• 现行
  • 正在执行有效
  • 2017-11-01 颁布
  • 2018-02-01 实施
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GB∕T 34971-2017 半导体制造用气体处理指南_第1页
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ICS7104040 G 86 . . 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T349712017 半导体制造用气体处理指南 Guideforgaseouseffluenthandlinginsemiconductorindustry2017-11-01发布 2018-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 GB/T349712017 前 言 本标准按照 给出的规则起草 GB/T1.12009 。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 提出并归口 (SAC/TC203) 。 本标准起草单位 中昊光明化工研究设计院有限公司 西南化工研究设计院有限公司 高麦仪器公 : 、 、司 广东华特气体股份有限公司 东莞市联臣电子科技有限公司 上海华爱色谱分析技术有限公司 上海 、 、 、 、市计量测试技术研究院 。 本标准主要起草人 孙福楠 牛艳东 廖恒易 杜汉盛 王鸿 方华 陈鹰 周鹏云 : 、 、 、 、 、 、 、 。 GB/T349712017 半导体制造用气体处理指南1 范围 本标准规定了半导体制造用气体排放系统的原理及技术 。 本标准适用于半导体制造用气体的处理 。2 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件 。21 . 效率 efficiency 去除的化学物类与其投放量的比率 分数或比例 ( )。22 . 管道末端减排 end-of-pipeabatement 可在废气处理系统的排放点使用的减排技术 。23 . 使用点减排 point-of-useabatement 可在半导体工艺设备气体排放装置的排放点使用的减排技术 。24 . 去除能力 removalcapacity 一种物质可被去除的量 。3 缩略语 下列缩略语适用于本文件 。 化学气相沉积 CVD: (ChemicalVaporDeposition) 外延沉积 EPI: (EpitaxialDeposition) 爆炸下限 LEL: (LowerExplosiveLimit) 低压化学气相沉积 LPCVD: (LowPressureChemicalVaporDeposition) 职业接触限值 OEL: (OcupationalExposureLimit) 等离子体增强化学气相沉积 PECVD : (PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition) 全氟化合物 PFC: (Perfluorocompounds) 使用点 POU: (PointOfUse) 快速热处理 RTP: (RapidThermalProcess) 挥发性有机化合物 VOC : (VolatileO
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