第一章 常用半导体器件.ppt_第1页
第一章 常用半导体器件.ppt_第2页
第一章 常用半导体器件.ppt_第3页
第一章 常用半导体器件.ppt_第4页
第一章 常用半导体器件.ppt_第5页
已阅读5页,还剩46页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

1、第一章一般是半导体部件,第一节PN结和单向导电第二节半导体二极管第三节特殊二极管第四节电晶体第五节场效应电晶体,湿剂,目录,第一节PN结和单向导电,半导体的导电特性PN结,返回,1,半导体的导电特性,1。半导体材料,物质是导体半导体是四价元素。半导体材料的特点:半导体的导电性受光和热的影响。t导电照明导电性在纯半导体中掺入杂质,导电性大大提高。返回,4,3本晶半导体中的载流子自由电子()空穴()本正半导体,空穴和电子成对出现,可以复合。、*移动孔、返回、3。杂质半导体P型半导体混合钚等三价元素,空穴多于自由电子,空穴是多子的。返回,N型半导体,磷原子,硅原子,硅或锗少量磷N型半导体,额外的电子

2、,返回,P型半导体,硼原子,硅原子,硅或锗少量硼P型半导体,额外的孔,在返回电场作用下,流子的方向运动称为漂移运动,1 .PN结的形成,2,PN结,扩散运动,空间电荷区域,内部电场减弱,漂移运动,内部电场,动态平衡,PN接头的单向导电、P、(威廉莎士比亚,温斯顿,外电场,外电场,内电场,内电场),n,)正向特性死区电压硅管0.5V锗管0.1V正向传导电压硅管0.7V锗管0.3V,2。反向特性反向饱和电流较小,可以视为开放。逆电压太高,电流激增,二极管穿孔。VD,返回,O,2,半导体二极管的主要参数,1。最大整流电流中频二极管可以通过的最大正向平均电流。2.最大反向工作电压URM是允许二极管不穿孔的最大反向电压。3.最大反转饱和电流IR室温下二极管加最大反转电压的反电流与温度有关。返回,示例1,图,E5V,I5mA,E=10V,I () a.i10ma b.i 10ma c.i

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论