电工电子技术第11章资料.ppt

1、曾令琴2004年12月编制了随机访问存储器RAM程序设计师逻辑数据老虎钳、内存、主要讲课内容、第二篇、第11章内存、11.2程序设计师逻辑数据老虎钳、11.1随机访问存储器(RAM )、第二篇、内存学习要点， 了解随机访问存储器RAM的可程序设计师逻辑解码器老虎钳的结构、原理及计程仪编程方式，包括第二篇、存储能源宝、读写支重轮、行地址查询密码解码器、列地址解码器、2n、RAM电路构成分块图、n地址码， RAM电路为一个，11.1随机访问存储器RAM、1功能和结构、第2页、RAM的各暂存器都有被称为地址的编号。 每次读写信息时，只能在指定地址的暂存器之间进行检索和存储。 这个过程称为网站数据库存

2、储器。 网站数据库地址是机器识别型的二进制数字，在将信号查询密码到地址解码器后，从相应的输出线提供信号，控制所选择的暂存器和存储器的I/O端子，从而进行读取/写入动作。 地址解码器、第2页、读写控制支重轮、第2页、I/O控制、第2页、片选信号控制、第2页、存储能源宝、RAM中的存储单元以能源宝状排列，因此也称为存储能源宝。 地址解码器的输出控制存储器能源宝和I/O端子的连接，选择的单元全部导通，未选择的单元关闭。 存储器的容量由地址查询密码的二进制位数n和字长度的二进制位数m决定，在地址查询密码的二进制位数为n、字长度的二进制位数为m的情况下，存储器包含2nm个存储单元。 它的容量是2纳米。

3、2101024字通常称为1K字节。 为方便起见，存储器的容量通常以数k字长显示。 第2页、2. RAM的存储单元电路、存储单元是RAM的核心部分。 根据功能分为静态和动态两种，根据使用的零配件类型分为双极型和单极型两种。 双极存储单元速度快，单极存储单元电功耗低，容量大。 在要求存取速度快的情况下，经常使用双极型RAM电路，而在对速度的要求不高的情况下，经常使用单极型存储器。 以单极型存储器为例，介绍RAM的工作原理。 控制电路、Xi、静态RAM存储单元、第2页、图中的T1和T2、T3和T4分别构成2个反相器。 作为两个反相器交叉耦合而构成基本的触发器并存储信号的手段，在q的情况下为“1”状态

4、，在Q0的情况下为“0”状态。 T5和T6是男同性恋控制器特罗尔，其导通和截止都由行选择线控制。 6管静态存储单元、CMOS、第2页、第2页、1个MOS管和1个电容器，如左图所示，可以构成最简单的动态存储器单元电路。 动态存储器单元电路用电容器c中累积的电压表示数据的状态，t用作开关。 如果没有选择存储单元，则字选择线将在低电平0、t截止、c和数据线之间分离。 在存储单元被选择时，字选择线为高电平1时，t导通，可对存储单元进行读/写动作。 写入时，发送给数据线的二进制信号经由t保存在c中读出时，c的电平通过数据线读出，被读出的数据放大后发送给输出端。 由于c和数据线的分布电容C0与云同步并联，

5、因此c释放电荷的一部分。 为了保持原来的信息，把放大的数据转移到云同步上，改写c (称为刷新)。 对于没有长时间读/写动作的存储单元，由于c缓慢放电，因此存储器必须定时更新所有的存储单元，这是动态存储器的特征。 第2页、3. RAM的容量扩展、位扩展方式，1张RAM的字数一盏茶，每1字数的二进制位数脚丫子不出来时，可通过位扩展连接方式解决。 关于该数据二进制位的扩展方法，将各RAM的地址查询密码并联连接即可。 第二页、第二页的字扩展方式，在每一张RAM的数据二进制位是一盏茶，但是字数不脚丫子的情况下，能够通过字扩展连接方式(或称为地址扩展方式)来解决。为了增加记忆数据的数量，需要增加地址查询密

