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1、HBT Epi Wafers Manufacturing Technology Using MOCVD 林素玲 高平磊晶科技股份有限公司 Kopin Taiwan Corporation Feb. 24, 2006,大綱 Outline 高平磊晶科技 (Kopin Taiwan Corporation)簡介 金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)磊晶技術 MOCVD生產設備 砷化鎵異質雙載子電晶體磊晶片結構 GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Epi Wafer Structures LED應用原理及製程簡介 Summary,高平磊晶科技 Ko

2、pin Taiwan Corporation,高平磊晶科技股份有限公司簡介 Brief of Kopin Taiwan Corporation 公司成立: 民國90年2月7日 實收資本額: 新台幣10億元整 主要股東: Kopin Corporation ，台揚科技，國外砷化鎵 IDM 客戶及國內砷化鎵 Foundry 廠商,產品名稱 砷化鎵(GaAs)異質雙載子電晶體(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)磊晶片 4吋及6吋 AlGaAs/GaAs及InGaP/GaAs HBT 產品用途 HBT積體電路元件應用於下一代3G通訊手機內使用之射頻功率放大器

3、(RF Power Amplifier) HBT Chip Set應用於高速光纖網路OC-48及OC-192系統 HBT積體電路元件應用於無線區域網路(Wireless LAN)及藍芽(Blue Tooth)模組之功率放大器,砷化鎵 HBT元件製造之技術鏈,積體電路 製作,SWKS, Anadigics, RFMD, Nortel, HP, 宏捷,穩懋等,砷化鎵基板,Mitsubishi Chemical, Hitachi Cable, Sumitomo, AXT, Freiberger 等,元件,SWKS, Anadigics, RFMD, Motorola, Mitsubishi Elec

4、tric, Siemens 等,系統,Nokia, Ericsson, Motorola, Samsung, 宏碁, 大霸, 致福 等,Kopin, Picogiga, RFMD, 高平磊晶, 全新 等,HBT磊晶片,GaAs Industry Model,金屬有機化學氣相沉積磊晶技術 MOCVD,Production Technology for HBT Epi Wafers 有機金屬氣相沉積Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Other Equivalent Nomenclatures of MOCVD 有機金屬氣相磊晶Organ

5、ometallic Vapor-Phase Epitaxy (OMVPE) 有機金屬氣相磊晶Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (MOVPE) 有機金屬化學氣相沉積Organometallic Chemical Vapor Deposition (OMCVD) 分子束磊晶 Molecular Beam Epitaxy (MBE),週期表中與半導體相關元素,GaAs Epi Layer Growth in MOCVD (OMVPE) TMGa + AsH3 GaAs Tg550C: kinetically limited by surface reactions

6、or gas chemical reactions 550CTg750C: mass-transport limited by gas phase diffusion of precursors to surface 750CTg: “thermodynamic limited” by depletion of reactants on upstream or by desorption of epi layers,磊晶反應機制,Epi Layer Growth in Mass-Transport Limited Region Growth rate (m/min) is linearly d

7、ependent on group III flow rate (mole/min) Ratio can be termed mass-transport coefficient Typical values for GaAs using TMGa and AsH3 is between 103 104 (m/mole),MOCVD生產設備,Aixtron 2600 G3 MOCVD Production Machine,Planetary Reactor AIX 2600 G3,MOCVD系統概略圖,Cross Section,砷化鎵異質雙載子電晶體磊晶片結構 GaAs HBT Epi Wa

8、fer Structures,發光二極體 Light Emitting Diode (LED),產品名稱 發光二極體Light Emitting Diode (LED) 2吋藍光及紅光 產品用途 LED已普遍使用於資訊、通訊及消費性電子產品指示器與顯示裝置。 交通號誌、車燈照明、儀表板等。,發光二極體（Light Emitting Diode；LED）是由半導體材料製成之發光元件，元件具 有兩個電極端子，在端子間施加電壓，通入極小電流，經由電子電洞結合將剩餘能量以光形式激發釋出，此即LED之基本發光原理。 LED發光亮度、發光效率與磊晶層材料直接相關，高亮度LED是指以四元化合物及GaN系化合物所製成LED。,LED應用原理,LED產品優勢 具有耗電量低、元件壽命長、無須暖燈時間、反應速度快等。 體積小、耐震動、適合量產。 安全性佳，不會產生疑似亮燈的情況。 節能、低維護成本。,2004-2008 全球LED市場規模,上游磊晶製程,磊晶方式 液相磊晶（LPE） 有機金屬氣相磊晶（MOCVD） 分子束磊晶（MBE） Kopin優勢 速度快 量產能力佳 應用領域廣（LED、LD、HBT）,晶粒製作,電極蒸鍍：減少電極（金屬）與磊晶片（半導體）間接觸