2017修改版半导体及二极管课件_第1页
2017修改版半导体及二极管课件_第2页
2017修改版半导体及二极管课件_第3页
2017修改版半导体及二极管课件_第4页
2017修改版半导体及二极管课件_第5页
已阅读5页,还剩60页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

1、第四章 二极管与晶闸管 4-1 二极管 学习目标 1、了解半导体的导电特性,掌握二极管的单向导电性。 2、理解普通二极管的伏安特性和主要参数。 3、会用万用表大致判断二极管的极性和好坏。 4、了解整流二极管、稳压二极管、发光二极管、光敏二极管、开关二极管和变容二极管的特点及应用。,一、 半导体的导电特性,1、本征半导体 硅(纯净) 锗,两种载流子: 空穴 自由电子,2、两种类型的半导体(掺杂) (1)N 型半导体:(掺入5价元素)多数载流子为电子,(2)P 型半导体:掺入3价元素,多数载流子为空穴,3、PN结及其单向导电性,结加正向电压,PN,(导通),结加反向电压,PN,(截止),二、 二极

2、管的结构及型号,二极管的外形,将PN结封装,引出两个电极,就构成了二极管。,小功率二极管,大功率二极管,稳压 二极管,发光 二极管,电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。从电子管晶体管小规模集成电路大规模集成电路,1904年 电子管问世,电子管、晶体管、集成电路比较,1. 正向导通 PN结外加正向电压(正向偏置)P接 +、N接 - ,形成较大正向电流(正向电阻较小)。如3mA。,2. 反向截止 PN结外加反向电压(反向偏置)P接 -、N接 +,形成较小反向电流(反向电阻较大)。如10A。,二极管的单向导电性(实验演示),当电压超过某个值(约零点几伏),全部少子参与导电,形成“反向饱和电

3、流IS”。,反偏电压最高可达几千伏。,四、二极管的伏安特性 1、正向特性: 正向死区:硅管开启电压0.5V,锗管0.1V 正向导通区:硅管导通电压0.7V,锗管 0.3V. 2、反向特性: 反向饱和区(截止) 反向击穿区,五、二极管的主要参数,(1)最大整流电流 IFM (2)最大反向工作电压 URM (3)反向饱和电流 IR,六、二极管的简易识别,1、通过二极管的造型判别; 2、通过二极管的标注判别; 3、通过二极管的电极特性判别; 4、通过二极管的电极管键判别; 5、用万用表测试判别。,提问:常用的二极管有那些?,整流二极管、稳压二极管、发光二极管、 光电二极管(光敏二极管),七、常用二极

4、管的类型图形及符号。,整流二极管,光电二极管,发光二极管,?,1、整流二极管,作用:将交流转换成直流,2、稳压二极管(工作在反偏状态) (1) 外形,(2)稳压二极管的符号及伏安特性,(3)最近简单的串联稳压电路(注意稳压管反向连接),3、发光二极管(外形),发光二极管的符号LED想一想:作用?,4、光敏二极管 (工作在反偏状态),远红外遥控的发射与接收,5、开关二极管,按PN结正偏导通,反偏截止完成工作,6、变容二极管,变容二极管应用电路实例,4-2 二极管整流电路,1、掌握单相半波整流电路的组成及工作原理 2、掌握桥式整流电路的组成及工作原理,任务一 整流电路的应用,一、单相半波整流电路

5、1、电路的组成,(a) (b),2、电路的工作原理:在u2正半周(a-b)整流管D正向偏置导通,电流经二极管流向负载RL、在电压u2负半周(b-a)时,二极管D反向偏置截止,即负载得到一个单向半波脉动电流,故称单相半波整流。 3、负载上的电压降:,U2为变压器二次绕组电压有效值 4、整流二极管的选用: (1)二极管的最大正向电流IF IF IL (2)二极管最大反向电压URM URM U2,负载电流平均值,二、单相全波整流电路,u2,u2,当u2为正半周(即极性为上正下负)时,D1正向偏置而导通、D2承受反向偏压而截止,有电流IL流过负载RL,在负载上得到的输出电压极性为上正下负;当u2为负半

6、周时,此时D1截止、D2导通。,全波整流电路负载上的平均电流为:,在全波整流电路中,D1和D2是轮流导通的,所以每个整流管的平均电流ID应为输出平均电流的一半,即,三、单相桥式整流电路 1、电路的组成,桥式整流电路常用画法,2、工作原理: 负载的直流电流是由二极管D1 、D3和D2 、D4轮流提供的,因此二极管的整流电流应是负载直流电流的一半,但二极管承受的最大反峰电压与全波整流时不同,如正半周时,D1、D3导通,D2、D4截止,此时二极管反向峰值电压等于 U2。,3、负载上的直流压降UL: UL =0.9U2 4、整流二极管的选用: (1)二极管最大正向电流IF IF (1/2 ) IL (

7、2)二极管最大反向电压URM URM U2,桥式全波整流电路中的电流和电压,第五章 半导体三极管及放大电路基础,1. 半导体三极管(晶体管),NPN 型三极管结构及符号,PNP 型三极管结构及符号,晶体管中的载流子运动和电流分配,晶体管的电流方向、 发射结和集电结的极性,晶体管的输入特性曲线,晶体管的输出特性曲线,晶体管的主要参数,(1)电流放大系数 (2)集-基极反向电流 ICBO (3)集-射极反向电流 ICEO,集-基极反向电流 ICBO,集-射极反向电流 ICEO (穿透电流),(4)集电极最大允许电流 ICM (5)集电极最大允许耗散功率 PCM,2. 基本放大电路,晶体管工作在放大状态必须: 发射结为正向偏置 集电结为反向偏置,

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论