模拟电子技术基本概念复习题及答案

1、.模拟电子技术基础基本概念复习题一、判断题1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。2、 凡是运算电路都可利用 “虚短 ”和“虚断 ”的概念求解运算电路。 3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v = v 。NP4、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。6、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。 7、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。8、 因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带

2、负电。9、 因为 P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。10、在 N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。 11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流ib 与集电极电流 ic 的关系为 icib 。13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。16、由于放大的对象是变化量， 所以当输入信号为直流信号时， 任何放大电路的输出都毫无变化。17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 18、共集放大电路无电

3、压放大作用，但有功率放大作用。19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。23、放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。24、输出电阻越大，放大电路带负载的能力越弱。.25、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共射放大电路的输入电阻最小。26、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共基放大电路的输出电阻最小。27、阻容耦合多级放大电路各级的 Q 点相互独立，它只能放大交流信号。 28、放大电路在高频信

4、号作用下放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。29、场效应管也是一种由 PN结组成的半导体器件， 是电流控制器件， 沟道越宽电流越大。30、由 MOSFET 管组成的放大电路中 i G 0 。31、在由耗尽型 N 沟道 MOSFET 管组成的放大电路中，若 VGS 小于零，则 iD0。32、若增强型 N 沟道 MOS 管的 vGS 大于开启电压 VT，则输入电阻会明显变小。33、N 沟道 JFET 在正常工作时的 vGS 不能大于零。 34、耗尽型 MOS 管在栅源电压 uGS 为正或为负时均能实现压控电流的作用。 35、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压

5、与源极自偏相结合的偏置方式。 36、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。37、增强型 MOS 管采用自给偏压时，漏极电流 iD 必为零。 38、现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为 10000。39、通频带 BW 等于放大电路的上限频率 f H 和下限频率 f L 的平均值。40、集成运放内部第一级是差动放大电路，因此它有两个输入端。41、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。42、集成运放内部是直接耦合的多级放大电路。 43、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 44、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号

6、。45、对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模输入交流通路中，长尾电阻 Re 一概可视为短路。46、用电流源代替 Re 后电路的差模电压放大倍数增加。47、带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内， 不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。48、集成运放的输入失调电压VIO 是两输入端电位之差。.49、反馈量仅仅决定于输出量。50、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压串联负反馈。51、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。52、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压并联负反馈。53

7、、任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。54、反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。55、共集放大电路 AuUE ；UBUCB UBUE ；UBUBUED V CUB4T/22L（T 为电网电压的周期），测得输出电压平均值UO（ AV） 可能的数值为：A 14VB12VC9VD4.5V（1）正常情况下 UO（ AV） （ B）；（2）电容虚焊时 UO（ AV） （9 ）；（3）负载开路时 UO（ AV） （A ）；（4）一只整流管和电容同时开路时UO（ AV）（ D）；78、单相桥式整流电路中，若有一只二极管接反，则（C ）。A输出电压约为 2UDB变为半波直

8、流C整流管将因电流过大而烧坏。三、填空题 (答案附后 )1、 频率失真是由于放大电路的不够宽引起的，非线性失真是由于放大器件的特性引起的。2、 工作在线性区的理想运放输入端具有的两个特点是虚短，虚断。理想集成运算放大器的放大倍数Av，输入电阻 r i，输出电阻 r o。3、比例集成运算放大电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。4、 集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_。负反馈5、 在 N 型半导体中，多数载流子是；在 P 型半导体中，多数载流子是。6、 本征半导体是，其载流子是和，两种载流子的浓度。7、 当 PN 结外加正向电压时， P 区接电源极， N 区接电源极。8、 当

9、 PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流。9、 PN 结的 P 区接电源的正极， N 区接负极称 PN 结为。.10、二极管的正向电阻，反向电阻，故二极管最主要的特性是。11、硅二极管导通后，其管压降是基本不变的，典型值为伏；其门坎电压 Uth 约为伏。12、一般硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的要。13、二极管最主要的特性是 _，它的两个主要参数是反映正向特性的_和反映反向特性的_ 。14、三极管能起放大作用的内部条件是：发射区掺杂浓度，基区掺杂浓度比发射区掺杂浓度，基区宽度。15、BJT 的输出特性上可划分为三个区分别、。16、当温度升高时，双极型三管的 将，反向饱和电流 ICEO。17

10、、当温度升高时，双极性三极管的正向结压降V。BE18、BJT 工作在放大区的外部条件是：。19、BJT 工作在饱和区时二个 PN 结的偏置情况为：发射结，集电结。20、测得某电路中 NPN 管得BE 0.7V，CE0.2V，由此可判定它工作在 _区。21、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断各晶体管的类型 ( 是 PNP管还是 NPN管, 是硅管还是锗管 ), 并区分 e、b、c 三个电极。A 管；B 管； C管。22、放大电路中动态工作点在负载线上移动。23、双极型三极管是控制型控制器件。24、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分

11、别处于那种工作状态（饱和、截止、放大、倒置或已损坏）。.A 管； B 管；C管。25、图 (a) 和 (b) 是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为_ 型和 _型，用半导体材料_和_制成，电流放大系数 分别为 _和_。26、在模拟电子电路测试中，常用信号作为标准信号使用。27、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，组态有电流放大作用，组态有倒相作用；组态带负载能力强。28、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，放大电路的输入电阻最小，放大电路的输出电阻最小。29、对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电路的

