内存条上文字及字母标识的含义.doc

内存条上文字及字母标识的含义一、Samsung内存 具体含*释： 例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位芯片类型4，代表DRAM。 第3位芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位连线“-”。 第14、15位芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存 条的容量是128Mbits（兆数位）16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数 据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 二、Hynix(Hyundai)现代 “8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片) “2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank) “2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18) “B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代) 能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。 封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA) 封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。 封装原料，空白=普通；P=铅；H卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。 “D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200) 工作温度，一般被省略。I=工业常温(-4085度)；E=扩展温度(-2585度) 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HY*X 123456789101112 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)； 3、处理工艺及工作电压：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V) 4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系 7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2 8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-，TD=13mmTSOP-，TG=16mmTSOP- 11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、LDR200、HDR266B、 KDR266A 现代的mBGA封装的颗粒 补充二：现代内存条（例如:HY内存颗粒的编号为HY5DU56822BT-D43这串编号是由14组数字组成的，这14组数字代表着14组不同的重要参数，分别如下：“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V&VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V&VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V&VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V&VDDQ=1.8V)“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M8K刷新。(64：64M4K刷新；66：64M2K刷新；28：128M4K刷新；56：256M8K刷新；57：256M4K刷新；12：512M8K刷新；1G：1G8K刷新)“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2bank；2=4bank；3=8bank)“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。封装原料，空白=普通；P=铅；H卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)工作温度，一般被省略。I=工业常温(-4085度)；E=扩展温度(-2585度)因此，通过编号“HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒我们可以了解到，这是一款DDRSDRAM内存，容量为256MB，采用TSOP封装，速度为DDR400。由上面各个编号可以看出，其中最重要的是第13个编号，它明确的告诉我们这款内存实际的最高工作频率是怎样。例如你的内存的颗粒第13位编号是“J”，而又运行在DDR400的频率下，那么这款内存很可能是被超频使用，超频使用的内存不仅稳定性能大打折扣，而且其寿命也会受到影响。）三、Infineon（英飞凌） Infineon 是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为 256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存 颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。 HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。 Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。 -7.5表示该内存的工作频率是133MHz； -8表示该内存的工作频率是100MHz。 例如： 1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）16片/8=256MB（兆字节）。 1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）8片/8=128MB（兆字节）。 四、KINGMAX、kti KINGMAX内存的说明 Kingmax 内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全 是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注： KSVA44T4A0A64Mbits，16M地址空间4位数据宽度； KSV884T4A0A64Mbits，8M地址空间8位数据宽度； KSV244T4*128Mbits，32M地址空间4位数据宽度； KSV684T4*128Mbits，16M地址空间8位数据宽度； KSV864T4*128Mbits，8M地址空间16位数据宽度。 Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： -7APC133/CL=2； -7PC133/CL=3； -8APC100/CL=2； -8PC100/CL=3。 例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）16片/8=128MB（兆字节）。 五、Micron（美光） 以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义： MTMicron的厂商名称。 48内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。 LC供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。 16M8内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）8位数据宽度。 A2内存内核版本号。 TG封装方式，TG即TSOP封装。 -75内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。 其容量计算为：容量32M4bit16片/8=256MB（兆字节）。 六、Winbond（华邦） 含义说明： W*XX 12345 1、W代表内存颗粒是由Winbond生产 2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM 3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H； 4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装 5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ 七、Mosel（台湾茂矽） 台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对*供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示 单颗粒为64/88MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns 八、NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR 南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内