2、、塔斯克1台星空卫视、500型多星空卫视MF47型多星空卫视数码多星空卫视，请正确使用，一、MF47型指针式多星空卫视结构，主要包括三部分，介绍面板、头部切换开关(也称为选择开关)，测量线、 表标题的表盘上印有各种符号、刻度线和数值。比例尺、MF47型万用表为多用途、多量修订。 该刻度盘共有6个标尺，项目和范围的测量分别从对应的标尺读取数据，直流电阻的测量交流电压的测量直流电流的测量晶体管放大率的测量电容器的测量电感量的测量音频电平的测量、2 .换向开关， 电气切断，直流电流切断晶体管交流电压范围，、3 .测量线，二，指针式万用表的使用，1 .电阻的测量1 )范围：欧姆范围2 )范围：指针尽量

3、指向欧姆范围标度的1/2左右(尽量使指针指向0位置4 ) 连接电阻：分开2根触针，任意连接被测量电阻的两端5 )读取值：电阻值刻度值该范围倍率，2 .交流电压的测量1 )范围：交流电压范围2 )选择范围：不知道电压范围时，先在高范围切换到低范围，关闭指针测量：触针和被测量电路并联连接，无论极性如何5 )读取：根据选择的范围选择适当的刻度，读取被测量电压值，3 .直流电压的测量1 )选择范围：直流电压范围2 )选择范围：不知道电压范围时先从高范围到低范围红笔连接电路高电位端、黑笔连接电路低电位端5 )读取值：根据选择范围选择适当的标尺，读取被测量电压值，4 .直流电流的测量1 )选择范围：直流电

4、流范围2 )选择范围：不知道电流范围时，先在高范围切断低范围读取将指针降到满刻度2的适当刻度4 )测量：切断被测量电路，加入万用表红、黑的时间修正笔，将电流从红笔加入黑笔5 )读取：根据选择的范围选择适当的刻度，读取被测量电流值.5 .晶体管hFE的将选择归零：切换开关其中，PNP管插p座内、NPN管插n座内3 )读取表：在hFE刻度线上读取被测量晶体管hFE的值，塔斯克2学会识别电子部件、一、识别电阻器、电阻器的分类、常用电阻器实物及格拉夫快速象征符1 m 103 k 1 )直座标法：用阿拉伯数字和单位符号将电阻值直接标记在电阻体上2 )文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者的规则组合来表示

5、标称电阻值。 5K1表示5.1K，51表示5.1，4 m 7表示4.7M 3)数字法：用2位或3位的阿拉伯数字表示电阻值。 前面的数字表示有效数字，最后的数字表示零的个数。 三位数，“103”表示10000。 4 )颜色补片法：电阻器的种类和主要技术参数的数值用颜色(色环或色点)表示，可以分为2位、3位的有效数字的电阻值颜色补片法，2位的有效数字的电阻值颜色补片法，棕红1、2、橙为3 4、5黄绿，6为蓝7紫黑圈是0蛋金银代表负1、2，颜色的数字都要记住。 常用电阻的4个环、环用哪个头从哪里进行修正，1、2环是有效数，3环的倍是关键，4环表示误差数，一般不用管。，三位数的有效数字的电阻值的颜色区

6、分法，精密电阻有五环，前三环是有效数，倍乘误差是四五环，使用方便。 例如1 .四环电阻色环顺序：褐色黑金电阻值10，误差5% 2.五环电阻，色环顺序：灰色红黑金电阻值820，误差5%，2.电阻器的额定功率，电阻器的长期连续工作和常用单位为微法(f )、微微法(PF )。 1F106F1012PF 1)直坐标法2 )数字显示法3 )数字字母法4 )数字法5 )颜色区分法、例1直坐标法、耐压电容极性负极显示电容220 F、耐压50V的电解电容器电容： 6800pF耐压： 1500V显示电容6800pF耐压1500V圆板瓷介电质电容器聚酯胶片电容器耐压： 400V电容： 33X104F误差： j为5

7、显示电容33X104F误差5耐压400V聚酯胶片电容器耐压为“2A”1.0102=100V电容为“104”10104pF误差为“j”5聚酯胶片电容器，多酯类化合物电容器耐压的表述为数字数字代表10的幂指数，字符代表数值，单位为v (伏特)。 字母=数值a=1.0b=1. 25 c=1.6d=2.0e=2.5f=3. 15 g=4.0h=5.0j=6.3k=8.0z=9. 0示例：2A代表1.0*1示例3数字表示法、CL聚酯胶片电容器、电容47n=47 103pF误差J 5耐压电感器的实物及图形符号、电感器的单位及符号、电感器用l表示、单位为亨利、符号常用单位为毫亨(mH )、微亨(h )、换算

8、关系：1H103mH=106H。塔斯克3识别二极管、一、常用二极管实物和格拉夫二极管象征符、常用二极管实物展示、二极管格拉夫二极管象征符：文字象征符： VD、箭头方向表示二极管顺序导通时电流的方向、实物外形正负电极的识别是什么？ 什么？ 1 .正偏压灯泡点亮时，接近电源阳极的是二极管阳极，接近电源阴极的是二极管阴极，据说对二极管施加了正偏压(简称为正偏压)。 此时，二极管的正向电阻小得就像开关闭合一样。 2 .逆偏压指示灯未点亮时，说明二极管两端施加了逆电压，称为逆偏压(简称为逆偏压)。 此时的反向电阻很大，二极管的开关好像断了。 结论是，二极管是具有极性的反老虎钳，通过施加单向式导电性即顺向

