电磁场与电磁波名词解释复习

安培环路定律1）真空中的安培环路定律在真空的磁场中，沿任意回路取B的线积分，其值等于真空的磁导率乘以穿过该回路所限定面积上的电流的代数和。即2）一般形式的安培环路定律在任意磁场中，磁场强度H沿任一闭合路径的线积分等于穿过该回路所包围面积的自由电流（不包括磁化电流）的代数和。即B(返回顶端)边值问题1）静电场的边值问题静电场边值问题就是在给定第一类、第二类或第三类边界条件下，求电位函数的泊松方程()或拉普拉斯方程()定解的问题。2）恒定电场的边值问题在恒定电场中，电位函数也满足拉普拉斯方程。很多恒定电场的问题，都可归结为在一定条件下求拉普拉斯方程()的解答，称之为恒定电场的边值问题。3）恒定磁场的边值问题（1）磁矢位的边值问题磁矢位在媒质分界面上满足的衔接条件和它所满足的微分方程以及场域上给定的边界条件一起构成了描述恒定磁场的边值问题。对于平行平面磁场，分界面上的衔接条件是磁矢位A所满足的微分方程

（2）磁位的边值问题在均匀媒质中，磁位也满足拉普拉斯方程。磁位拉普拉斯方程和磁位在媒质分界面上满足的衔接条件以及场域上边界条件一起构成了用磁位描述恒定磁场的边值问题。磁位满足的拉普拉斯方程

两种不同媒质分界面上的衔接条件

边界条件1．静电场边界条件在场域的边界面S上给定边界条件的方式有：第一类边界条件(狄里赫利条件，Dirichlet)已知边界上导体的电位

第二类边界条件（聂以曼条件Neumann)已知边界上电位的法向导数(即电荷面密度或电力线)

第三类边界条件已知边界上电位及电位法向导数的线性组合

静电场分界面上的衔接条件和称为静电场中分界面上的衔接条件。前者表明，分界面两侧的电通量密度的法线分量不连续，其不连续量就等于分界面上的自由电荷面密度；后者表明分界面两侧电场强度的切线分量连续。电位函数表示的分界面上的衔接条件和，前者表明，在电介质分界面上，电位是连续的；后者表明，一般情况下,电位的导数是不连续的。2恒定电场分界面上的衔接条件和称为恒定电场中分界面上的衔接条件。前者表明，电场强度在分界面上的切线分量是连续的；后者表明电流密度在分界面上的法线分量是连续的。电位函数表示的分界面上的衔接条件3恒定磁场分界面上的衔接条件和称为恒定磁场分界面上的衔接条件。前者表明，磁感应强度在分界面上的法线分量是连续的；后者表明磁场强度在分界面上的切线分量不连续。毕奥－萨伐尔定律毕奥－萨伐尔定律给出了一段电流元Idl与它所激发的磁感强度dB之间的大小关系：考虑到电流元Idl、位矢r和磁场dB三者的方向，电流元的磁场可写成矢量形式：电流元Idl、位矢r和磁场dB三个矢量的方向之间服从右手螺旋法则，由此可确定电流元磁场dB的方向。标量磁位

在传导电流为零的区域内，假设，则式中称为标量磁位。部分电容

在（n+1）个导体构成的静电独立系统中，以0号导体为参考点，则该导体与其它各导体间的电压和电荷的关系可表示为写成矩阵形式，有，其中，系数矩阵C称为部分电容。C10，C20，···，Ck0，···，Cn0称为自有部分电容；C12，C23，···，Ckn，···称为互有部分电容。部分电导

在（n+1）个电极组成的多电极系统中，任意两个电极之间的电流和电压关系可表示为写成矩阵形式，有，其中，系数矩阵G称为部分电导。G10，G20，···，Gk0，···，Gn0称为自有部分电导；G12，G23，···，Gkn，···称为互有部分电导。波阻抗

