《存储器与PL》PPT课件.ppt

第九章 半导体存储器和可编程逻辑器件,9.1 半导体存储器 9.2 可编程逻辑器件PLD,图 9 2 二极管ROM结构图,9.1.2 ROM在组合逻辑设计中的应用,例如，在表9 -1 中，将输入地址A1A0视为输入变量，而将D3、D2、D1、D0视为一组输出逻辑变量，则D3、D2、D1、 D0就是A1、A0的一组逻辑函数。,图 9 - 3ROM的与或阵列图 (a) 框图； (b) 符号矩阵,用ROM实现逻辑函数一般按以下步骤进行： (1) 根据逻辑函数的输入、输出变量数，确定ROM容量，选择合适的ROM。 (2) 写出逻辑函数的最小项表达式，画出ROM阵列图。 (3) 根据阵列图对ROM进行编程。,表 9 2 四位二进制码转换为格雷码的真值表,图 9 4 四位二进制码转换为四位格雷码阵列图,图 9 6 PN结击穿法PROM的存储单元,此时若在Gc上加高压正脉冲， 形成方向与沟道垂直的电场， 便可以使沟道中的电子穿过氧化层面注入到Gf， 于是Gf栅上积累了负电荷。 由于Gf栅周围都是绝缘的二氧化硅， 泄漏电流很小， 所以一旦电子注入到浮栅之后， 就能保存相当长的时间(通常浮栅上的电荷10年才损失30%)。,图 9 7 SIMOS管的结构和符号,图 9 9 Flotox管的结构和符号,9.1.4 随机存取存储器(RAM),1. 静态随机存储器(SRAM),(1) 基本结构。SRAM主要由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成，其框图如图 9 -11所示。,图 9 11 SRAM的基本结构,图 9 16 PLD输入缓冲器,图 9 17 与门表示法,图 9 18 PLD连接法,图 9 19 与门的省缺情况,特点： 与阵列固定 或阵列可编程,特点： 与阵列与 或阵列都可编程,例 2 试用FPLA实现例1要求的四位二进制码转换为格雷码的转换电路。 解 用卡诺图对表 9 - 2 进行化简， 如图 9 - 22 所示，则得,式中共有7个乘积项，它们是,用这些乘积项表示式，可得,图 9 22 例2化简的卡诺图,图 9 23 例2的FPLA的阵列图,图 9 25 PAL的四种输出结构 (a) 专用输出结构； (b) 可编程I/O结构； (c) 寄存器输出结构； (d) 异或型输出结构,图9 26 GAL16V8逻辑图 (a) 逻辑图； (b) 引脚图,图 9 28 GAL的结构控制字,表 9 3 OLMC工作模式的配置选择,图 9 29 OLMC 5种工作模式的等效电路 (b) 专用输出模式；,图 9 29 OLMC 5种工作模式的等效电路 (c) 反馈给输出模式；,图 9 29 OLMC 5种工作模式的等效电路 (d) 时序电路中的组合模式；,图 9 29 OLMC 5种工作模式的等效电路 (e) 寄存器输出模式,6. 高密度可编程逻辑器件,通常将集成密度大于1000个等效门/片的PLD称为高密度可编程逻辑器件(HDPLD),它包括可擦除可编程逻辑器件EPLD、复杂可编程逻辑器件CPLD和现场可编程门阵列FPGA三种类型。,2) 边界扫描测试技术。,边界扫描测试技术主要用来解决芯片的测试问题。 标准的边界扫描测试只