第1章半导体器件基础课件

1、模拟电子技术基础,哈工大（威海）电子科学与技术系 韩 良办公地点：H613,2020/9/2 韩 良,2,第1章 半导体器件基础,1.1 半导体的基本知识,1.3 半导体二极管,1.4 双极型晶体管,1.5 场效应管,1.2 PN结及其单向导电性,2020/9/2 韩 良,3,1.1 半导体的基本知识,2020/9/2 韩 良,4,什么是半导体？,导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。,2020/9/2 韩 良,5,半导体的导电特性：,(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。,掺杂性：纯净的半导体中掺入某些杂质，其导电能 力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极

2、管、三极管和晶闸管等）。,光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。,热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强,2020/9/2 韩 良,6,1.1.1 本征半导体,硅的原子结构,应用最多的本征半导体为锗和硅，它们各有四个价电子，都是四价元素。,完全纯净的、具有晶体结构的锗、硅、硒，称为本征半导体。,2020/9/2 韩 良,7,1.1.1 本征半导体,晶体中原子的排列方式,硅单晶中的共价健结构,共价健,共价键中的两个电子，称为价电子。,纯净的半导体其所有的原子基本上整齐排列，形成晶体结构，所以半导体也称为晶体。 “晶体管”,2

3、020/9/2 韩 良,8,价电子,价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。,本征半导体的导电机理,本征激发：,空穴,温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。,自由电子,2020/9/2 韩 良,9,价电子,本征半导体的导电机理,空穴,自由电子,常温300K时：,绝对温度为0时：,自由电子和空穴的浓度均为零，本征半导体成为绝缘体。,2020/9/2 韩 良,10,Si,Si,Si,Si,在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移

4、动）。,自由电子在运动中遇到空穴后，两者同时消失，称为复合现象。,本征半导体的导电机理,Si,Si,Si,Si,2020/9/2 韩 良,11,当半导体两端加上外电压时，载流子定向运动（漂移 运动），在半导体中将出现两部分电流。 (1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流,注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。,自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。 在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡， 半导体中载流子便维持一定的数目。,半导体有

5、两种导电粒子（载流子）：自由电子、空穴,本征半导体的导电机理,2020/9/2 韩 良,12,1.1.2 N型半导体和 P 型半导体,掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。,掺入五价元素,多余电子,磷原子,在常温下即可变为自由电子,失去一个电子变为正离子,在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。,多数载流子（多子）：自由电子 少数载流子（少子）：空穴,2020/9/2 韩 良,13,掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。,掺入三价元素,多子：空穴 少子：自由电子,

6、硼原子,接受一个电子变为负离子,空穴,无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。,1.1.2 N型半导体和 P 型半导体,2020/9/2 韩 良,14,1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。,2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。,3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。,a,b,c,4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流）,b,a,小练习,2020/9/2 韩 良,15,1.2 PN结及其单向导电性,2020/9/

7、2 韩 良,16,1.2.1 PN结的形成,空间电荷区也称 PN 结,多子的扩散运动,浓度差,P 型半导体,N 型半导体,内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。,扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。,形成空间电荷区,扩散的结果使空间电荷区变宽。,扩散和漂移,扩散,漂移,2020/9/2 韩 良,17,1.2.2 PN结的单向导电性,1. PN 结加正向电压（正向偏置）,PN 结变窄,P接正、N接负,IF,内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。,PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。,外电场使P

8、区的空穴进入空间电荷区，抵消一部分负空间电荷。同时，外电场使N区的自由电子进入空间电荷区，抵消一部分正空间电荷。于是空间电荷区变窄。,外电场使P区的空穴进入空间电荷区，抵消一部分负空间电荷。,同时，外电场使N区的自由电子进入空间电荷区，抵消一部分正空间电荷。于是空间电荷区变窄。,2020/9/2 韩 良,18,PN 结变宽,2. PN 结加反向电压（反向偏置）,内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。,IR,P接负、N接正,PN结呈现高阻状态，通过PN结的电流是少子的漂移电流 -反向电流 特点: 受温度影响大 原因: 反向电流是靠热激发产生的少子形成的,2020/9

9、/2 韩 良,19,3. PN结的伏安特性曲线及表达式,根据理论推导，PN结的伏安特性曲线如图,正偏,IF（多子扩散）,IR（少子漂移）,反偏,反向饱和电流,反向击穿电压,反向击穿,热击穿烧坏PN结,电击穿可逆,2020/9/2 韩 良,20,根据理论分析：,u 为PN结两端的电压降,i 为流过PN结的电流,IS 为反向饱和电流,UT =kT/q 称为温度的电压当量,其中k为玻耳兹曼常数 1.381023 q 为电子电荷量1.6109 T 为热力学温度 对于室温（相当T=300 K） 则有UT=26 mV。,2020/9/2 韩 良,21,4. PN结的电容效应,当外加电压发生变化时，耗尽层的

