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文档简介

1、中科院物理所发现硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体,纳米管电学性质的不可控问题依然是悬而未决的难题，这是由于在制备的样品中约2/3的纳米管为半导体性，约1/3的纳米管为金属性，两者共存大大限制了碳纳米管在纳米电子器件中的进一步应用。,昭和Titanium制造的氧化钛类光催化剂粉末,担任项目负责人的东京大学尖端科学技术研究中心教授桥本和仁,第二章 半导体中杂质和缺陷能级,2.1 锗、硅晶体中的杂质能级 2.2 -族化合物中的杂质能级 2.3 缺陷、位错能级,2.1 硅、锗晶体中的杂质能级,2.1.1 替位式杂质和间隙式杂质,2.1 硅、锗晶体中的杂质能级,2.1.2 施主杂质 施主能级,2

2、.1 硅、锗晶体中的杂质能级,2.1 硅、锗晶体中的杂质能级,2.1.3 受主杂质 受主能级,2.1 硅、锗晶体中的杂质能级,2.1 硅、锗晶体中的杂质能级,2.1.4 杂质浅能级电离能的简单计算,2.1 硅、锗晶体中的杂质能级,2.1 硅、锗晶体中的杂质能级,2.1.5 杂质的补偿作用,2.1 硅、锗晶体中的杂质能级,2.1 硅、锗晶体中的杂质能级,2.1.6 深能级杂质,2.1 硅、锗晶体中的杂质能级,2.1 硅、锗晶体中的杂质能级,2.1.6 深能级杂质,第二章 半导体中杂质和缺陷能级,2.1 锗、硅晶体中的杂质能级 2.2 -族化合物中的杂质能级 2.3 缺陷、位错能级,2.2 -族化

3、合物中的杂质能级,2.2.1 GaAs中的杂质,2.2 -族化合物中的杂质能级,第二章 半导体中杂质和缺陷能级,2.1 锗、硅晶体中的杂质能级 2.2 -族化合物中的杂质能级 2.3 缺陷、位错能级,2.3 缺陷、位错能级,2.3 缺陷、位错能级,2.3.1 点缺陷,2.3 缺陷、位错能级,2.3.1 点缺陷,2.3 缺陷、位错能级,2.3.1 点缺陷,2.3 缺陷、位错能级,2.3.1 点缺陷,2.3 缺陷、位错能级,位错的形成原因：应力作用使得晶格发生畸变。 位错类型：基本类型是刃型位错（棱位错）和螺型位错,2.3.2 位错,2.3 缺陷、位错能级,2.3 缺陷、位错能级,螺型位错,刃型位

4、错（棱位错）,棱位错对半导体性能的影响： 1）位错线上的悬挂键可以接受电子变为负电中心，表现为受主；悬挂键上的一个电子也可以被释放出来而变为正电中心，此时表现为施主，即不饱和的悬挂键具有双性行为，可以起受主作用，也可以起施主作用。 2）位错线处晶格变形，导致能带变形,2.3.2 位错,2.3 缺陷、位错能级,3）位错线影响杂质分布均匀性 4）位错线若接受电子变成负电中心，对载流子有散射作用。 5）影响少子寿命，原因：一是能带变形，禁带宽度减小，有利于非平衡载流子复合；二是在禁带中产生深能级，促进载流子复合。,2.3.2 位错,2.3 缺陷、位错能级,作 业,第一章 习题1 第二章 习题2 课外查阅： 1、 薛定谔波动方程的物理意义是什么？ 2、 什么是克龙尼克-潘

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