第8章-光电式传感器12-7.ppt

1、第8章 光电式传感器,光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件，它是把光信号（红外、可见及紫外光辐射）转变成为电信号的器件。,光电效应器件和特性,1.2,新型光电传感器,8.4,光敏传感器的应用举例,概述,模拟量传感器,光源,光通路,光电元件,测量电路,光量,光量,电量,电量输出,x1,x2,光电式传感器的组成,8.1 概述：光电式传感器的组成,一、光谱 光波： 波长为10106nm的电磁波 可见光：波长380780nm 紫外线：波长10380nm， 波长300380nm称为近紫外线 波长200300nm称为远紫外线 波长10200nm称为极远紫外线， 红外线：波长780106nm

2、 波长3m（即3000nm）以下的称近红外线 波长超过3m 的红外线称为远红外线。 光谱分布如图所示。,8.2 光 源,二、光源（发光器件） 1、热辐射光源-钨丝白炽灯,特点：寿命短而且发热大、效率低、动态特性差，但对接收光敏元件的光谱特性要求不高，是可取之处。,用钨丝通电加热作为光辐射源 连续的发光范围：可见光外、大量红外线和紫外线，所以任何光敏元件都能和它配合接收到光信号。,光谱是不连续的，光谱与气体的种类及放电条件有关。改变气体的成分、压力、阴极材料和放电电流大小，可得到主要在某一光谱范围的辐射。 低压汞灯、氢灯、钠灯、镉灯、氦灯是光谱仪器中常用的光源，统称为光谱灯。如果光谱灯涂以荧光剂

3、，照明日光灯。 气体放电灯消耗的能量仅为白炽灯1/21/3。,2、气体放电灯,定义：利用电流通过气体产生发光现象制成的灯。,由半导体PN结构成，其工作电压低、响应速度快、寿命长、体积小、重量轻，因此获得了广泛的应用。 当PN结上加有正向电压时，势垒降低，电子由N区注入到P区，空穴则由P区注入到N区，称为少数载流子注入。所注入到P区里的电子和P区里的空穴复合，注入到N区里的空穴和N区里的电子复合，这种复合同时伴随着以光子形式放出能量，因而有发光现象。,3、发光二极管LED（Light Emitting Diode）,4、激光器 激光是20世纪60年代出现的最重大科技成就之一，具有高方向性、高单色

4、性和高亮度三个重要特性。激光波长从0.24m到远红外整个光频波段范围。,激光器种类繁多，按工作物质分类： 固体激光器（如红宝石激光器） 气体激光器（如氦-氖气体激光器、二氧化碳激光器） 半导体激光器（如砷化镓激光器） 液体激光器。,第8章 光电式传感器,是指物体吸收了光能后，转换为该物体中某些电子的能量而产生的电效应。,分为：,外光电效应,内光电效应,如：阴极管等,光电导效应,光伏效应,光电效应原理：,8.3 光电效应及器件,1.外光电效应的器件 （1）光电管 光电管种类很多，它是个装有光阴极和阳极的真空玻璃管，如图。光阴极有多种形式：在玻璃管内壁涂上阴极涂料即成；在玻璃管内装入涂有阴极涂料的

5、柱面形极板构成。阳极为置于光电管中心的环形金属板或置于柱面中心线的金属柱。,8.3.1 外光电效应,在光的照射下，使电子逸出物体表面而产生的光电子发射的现象叫外光电效应。,2、光电倍增管及其基本特性,当入射光很微弱时，普通光电管产生的光电流很小，只有零点几A，不容易探测，需要用光电倍增管对电流进行放大。,由光阴极、次阴极(倍增电极)以及阳极三部分组成。光阴极是由半导体光电材料锑铯做成；次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑,铯材料而形成的，次阴极多的可达30级；阳极是最后用来收集电子的，收集到的电子数是阴极发射电子数的105106倍。即光电倍增管的放大倍数可达几万到几百万倍。因此在很微弱的光照时，

