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- -上-装-订-线-西安邮电学院试题卷标准答案专用纸- -密-封-装-订-线-西安邮电学院2011-2012学年第 I 学期试题卷标准答案课程：数字集成电路设计 类型：A 卷 专业、年级：电子信息科学与技术0801-04题号一二三四五六七八九总分得分一、填空题（共20分，每空 1 分）1. 静态互补CMOS电路的输出高电平为VDD，输出低电平为GND，输出电压 摆幅等于电源电压。噪声容限很大。2. 扇入表示 门输入 的数目。增加一个门的扇入会影响 其动态和静态特性 。 门的扇出定义为该门 连接到输出端的负载门 的数目。3 . NMOS晶体管是由 栅端 、 源端 、 漏端 和衬底构成，电流是由通过 源端 和 漏端 之间 n 型沟道的电子形成。4. PMOS晶体管截至区的工作条件为 Vgs充电；为了使延时最小，放电过程要求所有的内部电容全部放电，因此ABCDE=10101；充电过程要求所有的内部电容充电，因此ABCDE=10100； 充电放电；为了使延时最小，充电过程要求所有的内部电容充电，因此ABCDE=10011；放电过程要求所有的内部电容全部放电，因此ABCDE=10010；

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