波阻抗是入射波或反射波的电场强度和磁场强度的比值，它与媒质的物理参数有关，如在自由空间中传播的电磁波的波阻抗，为：

波节（点）

电场（磁场）的零值点。波腹（点）

电场（磁场）的最大值点。波长

电磁波在一个周期内行进的距离称为波长。波导

波导是用来引导电磁波在有限空间中传播，使波不至于扩散到漫无边际的空间中去的结构的总称。C(返回顶端)传导电流

在导电媒质（如导体、电解液）中，电荷的运动形成的电流称为传导电流。传播常数

正弦稳态电磁波中，电场强度E和磁场强度H所满足的复数形式波动方程为：。式中，称为波传播常数。驰豫过程

驰豫过程就是自由电荷在导体中的按指数规律随时间衰减的过程。磁偶极子

磁偶极子是指一个面积dS很小的任意形状的平面载流回路。磁偶极矩

定义m=IS为磁偶极矩。其单位为A·m2（安·米2）。磁化强度

媒质中每单位体积内所有分子磁矩的矢量和，即，其单位为A/m（安/米）磁化

在外磁场作用下，磁偶极子发生旋转，转矩为T=m×B，旋转方向使磁偶极矩方向与外磁场方向一致，对外呈现磁性，称为磁化现象。磁导率

对于各向同性的线性媒质，其磁感应强度和磁场强度的关系为：，其中的称为媒质的磁导率。在SI中，其单位是H/m（亨/米）。磁场能量

磁场中储存的能量称为磁场能量。在SI中，其单位为J（焦）。对于n个回路组成的系统，磁场能量表达式为：。磁场力

载流导体或运动电荷在磁场中所受的力称为磁场力或电磁力。磁场强度

令，则H称为磁场强度。在SI中，它的单位是A/m（安/米）。磁感应强度

磁感强度B（简称B矢量）是表述磁场中各点磁场强弱和方向的物理量，又称磁通密度。其表达式为，在SI中，其单位是T（特斯拉）。磁通

在磁场中,穿过任一面积S的B的通量，称为磁通。在SI中，其单位是Wb（韦〔伯〕）磁屏蔽

主要利用高磁导率材料具有低磁阻的特性，将其制成有一定厚度的外壳，起到磁分路作用，使壳内设备少受磁干扰，达到磁屏蔽。磁通连续原理

磁感应线是闭合的，既无始端又无终端。因此也没有供B线发出或终止的源或沟。这样，对于任意闭合面，都有：。该式表示的磁场性质称为磁通连续性原理的积分形式。而利用高斯散度定理有：，从而可得

，此式则是磁通连续性原理的微分形式。磁准静态场

时变电磁场中，当位移电流密度远小于传导电流密度（即可忽略）时，称为磁准静态场，记作MQS。D(返回顶端)电容

通常，一个电容器是由两个带等量异号电荷的导体组成。它的电容C定义为此电荷与两导体间电压U之比，即：。其单位是F（法）。电感

电感有自感和互感之分。1）在各向同性的线性媒质中，如果磁场由某一电流回路产生，则与回路交链的磁链和电流正比关系，即。其中L称为自感系数，简称自感。在SI中，其单位是H（亨）。2）在线性媒质中，由回路1的电流I1所产生而与回路2交链的磁链和I1成正比，即

；同理，由回路2的电流I2所产生而与回路1交链的磁链和I2成正比，即

。其中，M12和M21分别称为回路2对回路1的互感和回路1对回路2的互感，且M12＝M21。在SI中，互感的单位是H（亨）。电偶极子

两个点电荷＋q和－q相距为d，任一点P至两点电荷连线中心处距离为r。当r>>d时，这一对等量异号的电荷称为电偶极子。电导流经导电媒质的电流与导电媒质两端电压之比，即，其单位为S（西）电场强度E