6、它就能产生很大的光电流。,光电倍增管结构和工作原理,光阴极,阳极,8.3.2、内光电效应,当光照射在物体上，使物体的电阻率发生变化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效应，它多发生于半导体内。,内光电效应,光电导效应,光伏效应,光敏电阻,h,Ip,V,电极,电极,（1）光电导效应,-在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。,基于这种效应的光电器件有光敏电阻。反向偏置的光敏二极管、光敏三极管,管芯是一块安装在绝缘衬底上带有两个欧姆接触电极的光电导体。,金属封装的硫化镉光敏电阻结构图,光导体吸收光子而产生的光电效应，只限于光照的表面薄层

7、，虽然产生的载流子也有少数扩散到内部去，但扩散深度有限，因此光电导体一般都做成薄层。为了获得高的灵敏度，光敏电阻的电极一般采用硫状图案，结构见图。,（1）光敏电阻的结构,(2). 光敏电阻的主要参数和基本特性 1）暗电阻、亮电阻、光电流 暗电流：光敏电阻在室温条件下，全暗（无光照射）后经过一定时间测量的电阻值，称为暗电阻。此时在给定电压下流过的电流。 亮电流：光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻，此时流过的电流。 光电流：亮电流与暗电流之差。,光敏电阻的暗电阻越大，而亮电阻越小则性能越好。也就是，暗电流越小，光电流越大，这样的光敏电阻的灵敏度越高。 实用的光敏电阻的暗电阻往往超过1

8、M,甚至高达100M，而亮电阻则在几k以下，暗电阻与亮电阻之比在102106之间，可见光敏电阻的灵敏度很高。,2）光照特性,下图表示CdS光敏电阻的光照特性。在一定外加电压下，光敏电阻的光电流和光通量之间的关系。不同类型光敏电阻光照特性不同，但光照特性曲线均呈非线性。因此它不宜作定量检测元件，这是光敏电阻的不足之处。一般在自动控制系统中用作光电开关。,0,1,2,3,4,5,I/mA,L/lx,1000,2000,3）光谱特性 光谱特性与光敏电阻的材料有关。从图中可知，硫化铅光敏电阻在较宽的光谱范围内均有较高的灵敏度，峰值在红外区域；硫化镉、硒化镉的峰值在可见光区域。因此，在选用光敏电阻时，应

9、把光敏电阻的材料和光源的种类结合起来考虑，才能获得满意的效果。,20,40,60,80,100,40,80,120,160,200,240,/m,3,1,2,相对灵敏度,1硫化镉 2硒化镉 3硫化铅,4） 伏安特性 在一定照度下，加在光敏电阻两端的电压与电流之间的关系称为伏安特性。图中曲线1、2分别表示照度为零及照度为某值时的伏安特性。由曲线可知，在给定偏压下,光照度较大，光电流也越大。,50,100,150,200,1,2,U/V,0,20,40,在一定的光照度下，所加的电压越大，光电流越大，而且无饱和现象。但是电压不能无限地增大，因为任何光敏电阻都受额定功率、最高工作电压和额定电流的限制。

10、超过最高工作电压和最大额定电流，可能导致光敏电阻永久性损坏。,I/ A,5）频率特性,20,40,60,80,100,I / %,f / Hz,0,10,102,103,104,当光敏电阻受到脉冲光照射时，光电流要经过一段时间才能达到稳定值，而在停止光照后，光电流也不立刻为零，这就是光敏电阻的时延特性。 由于不同材料的光敏，电阻时延特性不同，所以它们的频率特性也不同，如图。硫化铅的使用频率比硫化镉高得多，但多数光敏电阻的时延都比较大，所以，它不能用在要求快速响应的场合。,硫化铅,硫化镉,6）温度特性 其性能(灵敏度、暗电阻)受温度的影响较大。随着温度的升高，其暗电阻和灵敏度下降，光谱特性曲线的

11、峰值向波长短的方向移动。硫化镉的光电流I和温度T的关系如图所示。有时为了提高灵敏度，或为了能够接收较长波段的辐射，将元件降温使用。例如，可利用制冷器使光敏电阻的温度降低。,I / A,100,150,200,-50,-10,30,50,10,-30,T / C,20,40,60,80,100,0,1.0,2.0,3.0,4.0,/m,I/mA,+20 C,-20 C,(2)光敏二极管 PN结可以光电导效应工作，也可以光生伏特效应工作。如图，处于反向偏置的PN结，在无光照时具有高阻特性，反向暗电流很小。当光照时，结区产生电子空穴对，在结电场作用下，电子向N区运动，空穴向P区运动，形成光电流，方向

