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文档简介

1、,由于热激发而 产生的自由电子 自由电子移走后 而留下的空穴,图3-1 电子、空穴对的产生,邻近电子只空位 留下可移动空穴 可移动的空穴 杂质原电子接受一个 电子成为负离子,图3-2 P型半导体的共价键结构,杂质原子提供 的多余电子 杂质原子失去一个 电子成为正离子,图3-3 N型半导体的共价键结构,P型区,空间 电荷区,N型区,内电场,图3-4 PN结的形成,外电场,1 2 2 1,IF,UF,12 2 1,内电场,外电场,2 1 1 2,IR,UF,21 12,内电场,P,N,P,N,图3-5PN结加正向电压 图3-6PN结加反向电压,图3-7 半导体二极管的结构及符号 （a）点接触型；（

2、b）面接触型；（c）平面型；（d）符号,（a）,（b）,图3-10 稳压管的电气符号与伏安特性 （a）符号；（b）伏安特性,RL,图3-12 三极管的结构与符号 （a）NPN型BJT结构示意图；（b）NPN型BJT符号；（c）PNP型BJT符号,图3-15 两种晶体管电路接法的区别 （a）NPN型管；（b）PNP型管,图3-16 NPN管的共射极特性曲线 （a）电路图；（b）输入特性曲线；（c）输出特性曲线,图3-17 结型场效应管的结构示意图和符号 （a）N型结型场效应管的结构；（b）N型的符号；（c）P型的符号,图3-18 结型场效应管的工作原理 （a）uGS0时；（b）uGS0时；（c）uGS为某一负值时，导电沟道被“夹断”,UDD,图3-19 场效应管的电压放大作用,图3-20 N沟道结型场效应管的特性曲线 （a）输出特性曲线；（b）转移特性曲线,（a） （b）,图3-21 N沟道增强型绝缘栅场效应管结构和符号 （a）结构示意图；（b）符号,图3-22 N沟道增强型绝缘栅场效应管的基本工作原理示意图 （a）uGS0时，没有导电沟道；（b）uGSVT时，出现N型沟道； （c）uDS较小时，iD迅速增大；（d）uDS较大出现夹断时，iD趋于饱和,图3-23 N沟道增强型绝缘栅场效应管的特性曲线

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