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文档简介
1、第5章MCS-51微控制器外部并行介面扩展技术,培训提示:MCS-51微控制器并行介面扩展技术是微控制器应用程序的重要组成部分。并行介面扩展主要包括系统扩展、键盘和显示器原理与应用节目、A/D和D/A转换电路的设计与实现以及交换机输入/输出通道的设计。理解和实际使用并行介面扩展技术的工作原理和特点是微控制器设计和应用的重要组成部分。教学要求:牙齿章节介绍了微控制器并行介面扩展技术的工作原理、特点和应用实例。熟悉系统扩展方法、键盘和显示器原理、A/D和D/A转换电路原理和扩展应用。了解和实际使用常用的并行介面设备应用程序。5.1系统总线扩展和寻址技术5.2存储扩展5.3并行端口扩展5.4键盘/显
2、示器介面扩展技术5.5模拟I/O通道5.6交换机I/O通道5.7牙齿章节摘要,5章MCS-51微控制器外部并行介面扩展技术,MCS-51微控制器内部资源数量和类型限制,因此实际使用中系统将扩展外部程序存储,牙齿部分介绍了使用并行总线结构的微控制器扩展方法和寻址方法。5.1系统总线扩展技术和寻址技术、MCS-51系列微控制器系统扩展主要包括存储扩展、I/O通信端口扩展。存储扩展分为节目存储的扩展和数据存储的扩展。扩展功能包括:节目内存为64KB可以扩展到。数据存储为64KB可以扩展到。I/O通信端口扩展。5.1.1系统总线扩展,注:MCS-51微控制器外部数据存储和扩展I/O端口均匀寻址。也就是
3、说,每个扩展I/O端口与外部RAM中的存储设备相同,因此可以访问I/O端口和读取/写入外部RAM I/O介面命令:MOVX介面信号和时序:输入/输出数据更换方法(例如,A/D转换器):无条件延迟等待方法祖怀数据总线:P0通信端口(d0d 7);控制总线:控制信号(ALE、/PSEN、/EA、/WR、/RD)的具体定义见表5-1。MCS-51系统扩展图,微控制器扩展总线图,扩展需要注意的事项:地址锁定内存选择:74LS373存储空间冲突问题:外部RAM(/RD,/WR)有效,实现MOVX外部ROM(/pseem)寻址技术问题:必须!地址解码:行选择方法:简单但浪费地址资源。解码方法:有点复杂,但
4、是地址资源的利用率很高。常用零件为74LS138。全部和部分解码。5.1.2寻址技术、线选择方法、解码方法、5.2.1节目内存扩展5.2.2数据内存扩展5.2.3非易失性数据内存扩展8031个ROM无、8051、8751、89C51等ROM容量不足。什么样的扩张?EPROM、2716(2K)、2732(4K)、2764(8K)、27512(64K) ANA0:地址端D0D7:数据端VCC,GND:电源端优先看图片。A.74LS373的角色分析G=1,Q0Q7=D0D7G下降时锁定D0D7牙齿,在Q0Q7中使用牙齿功能将ALE与G末端连接起来。B./PSEN和/OE线连接。计时、ROM扩展;注意
5、:2716、2732、27128等扩展方法与2764类似,但P2端口和地址线连接数不同。ALE和/PSEN信号每MC出现两次。也就是说,1MC取两次手指。1字节命令是1MC,2字节命令是1MC,3字节命令(DJNZ,CJNE)是指2个MC。删除MOVX命令时,以下系统周期/PSEN和ALE牙齿无效,因为运行MOVX时需要提供外部RAM的8位高地址作为P2端口。P2提供RAM高度8位地址、/RD或/WR有效、P0输入/输出MOVX中的数据,为什么需要扩展?8031片内只有128字节,8032只有256字节。片外部扩展通常小于64K。什么样的扩张?RAM、6116(2K)、6264 (8K)、62
6、256(32K) ANA0:地址端D0D7:数据端VCC,GND:电源端/CE:筹码可选信号/OE如何扩展?查看图分析A.74LS373的角色,并像ROM扩展一样锁定低8位地址。b .父地址行的连接决定地址单位编号。例如:c .信号电缆连接/rd-/OE;/wr-/we;P2 - an A8 P0 - d0d7 (74373锁定)、读取RAM计时、写入RAM计时、RAM扩展、读取和写入执行进程:读取RAM:/;写入RAM: /PSEN获取命令(ROM)通过P0门户CPUP2P0提供RAM地址/WR有效CPU上的数据通过P0输入到外部RAM。孔刘74LS373在访问时,孔刘父地址线和数据线/子地
7、址线2764由/PSEN、6264由/RD和/WR、P0数据徐璐不干涉,因此P2具有外部RAM地址时,还应指向片外部ROM,但是在指定了P2通信端口地址后,则由手指操作、ROM RAM扩展、ROM RAM扩展结构图表、地址代码示例、地址代码示例、问题:如果微控制器运行MOVX,则ALE信号将丢失一个脉冲。如何使ALE等于FOSC/6?超空间扩展大于64K字节的扩展问题双通信端口RAM:IDT7132(常规应用程序节目图)双CPU系统中非非易失性数据内存NVRAM 3360 ds 1230y/AB针脚兼容、与SRAM使用相同、电源保护低、自动电源切换电路等!(教材P123-P124)、IDT7132针图表、IDT7132一般应用程序节目图、并行EEPROM(E2PROM) 28C16、28C17、28C64等特性:断电保护数据多缓冲结构、写入时加载页面(MOVX操作)页面存储(几毫秒)。写入时,
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