12、与反向电流一致。光的照度愈大，光电流愈大。由于无光照时的反偏电流很小，一般为纳安数量级，因此光照时的反向电流基本上与光强成正比。,-,-,-,-,-,+,+,+,+,+,+,-,P,N,(3)光敏三极管 它可以看成是一个bc结为光敏二极管的三极管。其原理和等效电路见图。在光照作用下，光敏二极管将光信号转换成电流信号，该电流信号被晶体三极管放大。显然，在晶体管增益为夕时，光敏三极管的光电流要比相应的光敏二极管大倍。,p,N,N,c,b,e,b,e,c,光敏二极管和三极管使用应注意光源与器件的相对位置。,反向偏置的光敏二极管,光敏三极管,2、PN结光伏效应：,P,N,h,Ip,I l,ID,R,P

13、N结,-PN结光伏效应这种由光的照射，使 pn 结产生电动势的现象，叫做光生伏特效应 .,应用,原理,基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、三极管。,按材料分，有硅、砷化镓、锑化铟光电二极管等许多种。 它装在透明玻璃外壳中，其PN结装在管顶，可直接受到光照射。光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态，输出电流一般为几A到几十A。,P,N,光,光敏二极管符号,RL,光,P,N,光敏二极管接线,光敏二极管,基本结构也是一个PN结,光敏二极管的光电流 I 与照度之间呈线性关系。光敏二极管的光照特性是线性的，所以适合检测等方面的应用。,PIN管结光电二极管 PIN管是光电二极管中的一种。它的结构特

14、点是，在P型半导体和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体。这样，PN结的内电场就基本上全集中于 I 层中，从而使PN结双电层的间距加宽，结电容变小。 由式 = CjRL与 f = 1/2知，Cj小，则小，频带将变宽。,P-Si,N-Si,I-Si,PIN管结构示意图,2）. 光敏三极管 具有电流增益,只是它的发射极一边做的很大,以扩大光的照射面积,且其基极不接引线。当集电极加上正电压,基极开路时,集电极处于反向偏置状态。当光线照射在集电结的基区时,会产生电子-空穴对,在内电场的作用下,光生电子被拉到集电极,基区留下空穴,使基极与发射极间的电压升高,这样便有大量的电子流向集电极,形成输

15、出电流,且集电极电流为光电流的倍。,RL,E,光敏三极管的主要特性：,光敏三极管存在一个最佳灵敏度的峰值波长。当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降。因为光子能量太小，不足以激发电子空穴对。当入射光的波长缩短时，相对灵敏度也下降，这是由于光子在半导体表面附近就被吸收，并且在表面激发的电子空穴对不能到达PN结，因而使相对灵敏度下降。,（1）光谱特性,相对灵敏度/%,硅,锗,入射光,/,4000,8000,12000,16000,100,80,60,40,20,0,硅的峰值波长为9000，锗的峰值波长为15000。由于锗管的暗电流比硅管大，因此锗管的性能较差。故在可见光或探测赤热状态物体时，一般选

16、用硅管；但对红外线进行探测时,则采用锗管较合适。,0,500lx,1000lx,1500lx,2000lx,2500lx,I/mA,2,4,6,20,40,60,80,光敏晶体管的伏安特性,（2）伏安特性,如图所示。光敏三极管在不同的照度下的伏安特性，光敏三极管能把光信号变成电信号，而且输出的电信号较大。,U/V,光敏晶体管的光照特性,I / A,L/lx,200,400,600,800,1000,0,1.0,2.0,3.0,（3）光照特性 光敏三极管的光照特性如图所示。它给出了光敏三极管的输出电流 I 和照度之间的关系。它们之间呈现了近似线性关系。当光照足够大(几klx)时，会出现饱和现象，

