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文档简介

1、第7章内存储器及其管理,7.1 存储器概述 7.2 半导体存储器 7.3 半导体存储器在微机系统中的应用 7.4 PC微机的存储器,7.1.2 存储器的性能指标,7.2 半导体存储器,另外,还有一些新型半导体存储器: 闪速EEPROM:FLASH-ROM比ROM的读写速度快,且掉电后信息不丢失 非易失性RAM:NVRAM,SRAM与EEPROM的共同体,新型闪存,1.8V,3.0V,7.2.1 可读写存储器RAM,常用静态RAM芯片: 2114、6116、6264、62128、62256,例1: 6116: 存储容量 2K8位,工作方式:,1、静态RAM(SRAM),图7.2 6116芯片引脚

2、图,例2: 62系列:存储容量 8K8位32 K8位,2、动态RAM(DRAM) 动态RAM的基本存储单元是单管动态存储电路。其引脚图见图7.3。,7.3 动态RAM 4164外部引脚,数据输入,数据输出,空脚,写信号,行选通信号,列选通信号,7.2.2 只读存储器ROM,1、掩膜式ROM : 厂家进行一次性编程,不能改写。 掩膜式ROM有如下特点: 存储的内容一经写入便不能修改,灵活性差; 存储内容固定不变,可靠性高; 少量生产时造价昂贵,因而只适应于定型批量生产。 2、可编程只读存储器PROM(Programmable ROM) 允许用户进行一次性编程,不能改写。 需要使用专用编程器。,4

3、、电可擦除可编程只读存储器E2PROM(Electrically EPROM) 可以在线多次擦除和重写的ROM, 不使用专门编程器 常用芯片: Intel 2817A(2K8)等,3、可擦除可编程只读存储器EPROM(Erasable PROM),可以多次擦除和重写的ROM, 使用专门编程器,常用芯片: Intel 2716(2K8) 、2732A(4K8) 2764(8K8)、27128(16K8) 27256(32K8)、27512 (64K8) 27010 (128K8)、27020 (256K8) ,7.3 半导体存储器在微机系统中的应用,7.3.1 存储器在微机系统中的连接 1、地址

4、线的连接 连接方式:与总线的地址线对应相连。即:A0接A0 、 A1接A1、 、An接An 连接位数:取决于存储器的地址线位数。 剩余地址线的处理:存储器未使用的高位地址线用于片外译码。 2、 数据线的连接 连接方式:与总线的数据线对应相连。即:D0接D0 、 D1接D1、 、Dn接Dn 连接位数:取决于存储器的数据线位数。 说明:存储单元一般为8位数据,若一片存储器不够8位数据,则需要用多片共同构成存储单元;若CPU系统只有8条数据线,则存储器的数据线与其一一对应相接即可。若有16条或32条数据线,则将内存分为两个以上存储体,每个存储体对应一个8位数据线,分别进行寻址。 3、控制线的连接 连

5、接方式:总线的读信号接存储器芯片的读信号;总线的存储器写信号接存储器芯片的写信号;存储器芯片的片选信号接片外译码电路的输出端;电源接总线电源;地接总线地;其他信号个别处理。 说明:不同的存储器,个别引脚可能不同,功能的区别主要体现在控制线上。,7.3.2 存储器的选址,1、线选法 用某一条高位地址线直接作为存储器芯片的片选信号。 特点: 1)对应的存储器寻址空间可能不唯一 2)若有多片存储器均使用线选法选址,则可能出现地址不连续或交叉、重叠、覆盖等现象。,线选法 选址方式: 译码法,图7.7 线选法举例,寻址空间的地址计算如下表所示,2、译码法: 是指通过译码电路或译码器产生存储器的片选信号。

6、,部分译码:存储器本身不使用的高位地址有一部分 参与译码,另一部分不参与译码。 译码法: 完全译码:存储器本身不使用的高位地址线全部参与译码。,图7.8 部分译码举例,未用地址线,存储器本身使用的地址线,参与译码 地址线,各存储器的寻址空间计算,图7.9 完全译码举例,高位地址线全部用上,存储器本身使用的地址线,三片2764的寻址空间如下表所示,7.3.3 存储矩阵和存储模块,在微机系统中,常用存储矩阵和存储模块来组织内存,它是指由若干片存储器通过适当连接构成的一个存储区域。 例如: 动态RAM 4164是64K1的存储芯片,假如用这种芯片构成128K8的存储模块,就需要16片,如下页图7.10所示。,图7.10 存储矩阵和存储模块举例,7.4.1 PC微机存储器空间分布,7.4 PC微机的存储器,7.4.2 PC微机内存类型及管理,1、系统存储器 系统存储器就是最初IBM/XT所使用的1MB地址空间以内的存储器,由常规内存和上位内存区组成。 2、扩展存储器(Extended ,Memory) 扩展存储器指80286以

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