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文档简介

1、2.1 二极管的开关特性,获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的 导通、截止（即开、关）两种工作状态。,逻辑0和1： 电子电路中用高、低电平来表示。,逻辑门电路：用以实现基本和常用逻辑运算的 电子电路。简称门电路。,基本和常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、 与非门、或非门、与或非门和异或门等。,二极管符号：,正极,负极,uD ,Ui0.5V时，二极管截止，iD=0。,Ui0.5V时，二极管导通。,ui0V时，二极管截止，如同开关断开， uo0V。,ui5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源， uo4.3V。,二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。,1、二极管从正向导通到截

2、止有一个反向恢复过程,2、产生反向恢复过程的原因电荷存储效应,当外加正向电压时，P区 空穴向N扩散，N 区电子 向P区扩散；势垒区逐渐 变窄，P区存储了电子， N区存储了空穴，它们 都是非平衡少数载流子。 这一过程称为电荷存储 效应。,当输入电压突然反向时，存储 电荷反向电场的作用下， P区 电子被拉回N区，N区空穴被 拉回P区，形成反向电流IR； 或与多数载流子复合。在此期 间IR基本上保持不变 （IR=VR/RC），经过ts后，存 储电荷显著减少，势垒区逐渐 变宽，经过tt后，二极管截止。,2、产生反向恢复过程的原因电荷存储效应,反向恢复时间即存储电荷消失所需要的时间， 它远大于正向导通所需要的时间。这就是说， 二极管的开通时间是很短的，它对开关速度 的影响很小，以致可以忽略不计。,因此，

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