17、从而使光敏三极管既可作线性转换元件，也可作开关元件。,暗电流/mA,光电流/mA,10,20,30,40,50,60,70,T /C,25,0,50,100,0,200,300,400,10,20,30,40,50,60,70,80,T/C,光敏晶体管的温度特性,（4）温度特性 光敏三极管的温度特性曲线反映的是光敏三极管的暗电流及光电流与温度的关系。从特性曲线可以看出，温度变化对光电流的影响很小，而对暗电流的影响很大所以电子线路中应该对暗电流进行温度补偿，否则将会导致输出误差。,光电池,光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的器件。又称为太阳能电池。 目前,应用最广、最有发展前途的是硅光电

18、池。 硅光电池价格便宜，转换效率高，寿命长，适于接受红外光。 硒光电池光电转换效率低(0.02)、寿命短，适于接收可见光(响应峰值波长0.56m)，最适宜制造照度计。 砷化镓光电池转换效率比硅光电池稍高，光谱响应特性则与太阳光谱最吻合。且工作温度最高，更耐受宇宙射线的辐射。因此，它主要用于宇宙飞船、卫星、太空探测器等的电源。,光电池的示意图,硅光电池的结构如图所示。它是在一块N型硅片上用扩散的办法掺入一些P型杂质(如硼)形成PN结。当光照到PN结区时，如果光子能量足够大，将在结区附近激发出电子-空穴对，在N区聚积负电荷，P区聚积正电荷，这样N区和P区之间出现电位差。若将PN结两端用导线连起来，

19、电路中有电流流过，电流的方向由P区流经外电路至N区。若将外电路断开，就可测出光生电动势。,光电池的结构和工作原理,光,P,N,SiO2,RL,(a) 光电池的结构图,I,光,(b) 光电池的工作原理示意图,P,N,+,光电池的表示符号、基本电路及等效电路如图所示。,I,U,Id,U,I,RL,I,(a),(b),(c),图4.3-17 光电池符号和基本工作电路,L/klx,L/klx,5,4,3,2,1,0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,2,4,6,8,10,开路电压,Uoc /V,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.3,0.1,0,1,2,3,4,5,Uoc/V,Isc /

20、mA,Isc/mA,(a) 硅光电池,(b)硒光电池,（1）光照特性 开路电压曲线：光生电动势与照度之间的特性曲线，当照度为2000lx时趋向饱和。 短路电流曲线：光电流与照度之间的特性曲线,2. 基本特性,开路电压,短路电流,短路电流,短路电流，指外接负载相对于光电池内阻而言是很小的。光电池在不同照度下，其内阻也不同，因而应选取适当的外接负载近似地满足“短路”条件。 下图表示硒光电池在不同负载电阻时的光照特性。从图中可以看出，负载电阻RL越小，光电流与强度的线性关系越好，且线性范围越宽。,0,2,4,6,8,10,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,I/mA,L/klx,50,100,1

21、000,5000,RL=0,20,40,60,80,100,0.4,0.6,0.8,1.0,1.2,0.2,I / %,1,2,/m,(2) 光谱特性 光电池的光谱特性决定于材料。从曲线可看出，硒光电池在可见光谱范围内有较高的灵敏度，峰值波长在540nm附近，适宜测可见光。硅光电池应用的范围400nm1100nm，峰值波长在850nm附近，因此硅光电池可以在很宽的范围内应用。,1硒光电池 2硅光电池,(3) 频率特性 光电池作为测量、计数、接收元件时常用调制光输入。光电池的频率响应就是指输出电流随调制光频率变化的关系。由于光电池PN结面积较大，极间电容大，故频率特性较差。图示为光电池的频率响应

22、曲线。由图可知，硅光电池具有较高的频率响应，如曲线2，而硒光电池则较差，如曲线1。,20,40,60,80,100,0,I / %,1,2,3,4,5,1,2,f / kHz,1硒光电池 2硅光电池,（4）温度特性 光电池的温度特性是指开路电压和短路电流随温度变化的关系。由图可见，开路电压与短路电流均随温度而变化，它将关系到应用光电池的仪器设备的温度漂移，影响到测量或控制精度等主要指标，因此，当光电池作为测量元件时，最好能保持温度恒定，或采取温度补偿措施。,20,0,40,60,90,40,60,UOC/ mV,T / C,ISC,UOC,ISC / A,600,400,200,UOC开路电压

