模拟电子技术课件1.ppt

1、模拟电子技术，教材：模拟电子技术基础(4板块，华城0)参考书：1。电子线(线性部分)(4板块，舍加圭)2。电子电路(2板块，张凤言)3。Electron主要内容：第0章介绍第1章公用半导体部件第2章基本放大电路第3章多级放大电路第4章集成运算放大电路第5章扩展电路的频率响应第6章放大电路的反馈第7章集成运算应用第8章直流电源供应设备，第0章介绍，模拟信号：时间和数值都具有连续性。数字信号：时间和数字都有离散性。1，反映传记信号、郑智薰传记信号传感器传记信号、信号：温度、压力、流量等消息的物理量。传记信号：随时间变化的电压或电流。传输和控制容易，应用广泛。第0章介绍，2，电子资讯系统，模拟电路：

2、处理模拟信号的电路。数字电路：处理模拟信号的电路。牢牢把握三个茄子基本知识(基本概念、基本电路、基本分析方法)。逐步树立工程观点。引入CAA、CAD技术，使用pspice分析电子电路。加强实验课外扩展学习，1)基本内容处理原则：3，学习的基本方法，2)注意事项：第0章介绍，第1章公用半导体装置，主要内容：1-1半导体基本知识1-2半导体二极管1-3双极电晶体1-4场效应管，半导体导电性介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。大多数半导体零件使用的主要材料是硅(Si)和锗(Ge)。2 .结构，原子结构，1-1半导体基础，晶体结构，以原子规则阵列结合共价键，1-1半导体基础，3，1-1半导体基础，1

3、-1半导体基础，2)电流子，电场作用自由电子方向运动形成电子电流，电场N型半导体在本晶半导体中混合少量的五价元素原子，称为电子半导体或N型半导体。大多数载体：电子小数载体：孔np，1-1半导体基础知识，2 .P型半导体中混合了少量的三价元素原子(称为孔半导体或P型半导体)。大部分载体：孔小数载体：电子pn，1-1半导体基本原理，3，PN结使P型半导体和N型半导体形成同硅，在折叠面形成PN结。1 .PN结的形成，漂移运动：在电场作用下的载流子的定向运动。扩散运动：由浓度差异引起的不平衡流者的运动。，1-1半导体基本原理，多边扩散形成空间电荷区，内部电场元件漂移，1-1半导体基本原理，2)PN结加

4、上逆电压，处于闭合状态，外部电场与内部电场方向一致，空间电荷区变宽。电路中形成了基于器件漂移的反向流。由于元件数量少，反向电流很少。结论：结具有单向导电，即正向，反偏转。1-1半导体基础知识，34 .PN接合的电流方程式，因此： uT=kT/q等于温度电压，T=300K，uT=26mV，1-1半导体基础知识，4击穿特性3360珍娜击穿，雪崩击穿，1-1半导体基础知识，1-1半导体基础知识PN接头的容量效果，1)。挡墙容量(Cb)，1-1半导体基础知识，2)。扩散容量(CD)，CJ 1-2半导体二极管，2，二极管的伏安特性，1。二极管和PN接头电压特性的差异，开电压Uon，2。温度对二极管电压特

5、性的影响，1-2半导体二极管，3，二极管的主要参数，1。最大整流电流IF，2，1-2半导体二极管，示例2(P17)，1-2半导体二极管，2。是否绘制二极管的微可变等效电路、1-2半导体二极管、示例3(P18)牙齿uR的波形？问题：V=0时UR的波形？1-2半导体二极管，5，稳定压力管是特殊的面接触型半导体硅二极管。1 .稳定压力管的伏安特性，1-2半导体二极管，2。稳定压力管的主要参数，1)。稳定电压Uz，2)。稳定电流Iz，3)。额定功率PZM，4)。动态电阻rz，5，1-3双极电晶体，1，晶体管的结构和类型，晶体管的结构图表，晶体管的符号，配置：3区，3极，2接头，1-3双极电晶体，2，晶

6、体管的电流放大，1-3双极电晶体扩散运动是发射极IE=IEN IEP=ICN IBN IC=ICN ICBO IB=另外：IE=IC IB，1-3阳极型电晶体，3，晶体管的工程电流放大系数，1)定义：工程直流电流放大系数，2)定义：工程交流电流放大系数，轻松证明：1晶体管的工程特性曲线，1 .输入特性曲线，1-3双极电晶体，3，晶体管的施工特性曲线，1。输出特性曲线，1-3双极电晶体，1 .输出特性曲线，1)。截止区域，2) 3)极间反向电流，集电极反向截止电流ICBO，集电极反向截止电流ICEO，2。AC参数，1)工程AC电流放大系数，2)空气AC电流放大系数，3)特性频率fF，1-3双极电晶体，3集电极反向击穿电压UCBO，集电极反向击穿电压UCEO，欺诈极反向击穿电压UEBO，1-3双极型温度对ICBO的影响：每次温度升高，100C，ICBO增加约两倍。2 .温度对输入特性的影响，3 .温度对输出特性的影响，1-4场