等于单位正电荷所受的电场力F。，其单位是V/m（伏/米）电位函数

静电场的电场强度E可以用一个标量函数的梯度表示，即定义，这个标量函数称为静电场的标量电位函数。电位

电位函数在空间某一点的值，称为该点的电位。在SI中，其单位为V（伏）。电力线

在描述静电场的图形中，电场强度线简称E线，也称电力线。电力线的微分方程为电压：两点之间的电位差即为该两点之间的电压。等位面

静电场中，将电位相等的点连接起来形成的曲面，称为等位面。它的方程为等位线

等位面和空间中某一平面相交而得的截迹。电位移D

在静电场中定义，则称为D电通量密度，也称电位移，其单位是C/m2（库/米2）。电极化强度P

电介质极化后形成的每单位体积内的电偶极矩，单位是C/m2（库/米2）。其数学表达式为电极化率

在各向同性的线性电介质中，电极化强度与电场强度成正比，即，则称为电极化率。电轴法

用置于电轴上的等效线电荷,来代替圆柱导体面上分布电荷,从而求得电场的方法,称为电轴法。电场能量

电场中所储存的能量，其单位为J（焦）。用场源表示静电长能量为J；用场量表示的静电场能量为。电偶极矩

定义p＝qd为电偶极子的电偶极矩。P的方向是由负电荷指向正电荷，单位为C·m（库·米）。电流密度

当按体密度分布的电荷，以速度v作匀速运动时，形成电流密度矢量J，且表示为

其单位是A/m2（安/米2）。电荷体密度

单位体积中的总电荷。其单位为C/m3（库/米3）。电荷面密度

单位面积内的总电荷。其单位为C/m2（库/米2）。电导率

物质传送电流的能力，是电阻率的倒数。其单位是S/m（西/米）电磁感应定律

闭合回路中的感应电动势E与穿过此回路的磁通随时间的变化率成正比。其数学形式是：。这里规定感应电动势的参考方向与穿过该回路磁通的参考方向符合右手螺旋关系。电磁场能量

时变电磁场中存在的能量。电磁力

载流导体或运动电荷在磁场中所受的力称为磁场力或电磁力。达朗贝尔方程

称为动态位满足的达朗贝尔方程。动态位

在时变电磁场中，矢量磁位A和标量磁位φ都不仅是空间坐标的函数，同时又是时间的函数，所以称为动态位函数，简称动态位。电磁屏蔽

电磁屏蔽一是利用电磁波在金属表面产生涡流，从而抵消原来的磁场；二是利用电磁波在金属表面产生反射损耗和透射波在金属内的传播过程中衰减产生吸收损耗，达到屏蔽的作用。电准静态场

时变电磁场中，当感应电场远小于库仑电场（即可互略）时，称为电准静态场，记作EQS。叠加定理1)静电场叠加原理电场中某一点的电场强度等于各个点电荷单独在该点产生的电场强度的矢量和。它的数学表达式为：2)磁场叠加原理整个载流导线回路在空间中某点所激发的磁感强度B，就是这导线上所有电流元在该点激发的磁感强度dB的叠加（矢量和），即

积分号下的l表示对整个导线中的电流求积分。上式是一矢量积分，具体计算时要用它在选定的坐标系中的分量式。电磁波

变化电磁场在空间的传播称为电磁波。电磁辐射

电磁能量脱离源而单独存在于空间中，这种现象称为电磁辐射。E(返回顶端)F(返回顶端)分离变量法

分离变量法是一种最经典的微分方程法，它适用于求解一类具有理想边界条件的典型边值问题。它的解题步骤为：根据边界的几何形状和场的分布特征选定坐标系，写出对应的边值问题（微分方程和边界条件）；分离变量，将一个偏微分方程，分离成几个常微分方程；解常微分方程，并叠加各特解得到通解；利用给定的边界条件确定积分常数，最终得到电位函数的解。反射波

若在电磁波传播的路径上出现两种媒质的分界面，由于电磁参数发生突变，这时部分电磁波将被反射回去，这部分波称为反射波。反射系数

反射波电场与入射波电场的比值称为反射系数。辐射电阻

令，则Re称为单元偶极子天线的辐射电阻，它表征了天线辐射电磁能流的能力。G(返回顶端)各向同性

指媒质特性不随电场的方向改变。高斯定律1)真空中静电场的高斯定律

在无限大真空静电场中的任意闭合曲面S上，电场强度E的面积分等于曲面内的总电荷的的倍（V是S限定的体积），而与曲面外电话无关。其数学表达式为2)一般形式的高斯定律

无论在真空中还是电介质中，任意闭合曲面S上电通量密度D的面积分，等于该曲面内的总自由电荷，而与一切极化电荷及曲面外的自由电荷无关。其数学表达式为3)高斯定律的微分形式