9、电压使其导通，通过施加反向电压使其截止。 什么？ 什么？三、二极管的构造和分类，1 .二极管的构造二极管是由半导体材料制成的，其核心是PN结电容。 PN结电容具有单向式导电性，这也是二极管的主要特性。 这是由芯(主要是PN结电容)的正、负极(从p区域和n区域分别焊接两根金属引线)构成，由外壳构成。 半导体材料制，奥妙之处！ 亚麻跌！ 亚麻跌！ PN结电容为什么具有单向式导电性？ 识别半导体，(1)定义半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间的情况称为半导体。 一般是4价的元素体，化学构造比较坚固，所以非常纯粹的半导体，即本征半导体的导电能力差。 但是，半导体的导电能力随着杂质的导入、温度和光的照射

10、而发生很大变化，具有渡越大头针性、光敏性、热敏性等导电性。 电子技术中常用的半导体材料是硅和锗，载体：能够携带电荷的粒子称为载体。 半导体中的载流子具有自由电子：带负电荷的空穴：与自由电子等量的负电荷。 特性：载流子瓦斯气体在外部电场的作用下取向移动，可以形成电流。 但是，在本征半导体中，直线的截距少，导电性能差，为了提高导电性能，需要掺杂形成非本征半导体。 (2)非本征半导体和分类定义：掺杂的半导体为非本征半导体； 分类：根据导入杂质的种类，分为p型半导体和n型半导体。 1)P型半导体：在本征半导体硅(或锗)中掺杂微量的3价元素体，就形成p型半导体(正孔型半导体)。 其内部有两种电荷的粒子，

11、即载流子，其中载流子为多数载流子(简称多子)，自由电子为少数载流子(简称少子)。 2)N型半导体：在本征半导体硅(或锗)中掺杂微量的五价元素体，就形成了n型半导体(或电子型半导体)。 其中自由电子为多数载流子(简称多子)，空穴为少数载流子(简称少子)。 (3)PN结电容：1)定义：利用特殊的掺杂大头针工艺，在一片晶片的两侧分别生成n型和p型半导体，在两者的边界出现特殊的接触面，被称为PN结电容，制作PN结电容的形成示意图，需要注意。 从n区向p区，2 )在PN结电容的特性PN结电容上施加顺向电压，即p区相接电源阳极、n区相接电源阴极时，由施加电压产生的外部电场与PN结电容的内部电场反向，内部电

12、场减弱，形成大的扩散电流，即顺向电流。 此时，PN结电容的正向电阻低，处于正向导通状态。 如果在PN结电容上连接反向电压，即在n区连接电源阳极，在p区连接电源阴极，则外部电场和内部电场的方向一致，内部电场增强，PN结电容的反向电阻增大，变为反向截止状态。 所以PN结电容具有单向式导电性。2 .分类、硅管锗管塑料玻璃金属封装点接触型面接触型平面型、封装形式、材料、二极管结构、适合在小电流状态下使用、3 .二极管的主要残奥仪表，1是在使用二极管的情况下，流过二极管的正向电流取这个值有二极管损坏的危险。 2最高反向工作电压URM是指正常使用二极管时可施加的最高反向电压。 如果在使用中超过该值，则二极

13、管有可能被破坏。分析二极管的单向式导电特性，1定义：描述二极管两端的电压和流过电流的关系的曲线称为二极管的伏安图特性。 二极管的伏安图特性曲线、(1)正向特性(纵轴右侧):表示对二极管施加顺向电压时，其电压与流过二极管的电流的关系。 正向特性分为两个区域：1)死区(OA段) :顺向电压小时，正向电流极小，二极管显示大电阻，通常将该范围称为死区。 死区电压2 )正向导通区域(AB段):当顺向电压超过死区电压时，二极管的正向电阻减小，正向电流迅速增大，二极管正向导通。 正向导通后，二极管的管电压降小。 管电压降、0.5V(Si )、0.2V(Ge )、0.60.7V(Si )、0.20.3V(Ge

14、 )、(2)。反向特性也分为两个区域：1)反向切断区域(OC段):反向电压在一定值范围内时，二极管的反向电阻大此时的反向电流称为反饱和电流。 在实际使用中，逆饱和电流值越小，二极管的单向式导电性越好。 2 )反向破坏区域(CD段):反向电压增加到一定值时(图118中的c点)，反向电流急剧增大，这种现象称为反向破坏。 与c点对应的电压称为逆耐压UBR。 因为破坏后流过电流管破损，所以齐纳二极管以外的通常的二极管不允许逆破坏现象。 结论二极管的内阻不是常数，而是非线性解老虎钳。 学习塔斯克4晶体管，认识晶体管的外形，分类和符号，常见的各种晶体管，晶体管的分类，小功率管(耗散功率在1W以下)大功率管(耗散功率在1W以上)放大管开关管理次低频管(工作频率在3MH以下)按射频波管理用途，按工作频率，结构过程按内部基本构造、芯片中使用的半导体材料、内部构造及格拉夫快速象征符、PNP晶体管、NPN晶体管、二、晶体管的电流放大作用、观察电路图的晶体管各极电流2 .实验数据解析1 )晶体管各极电流分配关系，IE=IB IC 2 ) IE ICIB .2)IE ICIB 3)IB的微小变化引起IC的大