《存储器与总线实验》PPT课件.ppt

计算机组成原理实验,控制信号的字符串定义： S3-S0: 表示运算器操作选择信号，以控制16种算术运算或罗晶晶运算的一种； S1,S0,M又是移位寄存器的控制信号。 M: 表示运算器方式选择信号，M=0执行算术运算操作；M=1执行逻辑运算操作； /CN : 表示进位控制信号，/CN=0 表示是进位为1的带进位运算；/CN=1 LDCZY=0 表示不带进位运算，/CN=1 LDCZY=1表示带进位运算； /LOAD:当/LOAD=0表示装载PC值；/LOAD=1 表示PC计数状态； /CE： 表示主存（6116）的片选信号，低电平有效； WE：表示主存（6116）的读/写信号;当WE=1时，表示写；当WE=0时，表示读。,实验基本知识：,LDR0-LDR2:表示将数据总线内容打入到R0-R2中，高电平有效； LDDR1-LDDR2:表示将数据总线内容打入暂存器DR1-DR2中，高电平有效； LDIR:表示将数据总线内容打入指令寄存器IR中，高电平有效； LDPC:表示程序计数器PC计数控制信号，高电平有效，当LOAD=1,LDPC=1时，PC加1； LDAR:表示将数据总线内容打入到地址寄存器中，高电平有效； LDCZY:表示进位（CY),零（ZY)标志控制信号，高电平有效；,实验基本知识：,C,B,A:表示数据通道选通控制信号：,选择,A9,A8:表示片选信号：,A9,A8,选通,0,0,0,0,1,1,1,1,选通CS0,选通CS1,选通CS2,选通CS3,存储器和总线实验,实验一,实验目的： 熟悉存储器和总线组成的硬件电路,实验要求： 按照实验步骤完成实验项目，利用存储器和总线传输数据。,实验步骤：,控制信号连接：位于实验装置右侧边缘的RAM片选端（/CE)、写/读线（WE)、地址锁存信号（LDAR）与位于实验装置左上方的控制信号（/CE 、WE、 LDAR)之间对应连接。位于实验装置左中方（C、B、A)与位于实验装置左上方的（C、B、A)对应连接。,实验步骤：,完成上述连接，仔细检查无误后方可进入本实验。 在闪动的“P.”状态下按动增址命令键，使LED显示器自左向右第一位显示提示符“H.”,表示本装置已进入手动单元实验状态。,实验步骤：,内部总线数据写入存储器 给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、12、13、14、15，具体操作步骤如下：,实验步骤：,数据开关 （00000000）,三态门,地址寄存器AR (00000000),存储器RAM （00010001）,三态门,数据开关 (00010001),CBA=000,CBA=001,CE=1,LDAR=1,/CB=1,按STEP,CBA=000,CBA=001,LDAR=0,LDAR=0,/CE=0 WE=1,按STEP,实验步骤：,读存储器的数据到总线上 依次读出第00、01、02、03、04单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。具体操作如下：,实验步骤：,数据开关 （00000000）,三态门,地址寄存器AR (00000000),CBA=000,CBA=001,CE=1,存储器RAM (00010001),CBA=001,/CE=1 LDAR=1,按STEP,CBA=000,/CE=0 WE=0,LDAR=0,SRAM芯片 HM6116,6116的工作方式,数据收发器74LS245,74LS245是一种三态输出的8总线收发器。该收发器有16个双向传送的数据端，即A1A8，B1B8，另有两个控制端使能端，方向控制端DIR，该芯片的功能见表 。 74LS245 通常用于数据的双向传送、缓冲和驱动。,74LS245 通常用于数据的双向传送、缓冲和驱动。,74LS273,74LS273是8位数据/地址锁存器 74LS273是一种带清除功能的8D触发器， 1D8D