模拟电子技术第一章习题解答.docx

第一章习题解答题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理 想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。题 1-2假设一个二极管在50C时的反向电流为10A，试问它在20C和80C时的反向电流大约为多大？已知温度每升高10C,反向电流大致增加一倍。答：在20C时的反向饱和电流为2-3x10A=1.25A在80C时的反向饱和电流为23x10A=80A题 1-3某二极管的伏安特性如图P1-3(a)所示： 如在二极管两端通过1k的电阻加上1.5V的电压，见图P1-3(b)，此时二极管的电流I和电压U各为多少？ 如将图P1-3(b)中的1.5V电压改为3V，则二极管的电流和电压为多少？提示：可用图解法。 (a) (b) 图 P1-3解：根据图解法求解电源电压为1.5V时，1.5=U+II0.8mA，U0.7V电源电压为3V时，3=U+II2.2mA，U0.8V可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，则二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sint(V)，RL1k，试对应地画出二极管的电流iD、电压uo的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。（a）（b）图 P1-4答：图略动态电阻rz愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流rz愈大，则其动态电阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。温度系数u的绝对值愈小，表示当温度变化时稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流IZ、动态内阻rZ以及温度系数au等各项参数，大一些好还是小一些好？答：动态电阻 rZ愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的 电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流 IZ愈大， 则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过 其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数 U的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳 压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。题 1-6在图P1-6中，已知电源电压V=10V，R=200，RL=1k,稳压管的U2=6V，试求： 稳压管中的电流IZ=? 当电流电压V升高到12V，IZ将变为多少？当V仍为10V，但RL改为2 k时，IZ将变为多少？图 P1-6解：所以，所以，所以题 1-7设有两个相同型号的稳压管，稳压值均为6V，当工作在正向时管压降均为0.7V，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。解：12V；1.4V；6.7V题 1-8 有两个三极管，已知甲管的99,则？当甲管的IB1=10A，时，其IC1和IE1各为多少？乙管的0.95,其？若乙管的IE2=1mA，则IC2和IB2各为多少?解：题 1-9 测得某电路中几个三极管的各极电位对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？（a）VC=6V VB=0.7V VE=0V (b) VC=6V VB=2V VE=1.3V(c) VC=6V VB=6V VE=5.4V (d) VC=6V VB=4V VE=3.6V(e) VC=3.6V VB=4V VE=3.4V1-9解（a）（b）工作在线性区；（c）工作在饱和区，为浅饱和；（d）工作在截止区；（f）工作在饱和区且为深度饱和；全是NPN三极管。题 1-10 已知图P1-10 (a)(f)中各三极管的均为50,UBE0.7V，试分别估算各电路中三极管的IC和UCE，判断它们各自工作在哪个区(截止区、放大区或饱和区)，并将各管子的工作点分别画在图P1-10（g）的输出特性曲线上。（g）图 P1-10题1-10解答：（a）,三极管工作在放大状态（b）,三极管工作在放大状态(C) ,三极管工作在饱和状态（d）三极管工作在截止状态（e）三极管工作在截止状态（f）,三极管工作在放大状态题 1-11 分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15(a)和 (b)所示，试识别它们的管脚，分别标上e、b、c，并判断这两个三极管是NPN型，还是PNP型，硅管还是锗管。 (a) (b) 图 P1-13解：本题的前提是两个三极管均工作在放大去（a）1-发射极e,2-集电极c,3-基极b，三极管类型为NPN锗管（b）2-发射极e,1-集电极c,3-基极b，三极管类型为PNP硅管题 1-12 某三极管在20C时的反相饱和电流为ICBO=1A,=30,试估算三极管50C时的ICBO和穿透电流ICEO大致为多少？已知当温度升高10C时，ICBO大约增加一倍，而当温度每升高1C时，大约增大1%。解：20C时，50C时，题 1-13 已知一个N沟道增强型MOS场效应的漏极特性曲线如图P1-13所示，试作出UDS=15V时的转移特性曲线，并由特性曲线求出该场效应管的开启电压UT和IDO值，以及当UDS=15V，UGS=4V时的跨导gm。图 P1-13解：由图得到：开启电压UGS(th)=2V当UGS= 2UGS(th)=4V时对应的iD值即为IDO=2.5mA转移特性曲线如下题 1-