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文档简介

1、第九，第五章了解教学要求、重点和难点、1、增强型场效应晶体管(FET )的结构和工作原理，掌握其外特性，在实际应用中正确选择FET的残奥仪表2 .掌握FET基本放大电路的静态工作点的设定，掌握公共源和公共漏基本放大电路的等效电路分析法3 .掌握FET和BJT放大电路重点： FET的外特性、静态工作点的设置、公共源极和公共漏极放大电路的基本分析方法、FET基本放大电路的特征及其应用。 难点：绝缘男同性恋型场效应管的工作原理、频率响应。 了解本次教学要求，1，结型场效应管(JFET )的结构和工作原理2 .了解绝缘男同性恋型增强型场效应晶体管(IGFET )的结构和工作原理3 .掌握fet的外部特

2、性和残奥仪表，在实用上正确选择fet.了解fet和BJT各自的特征。第五章增强型场效应晶体管及其放大电路、5.1增强型场效应晶体管(FET )、5.2增强型场效应晶体管基本放大电路、5.1增强型场效应晶体管(FET )、5.1.1结型场效应晶体管、5.1.2绝缘男同性恋模型增强型场效应晶体管的特点： (1)用电(电)压效应控制电流的单极器件。 (2)输入阻抗高(1091015 )。 (3)噪声低(男同性恋流约为0 )。 增强型场效应晶体管的分类、5.1.1结型场效应晶体管(JFET )、构造和符号、增强型场效应晶体管有源(s )、男同性恋(g )、漏(d ) 3个极。导电通道、源极、男同性恋、漏极、符号、结构图像、n通道、p通道、JFET结构演示、1、结型场效应晶体管工作原理、(1)男同性恋源极电压对导电通道的影响、通道最宽为什么要向g-s施加负电压？UGS(off )、1、结型场效应晶体管的工作原理(续)、(2)漏极源极电压对导电沟道的影响、uGSUGS(off )没有变化，VDD增大，iD增大。预大头针关断、uGDUGS(off )、VDD的增大几乎都用于克服通道的电阻，iD几乎没有变化，进入恒流区域，iD几乎是u

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