10、宽度要相应地随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。,(1) 势垒电容CB,2020/9/2 韩 良,22,(2) 扩散电容CD,当外加正向电压 不同时，PN结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当电容的充放电过程。,电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来,极间电容（结电容）,2020/9/2 韩 良,23,小结,扩散运动和漂移运动的动态平衡,扩散强,漂移运动增强,内电场增强,两者平衡,PN结宽度基本稳定,外加电压,平衡破坏,扩散强(正偏）,漂移强(反偏),PN结导通,PN结截止,2020/9/2 韩 良,24,结论：,PN结具有单向导电性,（1） PN结加正

11、向电压时，处在导通状态，结电阻很低， 正向电流较大。,（2）PN结加反向电压时，处在截止状态，结电阻很高， 反向电流很小。,2020/9/2 韩 良,25,1.3 半导体二极管,2020/9/2 韩 良,26,1.3.1 基本结构（一个PN结）,二极管的结构示意图,结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。,结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。,用于集成电路制作工艺中。用于大功率整流管和数字电路中的开关管。,2020/9/2 韩 良,27,特点：非线性,正向特性,1.3.2 伏安特性,硅管0.5V, 锗管0.1V。,外加电压大于死区电压二极管才能导通。,导通

12、压降,硅0.60.8V锗0.20.3V,反向特性,反向电流在一定电压 范围内保持常数。,反向击穿 电压U(BR),外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。,死区电压,2020/9/2 韩 良,28,1.3.3 主要参数,1. 最大整流电流 IF,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。,2. 最高反向工作电压UR,是保证二极管不被击穿而允许加的最大反向电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半。,3. 反向电流IR,指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IR受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大

13、，为硅管的几十到几百倍。,2020/9/2 韩 良,29,1.3.3 主要参数,4. 最高工作频率 fM,二极管工作的上限截止频率。超过此值时，由于结电容的作用，二极管将不能很好地体现单向导电性。,2020/9/2 韩 良,30,1.3.4 二极管的等效电路,理想 二极管,近似分析中最常用,导通时i与u成线性关系,1.伏安特性折线化,2020/9/2 韩 良,31,1.3.4 二极管的等效电路,2. 微变等效电路,Q越高，rd越小。,当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。,ui=0时直流电源作用,小信号作用,静态电流,2020/9

14、/2 韩 良,32,二极管的单向导电性,1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。,2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。,3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。,4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。,2020/9/2 韩 良,33,定性分析：判断二极管的工作状态,导通截止,分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。,若 V阳 V阴或 UD为正，二极管导通 若 V阳

15、V阴或 UD为负，二极管截止,若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。,二极管电路分析举例,2020/9/2 韩 良,34,1.3.4 应用举例,利用二极管的单向导电性。可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中作为开关元件。,例1: 图中电路，输入端A的电位VA=+3V，B的电位VB=0V，求输出端Y的电位VY。电阻R接负电源-12V。,VY=+2.7V,解：,DA优先导通， DA导通后， DB上加的是反向电压，因而截止。,DA起钳位作用， DB起隔离作用。,2020/9/2 韩 良,35,电路如图，求：UAB,V阳 =6 V ， V阴 =12 V V阳

16、 V阴 ，二极管导通,例2：,取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。,二极管起钳位作用。,解：,1.3.4 应用举例,若忽略管压降，二极管可看作短路。 UAB = 6V,否则， UAB低于6V一个管压降，为6.3或6.7V,2020/9/2 韩 良,36,取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。,V1阳 =6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= 12 V UD1 = 6V，UD2 =12V UD2 UD1 D2 优先导通， 钳位，使D1截止。 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V,例3:,流过 D2 的电流为,求：UAB,D2 ：钳

17、位作用， D1：隔离作用。,解：,2020/9/2 韩 良,37,ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui,已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。,8V,例4：,二极管的用途： 整流、检波、 限幅、钳位、开 关、元件保护、 温度补偿等。,参考点,二极管阴极电位为 8 V,解：,2020/9/2 韩 良,38,二极管的近似分析计算,例：,串联电压源模型,测量值 9.32mA,相对误差,理想二极管模型,相对误差,0.7V,2020/9/2 韩 良,39,例：二极管构成的限幅电路如图所示，R1k，UREF=2V，输入信号为ui。 (