12、电压放大倍数大，可选用组态；若希望带负载能力强，应选用组态；若希望从信号源索取的电流小，应选用组态；若希望高频性能好，应选用组态。30、共发射极电路又可称为，共集电极电路又可称为，共基极电路又可称为。（ A 电压跟随器； B 反相电压放大器； C 电流跟随器）31、某 PNP 三极管构成的共射放大电路其输出波形出现顶部失真则为失真，原因是 Q 点，可以使 IB来消除。32、交流放大电路和三极管的输出特性、交、直流负载线如下图所示，负载上获得的最大不失真输出电压的峰峰值是V 。33、多级放大电路中，后一级的电阻是前一级的负载。.34、在多级放大器中，上一级的输出电阻可作为下一级的。35、多级放大

13、电路常用的耦合方式有、耦合。36、当信号频率等于放大电路的fL 或 fH 时 ,放大倍数的值为中频时的倍。37、对于单极共射放大电路，当ff时， v与 v相位关系是，当 ffHLoi时， vo 与 vi 相位关系是。38、某放大器的下限角频率L ，上限角频率H ，则带宽为Hz。39、一个放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知中频放大倍数|Avm|=_, fL 为_，fH 为_，当信号频率为 fL 或 fH 时,实际的电压增益为_。40、电路如图所示 (用(a)增大 ,(b)减小 ,(c)不变或基本不变填空 )（ 1）若将电路中 Ce 由 100F , 改为 10F,则 |Avm|将 _， f

14、L 将 _， fH 将_ ，中频相移将_。（2）若将一个 6800pF的电容错焊到管子 b，c 两极之间，则 |Avm 将，L将_， fH将_。（T较低的晶体管 ,|_f3）若换一个 f则 |Avm|将_，fL 将_，fH 将_。41、场效应管是一种利用效应来控制电流大小的半导体器件。42、场效应管是控制性器件，只依靠导电。43、场效应管的漏极特性上的三个区域分别为、。44、图 所示 场效 应管的转 移特 性 曲线 ，由 图可 知， 该管 的类 型是 _沟 道_MOSEET 管。45、RC 耦合放大电路中 ,当耦合电容容量增加时，下限截止频率fL 将，放大电路通频带 BW 将。.46、影响单级

15、共射极放大电路的低频响应的主要因素是。47、集成运放内部电路中， 偏置电路由电路构成；输入级由电路构成。48、共模抑制比 KCMR =，电路的 KCMR越大，表明电路的能力越强。49、集成运放内部电路主要有由、这几个部分组成。50、差模输入电压是指差分放大器的两个输入端输入的电压。51、在长尾式差动电路中，长尾R 的主要作用是。e52、差动放大电路的基本功能是对差模输入信号的作用和对共模输入信号的作用。53、串联负反馈只在信号源内阻时，其反馈效果才显著。54、欲减小电路从信号源索取的电流， 增大带负载能力， 应在放大电路中引入的反馈类型为。55、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放

16、大电路中引入的反馈类型为。56、在输入量不变的情况下， 若引入反馈后输出量，则说明引入的反馈是负反馈。57、在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入_；若要稳定放大倍数，应引入_；希望展宽频带，可以引入_；如要改变输入或输出电阻，可以引入_；为了抑制温漂，可以引入_。（a.直流负反馈， b.交流负反馈， c.直流负反馈和交流负反馈）58、如希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可引入 _；如希望取得较强的反馈作用而信号源内阻很大，则宜引入_；如希望负载变化时输出电流稳定，则应引入 _；如希望负载变化时输出电压稳定，则应引入_。（ a.电压负反馈，b.电流负反馈， c.串联负反馈， d.并联负

17、反馈）59、为了增大放大电路输出电阻，应在放大电路中引入反馈。60、电流负反馈的反馈信号与输出成比例；一反馈放大电路的开环增益为1000，反馈系数为 0.099，则其闭环增益为。61、负反馈放大电路的自激条件是，其实质是放大电路在中频段的负反馈在高或低频段变成了。62、乙类互补功率放大电路会产生失真。.63、在 OCL 乙类互补对称功放电路中，静态工作点Q 设置在输出特性的区。64、OCL 乙类互补对称功放电路中每个晶体管的导通角是，该放大器的理想效率为，每个管子所承受的最大电压为。65、在一阶 RC 高通电路的相频特性中当 ffL 时，相角 =。66、正弦波振荡电路通常由放大电路，和四部分组

18、成。67、在 RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于才能起振。68、正弦波振荡器自激振荡的幅值平衡条件为、相位平衡条件为。69、为了抑制混入输入信号中的工频干扰信号，在电子系统中常选用滤波电路来滤除；而滤波电路能够有效抑制高频干扰信号。70、电压比较器工作时， 在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的输出状态发生跃变，滞回比较器的输出状态发生次跃变。71、小功率直流稳压电源由变压、_、_、四部分电路组成。72、三端稳压器 7815 的稳压值为。73、电容滤波电源电路一般适用于场合。74、构成串联反馈式稳压电路的基本单元，除了调整管、基准电压产生电路外，还有电路和环节。75、串联型稳压电路如图所示，稳压管的稳定电压为UZ。则该电路中 T1 为，R 、R、R为， R、D为电路， T2 为电路。输出123Z电 压 最大 值的 表 达式 为， 输 出 电 压 最 小 值 的 表 达 式为。.填空题答案1通频带、非线性2虚短，虚断； ； ；03反相4负反馈5自由电子；空穴；6纯净半导体；自由电子；空穴