6、码的二进制位数。 例如，1K8扩展为4K8，地址查询密码从10二进制位改变为12二进制位，并且在通常12二进制位的地址中的最低10个二进制位之后，在每个存储器的原始地址端子之后，最高2个二进制位经由2线4线解码器以及第二页的字、二进制位扩展为云同步分析：2114有10条地址线，4条二进制位线8K8二进制位需要13条地址线，8条二进制位线，结论：38解码器扩展的3个地址输入端子将连接到8K4二进制位的8K4二进制位用2片连接到8K8二进制位。第2页、8K4二进制位、第2页、验证学习结果，进行大量练习，第2页、11.2程序设计师逻辑去老虎钳，正常工作时即使ROM无法读写的电源关闭，ROM内的信息也

7、不会丢失，1 .只读存储器(ROM )的基本概念、PROM特征：阵列固定或阵列可程序设计师、只读存储器分为写入方式：固定ROM :在制造存储器信息时存储，关闭后不能变更的可程序设计师PROM、可擦除EPROM、电可改写程序设计师EEPROM、第2页、 2 .可程序设计师逻辑解老虎钳的存储单元、早期制造的PROM可程序设计师逻辑解老虎钳的存储单元，由于根据其内部的熔丝是否烧断来写入数据，所以只能写入一次，其应用有很大的限制。 现在使用的PROM可多次写入的存储单元，以在MOS管理中加入浮动男同性恋的方法而实现。 左图是浮动男同性恋PMOS管的结构图，浮动男同性恋被绝缘的二氧化硅包围。 写入时，在

8、漏极和基板之间施加一盏茶高的逆脉冲电压(30V45V )，破坏PN结电容，雪崩破坏所产生的高能源电子贯通二氧化硅绝缘层进入浮动男同性恋。 当脉冲电压消失时，浮动男同性恋中的电子在没有放电电路的情况下残留。 带电荷的浮动男同性恋使浮动男同性恋MOS管的源极漏极间导通，字线选择该存储单元时，二进制位线成为低电平，浮置男同性恋没有电荷，浮置男同性恋MOS管截止，二进制位线成为高电平。 另外，在第2页，用户需要改写存储单元的内容的情况下，首先若对灰水晶盖下的集成芯片的FAMOS管照射紫外线灯管，则通过光注入到浮动男同性恋的电荷成为光电流泄漏，EPROM恢复到原来的状态。 为了消除利用光线写入的内容需要

9、花费时间(30分钟以上)，缩短消除时间，现在一般使用电消除方式。 在这种类型的存储单元中，具有外部引线的男同性恋端口g-2被进一步添加到n信道浮动男同性恋MOS管理的浮动男同性恋而被称作栈内存男同性恋MOS管理。 在向浮动男同性恋G1注入了高能源电子之后，若对G2施加正常的工作电压，则在不能导通栈内存男同性恋MOS管的浮动男同性恋G1中注入了高能源电子时，通过对G2施加通常的工作电压，能够导通栈内存tmos管。第2页、第3页.可程序设计师逻辑解老虎钳是程序设计师逻辑解老虎钳的基本结构为阵列和阵列，因为通过计程仪编程，掩蔽计程仪编程、场计程仪编程或者任何逻辑函数都能够分成阵列和阵列。第二页、(1

10、)可编程逻辑阵列(PLA )、特征：阵列可程序设计师或阵列程序设计师中，由于程序设计师可逻辑解老虎钳内部的零配件数较多，为了简化原理构成图，用上述符号表示连接关系。 另外，逻辑关系运算编码、第二页、G3=B3G2=B3 B2B 2g1=B2B1b1g0=b1b0b1b 0，例如是将PLA中实现的4二进制位的二进制数字转换成Gray码的电路。 特点：和阵列均可编程计程仪。 PLA中的阵列和预计程仪编程生成所需的所有项目PLA中的或阵列被编程为完成与对应项之间的或运算，并生成输出。 这大大提高了芯片面积的有效利用率。 第二页(2)可程序设计师阵列逻辑(PAL )特性：与阵列程序设计师或阵列固定相比，不仅减少了相同数量的PLA的计程仪规划数量(或阵列固定)，而且简化了计程仪规划工作(仅阵列计程仪规划，为单个工作) 这样，在鼎力相助设定补正系统的开发上更