23、,ISC 短路电流,硅光电池在1000lx照度下的温度特性曲线,一、光电位置传感器 PSD的结构,结构：在同一硅片上制作的三层结构：,+,P层：既是光敏层， 又是高掺杂的均匀的电阻层。,I层：接近本征的高阻层。,N层：高掺杂的均匀的电阻层。,-Position Sensitive Device,第四节 新型光电传感器,二、PSD的工作原理,原理：光照射在光敏层上，入射点 产生与光能成比例的电荷，并形成光电流通过电阻层由电极输出。,p层的电阻是均匀的，由电极和输出的电流I1 、 I2分别与光点 到各电极的距离(电阻值)成反比。,电极上的电流为总电流I0，则I0I1+I2 。,设光点离中心点的距离

24、为 xA，有：,进而有：,PSD及其等效电路,一维PSD,感光面：大多是细长矩形条。,等 效电路：并联电阻Rsh，电流源Ip ，理想二 极管D ， 定位电阻RD ， 结电容 Cj,入射光点的坐标位置：,1,2,3,PSD转换电路,3,1,2,二、色敏光电传感器,P,+,N,P,SiO2,电极1,电极2,电极3,1,2,3,色敏光电传感器和等效电路,色敏光电传感器实际上是光电传感器的一种特殊类型。它是两只结深不同的的光电二极管组合体，其结构和工作原理的等效电路如图所示。,双结光电二极管的P+-N结为浅结，N-P结为深结。当光照射时，P+，N，P三个区域及其间的势垒区均有光子吸收，但是吸收的效率不

25、同。紫外光部分吸收系数大，经过很短距离就被吸收完毕；因此，浅结对紫外光有较高灵敏度。而红外光部分吸收系数小，光子主要在深结处被吸收；因此，深结对红外光有较高的灵敏度。即半导体中不同的区域对不同波长分别具有不同灵敏度。这一特性为识别颜色提供了可能性。利用不同结深二极管的组合，即可构成测定波长的半导体色敏传感器。,具体使用时，首先对该色敏器件进行标定，也就是测定在不同波长光照射下，深结的短路电流ISD2与浅结的短路电流ISD1的比值 ISD2 / ISD1 。 ISD2在长波区较大，ISD1在短波区较大；因而 ISD2 / ISD1与入射单色光波长的关系就可以确定。,二、光固态图象传感器 光固态图

26、象传感器由光敏元件阵列和电荷转移器件集合而成。它的核心是电荷转移器件CTD(Charge Transfer Device),最常用的是电荷耦合器件CCD(Charge Coupled Device)。CCD自1970年问世以后，由于它的低噪声等特点，被广泛应用在微光电视摄像、信息存储和信息处理等方面。,1CCD的结构和基本原理,P型Si,耗尽区,电荷转移方向,1,2,3,输出栅,输入栅,输入二极管,输出二极管,SiO2,CCD的MOS结构,CCD是由若干个电荷耦合单元组成，该单元的结构如图所示。CCD的最小单元是在P型（或N型）硅衬底上生长一层厚度约为120nm的SiO2，再在SiO2层上依次

27、沉积铝电极而构成MOS的电容式转移器。将MOS阵列加上输入、输出端，便构成了CCD。 当向SiO2表面的电极加正偏压时，P型硅衬底中形成耗尽区（势阱），耗尽区的深度随正偏压升高而加大。其中的少数载流子（电子）被吸收到最高正偏压电极下的区域内（如图中1极下），形成电荷包（势阱）。对于N型硅衬底的CCD器件，电极加正偏压时，少数载流子为空穴。,如何实现电荷定向转移呢？电荷转移的控制方法，非常类似于步进电极的步进控制方式。也有二相、三相等控制方式之分。下面以三相控制方式为例说明控制电荷定向转移的过程。,P1,P1,P2,P2,P3,P3,P1,P1,P2,P2,P3,P3,P1,P1,P2,P2,P

28、3,P3,P1,P1,P2,P2,P3,P3,(a),1,2,3,t0,t1,t2,t3,t,(b),电荷转移过程,t=t0,t=t1,t=t2,t=t3,0,三相控制是在线阵列的每一个像素上有三个金属电极P1,P2,P3,依次在其上施加三个相位不同的控制脉冲1，2，3，见图（b）。CCD电荷的注入通常有光注入、电注入和热注入等方式。图(b)采用电注入方式。当P1极施加高电压时，在P1下方产生电荷包（t=t0）；当P2极加上同样的电压时，由于两电势下面势阱间的耦合，原来在P1下的电荷将在P1、P2两电极下分布（t=t1）；当P1回到低电位时，电荷包全部流入P2下的势阱中（t=t2）。然后，p3

