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文档简介
1、电源MOS设备UIS故障和改进，2014.10，主要内容，UIS基本简介，1，2，UIS故障机制，3，4，UIS改进方向，UIS测试原理，UIS简介，UIS简介UISUIS功能是衡量电源设备可靠性的重要指标。UIS失效机理和改进研究一直是电力MOS设备研究的重点。主要内容，UIS基本简介，1，2，UIS失败机制，3，4，UIS改进方向，UIS测试原理，UIS测试电路，a测试设备，b测试电路，UIS测试流程，示例打开状态UIS基本简介，1，2，UIS故障机制，3，4，UIS改进方向，UIS测试原理，电流相关故障能量相关故障：电源耗散引起的设备温度上升达到材料的固有温度。UIS失效机制，在实际应用
2、中，大部分是大电流导致UIS失效。集中在高电流上，使NPN管打开。条件：RB*I0.7V，A开放前电流路径，B开放后电流路径，UIS失效机制，NPN管道打开后特定失效模式实现两个茄子：NPN牙齿打开，三极管放大后电流变大，温度升高，高温再次上升，形成正向反馈，使设备过热失效。NPN牙齿打开，发生二次突破，BVCBO取代BVCBO，零件耐压能力急剧下降，零件更容易穿孔或着火。a理论曲线，b模拟曲线，主要内容，UIS基本简介，1，2，UIS故障机制，3，4，UIS改进方向，UIS测试原理，UIS改进方向，NPN管开口抑制，尽可能地零件RB*I0.7V改进思路：降低P基座和P plus区域电阻RB，以减少通过基础区域的电流。I特定方法：减少电流方法减少电阻、减少电流、最优化想法：减少雪崩时减少基区电阻流动电流。RB*I0.7V核心理念：雪崩时改变电流的流动通道，以防止阻塞电流打开默认区域电阻，NPN牙齿优化结构，从而避免影响设备的其他性能参数。Fig现有结构中断时电流流路径，电阻减少方法，Fig现有结构中断时电流流路径，最优化想法：雪崩电流通过基本区域的电阻减少RB*I0.7V核心想法：通过减少基本区域的侧电阻，可以在
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