Array 工艺技术基础.ppt

1、Array 工艺技术简介,Array工艺构成,Thin-Film - EQP,-L/UL Chamber：在ATM和Vacuum两个状态之间传送Glass的Chamber,-Transfer Chamber：把玻璃基板在各个周边的Chamber之间进行传送的Chamber，内有一个Vacuum Robot。,-Sputter Chamber：进行Deposition的Chamber。,Sputter Chamber的主要构成有： -Platen：用来放玻璃基板（Gate 有2个,SD、ITO为1个） -Cathode： 包括Target 、Shield 、Magnet Bar等构成部分 -Mo

2、tor: 有Plate转动的Motor 、Plate 升降的Cylinder、Cathode开关的Motor 、 Magnetic Bar运动的Motor等。,Sputter-SP Chamber,System Components,Automated cassette load station ACLS (optional),The system hardware consists of three major components:,Mainframe,Remote modules,Remote Support Equipment,Heat Exchanger The heat excha

3、nger provides DI water to the RF match for cooling purposes Process Pumps Provides vacuum to the process chambers RF generator The RF generator supplies Radio Frequency to the process chamber for the purpose of creating a plasma Mainframe Pump Provides vacuum to the transfer and loadlock chambers. R

4、emote AC Power Box Facility power is connected from customer facilities to the remote AC power box on the remote service module All electrical power to the system is distributed from the AC power box,Deposition - PECVD,Process chamber,Deposition - PECVD,ACLS Automatic Cassette Load Station,Load lock

5、 Chamber,Transfer Chamber (X-Fer),Process Chamber,PECVD 所做各层膜概要,SiNX绝缘膜：通过SiH4与NH3混合气体作为反应气体, 生成等离子体在衬底上成膜。,a-Si:H有源层膜：SiH4气体在反应室中，经过一系列初级、次级反应，生成包括离子、子活性基 团等较复杂的反应产物，最终生成a-Si:H薄膜沉积在衬底上，其中直接参与薄膜生长的主要是一些中性产物SiHn（n为03）,n+ a-Si:H欧姆接触层：在SiH4气体中参入少量PH3气体在衬底上成膜。,PECVD 绝缘膜、有源膜成膜机理,a-Si:H： 低隙态密度、深能级杂质少、高迁移率

6、、暗态电阻率高,(2) a-SiNx:H：i.作为介质层和绝缘层，介电常数适中，耐压能力强，电阻率高，固定电荷少，稳定性好，含富氮材料，针孔少，厚度均匀。 ii.作为钝化层，密度较高，针孔少。,(3) n+ a-Si：具有较高的电导率，较低的电导激活能，较高的参杂效率，形成微晶薄膜。,-成膜机理,-膜性能要求,Etch,Etch Rate,Requirement Items,Selectivity,Profile,CD Bias,Requirement Items of Wet Etch,CD BIAS | DICD FICD | 说明：1、CD： Critical Dimension DIC

7、D： Development Inspection CD，PR间距离（有PR） FICD： Final Inspection CD，刻蚀完后，无PR。 OL: 各mask之间对位的偏差。 2、干法刻蚀主要以垂直方式刻蚀，CD BIAS较小； 湿法刻蚀水平方向的刻蚀多于干法刻蚀，CD BIAS较大,CD,CD机（critical dimension）主要测试mask后各种CD（包括DICD和FICD）和OL。,CD,Etch Process,Isotropic , 胺类（MEA）打破PR与Resin的Cross-Link结合, 酮类NMP (Normal Methyl 2-Pyrrolidone : C5H9NO) Solubility将分掉的Acid溶解;, 表面活化剂(Surfactant) 促进PR在Chemical中溶解.,目的：通过改变a-Si的晶格结构和减弱消