18、1)若ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo,解：（1）采用理想模型分析。,采用理想二极管串联电压源模型分析。,2020/9/2 韩 良,40,（2）如果ui为幅度4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。,解：采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。,2020/9/2 韩 良,41,采用理想二极管串联电压源模型分析，波形如图所示。,2020/9/2 韩 良,42,1. 符号,2. 伏安特性,稳压管正常工作时加反向电压,使用时要加限流电阻,稳压管反向击穿后，电流

19、变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。,一种特殊的面接触型半导体硅二极管。它在电路中与适当数值的电阻配合后能起稳定电压的作用。,1.3.5 稳压二极管,2020/9/2 韩 良,43,UZ,IZ,IZM, UZ, IZ,3. 主要参数,(1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。,(4) 电压温度系数 环境温度每变化1C引起稳压值变化的百分数。,(2) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM,(3) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM,(5) 动态电阻,rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。,使用时要加限流电阻,2020/9/2 韩

20、良,44,4. 例题,稳压管的稳压作用,当UUZ时,稳压管击穿,此时,选R，使IZIZM,2020/9/2 韩 良,45,1.4 双极型晶体管,2020/9/2 韩 良,46,1.4.1 基本结构,基极,发射极,集电极,NPN型,符号：,NPN型三极管,PNP型三极管,2020/9/2 韩 良,47,基区：最薄， 掺杂浓度最低,发射区：掺 杂浓度最高,发射结,集电结：面积大,结构特点：,集电区： 面积最大,2020/9/2 韩 良,48,1. 三极管放大的外部条件,发射结正偏、集电结反偏,PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB,从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结

21、反偏 VCVB,1.4.2 电流分配和放大原理,2020/9/2 韩 良,49,3.三极管内部载流子的运动规律,基区空穴浓度低向发射区的扩散可忽略。,发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。多子扩散,进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。,发射区进入基区的非平衡少子(未被复合掉的部分)达到集电结，由于集电结反偏(C的电位高于B)，使非平衡少子进入集电区(漂移)，形成ICE。,集电结反偏，有少子(C区空穴，B区电子)形成的反向电流ICBO。漂移,2020/9/2 韩 良,50,3. 三极管内部载流子的运动规律,IC = ICE+ICBO IC

22、E,IB = IBE- ICBO IBE,ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数,集射极穿透电流, 温度ICEO,(常用公式),若IB =0, 则 IC ICEO,2020/9/2 韩 良,51,1.4.3 特性曲线,即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。,为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路,重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线,2020/9/2 韩 良,52,1. 输入特性,特点:非线性,UCE为常数时，IB与UBE之间的关系。,（1）uC

23、E=0V时，相当于两个PN结并联。,（2）当uCE=1V时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少， 在同一uBE 电压下，iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。,（3）uCE 1V再增加时，曲线右移很不明显。,2020/9/2 韩 良,53,2. 输出特性,IB=0,20A,放大区,输出特性曲线通常分三个工作区：,(1) 放大区,在放大区有 IC= IB ，也称为线性区，具有恒流特性。,条件：发射结正向偏置 集电结反向偏置,IB为常数时，IC与 UCE之间的关系。,2020/9/2 韩 良,54,（2）截止区,IB 0 以下区域为截止区，有 IC =ICEO0。,条件：发射

24、结反向偏置、集电结反向偏置,饱和区,截止区,（3）饱和区,UCE UBE时，饱和状态 IB的变化对IC的影响较小 条件：发射结正向偏置 集电结正向偏置,深度饱和时： 硅管UCES 0.3V， 锗管UCES 0.1V。,2020/9/2 韩 良,55,1.5.4 主要参数,1.电流放大系数,（2）共基极电流放大系数：,一般取20200之间,2.3,1.5,（1）共发射极电流放大系数：,2020/9/2 韩 良,56,例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 A, IC=2.3mA。,在以后的计算中，一般作近似处理： = 。,Q1,Q2,在

25、 Q1 点，有,由 Q1 和Q2点，得,2020/9/2 韩 良,57,2.极间反向电流,（2）集电极发射极间的穿透电流ICEO 基极开路时，集电极到发射极间的电流穿透电流 。 其大小与温度有关。,（1）集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，在其集电结上加反向电压，得到反向电流。它实际上就是一个PN结的反向电流。其大小与温度有关。 锗管：I CBO为微安数量级， 硅管：I CBO为纳安数量级。,2020/9/2 韩 良,58,3.极限参数,Ic增加时， 要下降。当值下降到线性放大区值的70时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。,（1）集电极最大允许电流ICM,（2）集电