29、的电位升高，P2回到低电位，电荷包从P2下转到P3下的势阱（t=t3），以此控制，使P1下的电荷转移到P3下。随着控制脉冲的分配，少数载流子便从CCD的一端转移到最终端。终端的输出二极管搜集了少数载流子，送入放大器处理，便实现电荷移动。,2线型CCD图像传感器 线型CCD图像传感器由一列光敏元件与一列CCD并行且对应的构成一个主体,在它们之间设有一个转移控制栅,如图4.4-4(a)所示。在每一个光敏元件上都有一个梳状公共电极,由一个P型沟阻使其在电气上隔开。当入射光照射在光敏元件阵列上,梳状电极施加高电压时,光敏元件聚集光电荷,进行光积分,光电荷与光照强度和光积分时间成正比。在光积分时间结束时

30、,转移栅上的电压提高(平时低电压),与CCD对应的电极也同时处于高电压状态。然后,降低梳状电极电压，各光敏元件中所积累的光电电荷并行地转移到移位寄存器中。当转移完毕,转移栅电压降低,梳妆电极电压回复原来的高电压状态,准备下一次光积分周期。同时,在电荷耦合移位寄存器上加上时钟脉冲,将存储的电荷从CCD中转移,由输出端输出。这个过程重复地进行就得到相继的行输出,从而读出电荷图形,目前，实用的线型CCD图像传感器为双行结构，如图（b）所示。单、双数光敏元件中的信号电荷分别转移到上、下方的移位寄存器中，然后，在控制脉冲的作用下，自左向右移动，在输出端交替合并输出，这样就形成了原来光敏信号电荷的顺序。,

31、3面型CCD图像传感器 面型CCD图像传感器由感光区、信号存储区和输出转移部分组成。目前存在三种典型结构形式，如图所示。 图(a)所示结构由行扫描电路、垂直输出寄存器、感光区和输出二极管组成。行扫描电路将光敏元件内的信息转移到水平（行）方向上，由垂直方向的寄存器将信息转移到输出二极管，输出信号由信号处理电路转换为视频图像信号。这种结构易于引起图像模糊。,二相驱动,视频输出,行 扫 描 发 生 器,输出寄存器,检波二极管,二相驱动,感光区,沟阻,P1,P2,P3,P1,P2,P3,P1,P2,P3,感光区,存储区,析像单元,视频输出,输出栅,串行读出,面型CCD图像传感器结构,(a),(b),图

32、（b）所示结构增加了具有公共水平方向电极的不透光的信息存储区。在正常垂直回扫周期内，具有公共水平方向电极的感光区所积累的电荷同样迅速下移到信息存储区。在垂直回扫结束后，感光区回复到积光状态。在水平消隐周期内，存储区的整个电荷图像向下移动，每次总是将存储区最底部一行的电荷信号移到水平读出器，该行电荷在读出移位寄存器中向右移动以视频信号输出。当整帧视频信号自存储移出后，就开始下一帧信号的形成。该CCD结构具有单元密度高、电极简单等优点，但增加了存储器。,图(c)所示结构是用得最多的一种结构形式。它将图(b)中感光元件与存储元件相隔排列。即一列感光单元，一列不透光的存储单元交替排列。在感光区光敏元件

33、积分结束时，转移控制栅打开，电荷信号进入存储区。随后，在每个水平回扫周期内，存储区中整个电荷图像一次一行地向上移到水平读出移位寄存器中。接着这一行电荷信号在读出移位寄存器中向右移位到输出器件，形成视频信号输出。这种结构的器件操作简单，但单元设计复杂，感光单元面积减小，图像清晰。 目前，面型CCD图像传感器使用得越来越多，所能生产的产品的单元数也越来越多，最多已达10241024像元。我国也能生产512320像元的面型CCD图像传感器。,三、光电耦合器 光电耦合器是由一发光元件和一光电传感器同时封装在一个外壳内组合而成的转换元件。,绝缘玻璃,发光二极管,透明绝缘体,光敏三极管,塑料,发光二极管,

