光刻版图设计中的一些注意事项

1、光刻版图设计中的注意事项,目录,原则 光刻版的方向问题 对版标记图形的选择 第一层版的设计 暗版的设计 亮版的设计 PCM 工艺检测图形的设计 背面对版标记的设计,关于制版的原则,在设计允许的前提下，工艺宽容度留得越大公艺就会越顺利 大图形和小图形的尺寸的比例不要太悬殊，例如5um和100um 有剥离工艺的光刻版尽量做成亮版，用AZ5200反转胶光刻 第一版先用马路网格把cells分开 注意版图的方向,光刻版的方向,下面是几个标定版图方向的方法,对版标记的设计,对版标记以每一个单元为单位设计 如果每一个图形做一个自己的对版标记，不要重复使用对版标记,不要用相同的对版 标记做给不同的图形,A B

2、 C D,A B C D,A B C D,A B C D,A B C D,A B C D,a b c d,e f g h,对版标记,图形,对版标记以单元为单位,管芯,重复使用,对版标记的选择,T字形对版标记 十字形对版标记 品字形对版标记 口字形对版标记,100um,40um,15um,第一层版的设计有平行要求的,如果是暗版，如果有要求图形与解理边平行的，要留一个找平用的框。 另外，芯片上解理出一个边对准用,显微镜下的版图,感觉上的透光与不透光的转换,透光部分,第一层版的设计针对小芯片,如果一个芯片上只有一个图形，或者如果需要保证芯片有成品率的，第一版要给出每一个cell的边界，即分片间道，以

3、保证金属电极能够成功地放入芯片。 例子a是第一层版腐蚀版，亮版。b是第二层版金属电极版。,a,第一版,芯片和芯片上的带胶图形,版上的透光部分,第二版,b,不合理的版图设计,a,暗版对版标记的设计,如果暗版是套刻版，如金属版，要给出适当的透光的图形好能看到版下面的芯片上的对版标记。,不易套刻的版，透光部分太小,版图设计合理一些的版，增加了透光部分,暗版的图形尺寸要求,如果暗版是微细图形，图形尺寸在允许的范围内，最好大于3um，或5um。在允许的情况下，图形越大工艺就会越顺利。,亮版图形尺寸的要求,亮版是很受光刻工艺欢迎的版，因为大面积透光，使对版一目了然。 亮版如果是剥离工艺，留胶图形至少大于5

4、um，否则剥离困难。 亮版如果是湿法腐蚀工艺，要求留胶图形大于2um，否则显影时图形容易吃掉。,亮版对版标记的设计,亮版的对版标记要有两种设计考虑，一种常规的设计，后一道的标记比前一道大；另一种反常规的设计，针对亮版的，后道的标记比前一道小。以防因为失误使设计的标记不能用。,本道工艺的标记,PCM 工艺检测图形的设计,对版标记,版的序号,总对版标记,欧姆接触电阻测试图形,曝光显影控制图形,钝化膜检测,光刻曝光显影控制图形,精度为1um的光刻检测图形,窗口,光刻胶,此设计是最高精度-1um光刻窗口的设计。尺度为：4，3，2，1um 对于不同精度要求的光刻可以适当放宽尺度，如胶厚3um的图形，可以

5、设计为：5，4，3，2 或 6，5，4，3um,5um,3um,3um,3um,2um,2um,4um,4um,1um,1um,80um,3um,3um,简化的显影检测图形,曾经使用过的显影图形,改进版的简化显影图形,过显影的结果,显影不足的结果,缺点：不够精确， 正常显影看起来就象欠 的感觉,欧姆接触测试图形的设计,测试图形的基本尺寸：50 x50um 为了测试方便，可以放大到80 x80um,5um,10um,10um,25um,某层改版后可能出现的问题,步进尺寸出现错误，阵列对不上。 所以如果需要单独改某一层版，步进一定搞准,背面对版标记的设计,背面对准对芯片的要求： 大于2x2cm2 对版标记的设计： 2x2cm2, 标记间距 大于1.2cm 小于2cm,承片台,两个背面对准显微镜 相距最近的位置,1.2cm,2cm,1.2,2.0,2寸和4寸片背面对版标记的距离,2寸片，标记间距大于2cm, 小于4.2