26、极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PC= ICUCE,PCM, PCM,2020/9/2 韩 良,59,（3）反向击穿电压,BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种：, U(BR)EBO集电极开路时，发射极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般几伏十几伏。 U(BR)CBO发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般为几十伏几百伏。, U(BR)CEO基极开路时，集电极与发射极之间允许的最大反向电压。,在实际使用时，还有 U(BR)CER、U(BR)CES 等击穿电压。,2020/9/2 韩 良,60,ICUCE=PCM,安全工作区,由三个极限参

27、数可画出三极管的安全工作区,2020/9/2 韩 良,61,晶体管参数与温度的关系,1、温度每增加10C，ICBO增大一倍。硅管优 于锗管。,2、温度每升高 1C，UBE将减小 (22.5)mV， 即晶体管具有负温度系数。,3、温度每升高 1C， 增加 0.5%1.0%。,2020/9/2 韩 良,62,1.5 场效应管,2020/9/2 韩 良,63,场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件（VCCS）。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。,结型场效应管,按结构不同场效应管有两种:,绝缘栅型场效应管,

28、2020/9/2 韩 良,64,1.5.1结型场效应管,符号,结构示意图,导电沟道,2020/9/2 韩 良,65,栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用,沟道最宽,uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？,UGS（off）,2020/9/2 韩 良,66,漏-源电压对漏极电流的影响,uGSUGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。,uDS0，则有电流iD从漏极流向源极，从而使沟道中各点与栅极间的电压不再相等。,uGD=uGS-uDS，所以当uDS 从零逐渐增大时，uGD逐渐减小，靠近漏极一边的导电沟道必将随之变窄。,但是，只要栅-源间不出现夹断区域，沟道电阻仍将基本上决定于栅

29、-源电压uGS，因此，电流iD 将随uDS的增大而线性增大，d-s呈现电阻特性。一旦uDS的增大使uGD等于UGS(off)，则漏极一边的耗尽层就会出现夹断区。,uGDUGS(off),2020/9/2 韩 良,67,漏-源电压对漏极电流的影响,预夹断,uGDUGS（off）,VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。,场效应管工作在恒流区的条件是什么？,uGDUGS（off）,若uDS继续增大，则uGDUGS(off)，耗尽层闭合部分将沿着沟道方向延伸，即夹断区加长。,2020/9/2 韩 良,68,夹断电压,漏极饱和电流,转移特性,场效应

30、管工作在恒流区，因而uGSUGS(off)，且uGDUGS(off)。,uDGUGS（off）,2020/9/2 韩 良,69,g-s电压控制d-s的等效电阻,输出特性,预夹断轨迹，uGDUGS（off）,可变电阻区,恒 流 区,iD几乎仅决定于uGS,击 穿 区,夹断区（截止区）,不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。,低频跨导：,2020/9/2 韩 良,70,1.5.2绝缘栅场效应管,漏极D,栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。,(1) N沟道增强型管的结构,栅极G,源极S,1. 增强型绝缘栅场效应管,2020/9/2 韩 良,71,符号：,由于栅极是绝缘的，

31、栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014 。,由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。,2020/9/2 韩 良,72,(2) N沟道增强型管的工作原理,由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。,当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。,2020/9/2 韩 良,73,当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；,N型导电沟道,在漏极电

32、源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。,当UGS UGS（th）时，将出现N型层，形成N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。,(2) N沟道增强型管的工作原理,2020/9/2 韩 良,74,N型导电沟道,当UGS UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道开始导通。若漏源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关（UGS越大，沟道越宽）。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。,在一定的漏源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。,(2) N沟道增强型管的工作原理,2020/

33、9/2 韩 良,75,(3) 特性曲线,有导电沟道,转移特性曲线,无导电 沟道,开启电压UGS(th）,UDS,UGS/,漏极特性曲线,恒流区,可变电阻区,截止区,2020/9/2 韩 良,76,符号：,结构,(4) P沟道增强型,SiO2绝缘层,加电压才形成 P型导电沟道,增强型场效应管只有当|UGS| |UGS(th)|时才形成导电沟道。,2020/9/2 韩 良,78,2. 耗尽型绝缘栅场效应管,符号：,如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。,(1 ) N沟道耗尽型管,SiO2绝缘层中 掺有正离子,感应出N型 导电沟道,2020/9/2 韩 良,79,由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS= 0时，若漏源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生。,当UGS 0时，使导电沟道变宽， ID 增大； 当UGS 0时，使导电沟道变窄， ID 减小； UGS负值愈高，沟道愈窄， ID就愈小。,当UGS达到一定负值