34、光敏三极管,透明树脂,1. 光电耦合器的结构,采用金属外壳和玻璃绝缘的结构，在其中部对接，采用环焊以保证发光二极管和光敏二极管对准，以此来提高灵敏度。,(a)金属密封型,(b)塑料密封型,采用双列直插式用塑料封装的结构。管心先装于管脚上，中间再用透明树脂固定，具有集光作用，故此种结构灵敏度较高。,2. 光电耦合器的组合形式 光电耦合器的组合形式有多种，如图4.4-7所示。,(a),(b),(c),(d),光电耦合器的组合形式,该形式结构简单、成本低，通常用于50kHz以下工作频率的装置内。,该形式采用高速开关管构成的高速光电耦合器,适用于较高频率的装置中。,该组合形式采用了放大三极管构成的高传

35、输效率的光电耦合器，适用于直接驱动和较低频率的装置中。,该形式采用功能器件构成的高速、高传输效率的光电耦合器。,一、烟尘浊度监测仪 防止工业烟尘污染是环保的重要任务之一。为了消除工业烟尘污染，首先要知道烟尘排放量，因此必须对烟尘源进行监测、自动显示和超标报警。烟道里的烟尘浊度是用通过光在烟道里传输过程中的变化大小来检测的。如果烟道浊度增加，光源发出的光被烟尘颗粒的吸收和折射增加，到达光检测器的光减少，因而光检测器输出信号的强弱便可反映烟道浊度的变化。,第五节 光电传感器的应用举例,平行 光源,光电 探测,放大,显示,刻度 校正,报警器,吸收式烟尘浊度检测系统原理图,烟道,二、光电转速传感器,下

36、图是光电数字式转速表的工作原理图。图(a)是在待测转速轴上固定一带孔的转速调置盘，在调置盘一边由白炽灯产生恒定光，透过盘上小孔到达光敏二极管组成的光电转换器上，转换成相应的电脉冲信号，经过放大整形电路输出整齐的脉冲信号，转速由该脉冲频率决定。,在待测转速的轴上固定一个涂上黑白相间条纹的圆盘，它们具有不同的反射率。当转轴转动时，反光与不反光交替出现，光电敏感器件间断地接收光的反射信号，转换为电脉冲信号。,三、光电池应用 光电池主要有两大类型的应用： 将光电池作光伏器件使用，利用光伏作用直接将大阳能转换成电能，即太阳能电池。这是人们探索新能源的一个重要研究课题。太阳能电池已在宇宙开发、航空、通信设

37、施、太阳电池地面发电站、日常生活和交通事业中得到广泛应用。随着太阳电池技术不断发展，成本会逐渐下降，太阳电池将获得更广泛的应用。 将光电池作光电转换器件应用，需要光电池具有灵敏度高、响应时间短等特性，但不必需要像太阳电池那样的光电转换效率。这一类光电池需要特殊的制造工艺，主要用于光电检测和自动控制系统中。 光电池应用举例如下：,1太阳电池电源 太阳电池电源系统主要由太阳电池方阵、蓄电池组、调节控制和阻塞二极管组成。如果还需要向交流负载供电，则加一个直流交流变换器，太阳电池电源系统框图如图。,调节控制器,逆变器,交流负载,太阳 电池 方阵,直流负载,太阳能电池电源系统,阻塞二极管,2光电池在光电检测和自动控制方面的应用 光电池作为光电探测使用时，其基本原理与光敏二极管相同，但它们的基本结构和制造工艺不完全相同。由于光电池工作时不需要外加电压；光电转换效率高，光谱范围宽，频率特性好，噪声低等，它已广泛地用于光电读出、光电耦合、光栅测距、激光准直、电影还音、紫外光监视器和燃气轮机的熄火保护装置等。,(a) 光电追踪电路,+12V,R4,R3,R6,R5,R2,R1,W,BG1,BG2,图(a)为光电地构成的光电跟踪电路，用两只性能相似的同类光电池作为光电接收器件。当入射光通量相同时，执行机构按预定的方式工作或进行跟踪。当系统略