，它表明静电场中任一点上电通量密度的散度等于该点的自由电荷体密度各向异性

指媒质特性随着电场的方向而改变。感应电动势

由电磁感应引起的电动势叫做感应电动势。感应电场

由变化磁场产生的电场，称为感应电场。H(返回顶端)恒定电场

电源外导体媒质中电流场。横电波

当传播方向上有磁场的分量而无电场分量时，此导行波称为横电波或TE波。横磁波

当传播方向上有电场的分量而无磁场分量时，此导行波称为横磁波或TM波。横电磁波

当传播方向上既无有磁场分量也无电场分量时，此导行波称为横电磁波或TEM波。I(返回顶端)J(返回顶端)截止频率

波在波导中的传播特性取决于传播常数γ，其数学表达式为：，把γ＝0时的频率称为截止频率fc，且。截止波长截止波长是允许电磁波在某种波导中能够传输的最大波长。静电场

相对于观察者为静止的、且其电荷量不随时间变化的电荷所引起的电场，即为静电场。介质极化

在外加电场的作用下，电介质分子中的正负电荷可以有微小的移动，但不能离开分子的范围，其作用中心不再重合，形成一个个小的电偶极子，这种现象称为介质极化。介电常数

对各向同性的电介质，，称为电介质的介电常数，其量纲为F/m；而称为相对介电常数，无量纲。击穿强度

某种材料能安全承受的最大电场强度称为该材料的击穿场强。静电场的折射定律

在静电场中，无自由电荷分布的两种电介质分界面上有，其中、分别为两种电介质中电场强度与分界面法线方向的夹角。这一定律称为静电场的折射定律。镜像法

将平面、圆柱面或球面上的感应电荷分布（或束缚电荷分布）用等效的点电荷或线电荷（在场区域外的某一位置处）替代并保证边界条件不变。原电荷与等效电荷（即通称为像电荷）的场即所求解。镜像法的主要步骤是确定镜像电荷的位置和大小。静电屏蔽

静电屏蔽是利用导体在静电场中达到平衡状态时具有的下列性质：（1）导体内电场为零；（2）导体是等位体；（3）电荷只分布在导体表面。因而把导体空腔接地，就可以把导体内、外的场分割为两个互不影响的独立系统，达到屏蔽的目的。静电能量

静电场中的储能称为静电能量。其单位为J（焦）用场源表示的静电能量（1）若有n个点电荷的系统，静电能量为（2）若是连续分布的电荷，，则

用场量表示的静电能量

静电能量密度

静电场中任一点的静电能量密度定义为：，其单位为。静电力

在静电场中，各个带电体受到的电场力，称为静电力。其数学表达式为：F=qE。近区

在单位偶极子激发的电磁场中，满足条件r<<λ的区域称为近区场，简称近区。集肤效应

在MQS近似中，导体中同时存在自由电流和感应电流。靠近轴线处，场量减小；靠近表面处，场量增加，这种现象称为集肤效应。静电比拟

在一定条件下，可以把一种场的计算或实验所得的结果，推广应用于另一种场，这种方法称为静电比拟。交流内阻抗

导体内部电磁场引起的阻抗，称为交流内阻抗。且其数学表达式为：。均匀平面电磁波

等相位面上E、H处处相等的电磁波。接地电阻

就是电流由接地装置流入大地再经大地流向另一接地体或向远处扩散所遇到的电阻，它包括接地线和接地体本身的电阻、接地体与大地的电阻之间的接触电阻以及两接地体之间大地的电阻或接地体到无限大远处的大地电阻。K(返回顶端)库仑定律

在无限大真空中，当两个静止的小带电体之间的距离远远大于它们本身的几何尺寸时，该两带电体之间的作用力可表示为：

和

上述这一规律称为库仑定律。跨步电压

地面上行走的人的两足间的电压。L(返回顶端)拉普拉斯方程

在静电场中，在自由电荷体密度的区域内，电位函数满足方程，该方程称为拉普拉斯方程理想导体

电导率为无限大的导体。理想电介质电导率为零的媒质称为理想电介质。邻近效应

相互靠近的导体通有交变电流时,会受到邻近导体的影响，这种现象称为邻近效应。M(返回顶端)面电流密度

按体密度ρ分布的电荷，以速度v作匀速运动是，形成电流密度矢量J，又称面电流密度，其单位是A/m2（安/米2）。其数学表达式为：。N(返回顶端)O(返回顶端)P(返回顶端)平面电磁波

等相位面为平面构成的电磁波。平行平面场

场分布在每个平行截面都相同的电场或磁场称为平行平面场。泊松方程

在静电场中，电位函数满足方程为，其中为自由电荷体密度，该方程称为泊松方程。坡印亭矢量

在单位时间内通过垂直于能量传播方向的单位面积的电磁能量，称为坡印亭矢量，也称电磁能流密度。其方向是电磁能量传播或流动的方向。其数学表达式为

。其单位是W/m2。坡印亭定理

称为坡印亭定理。其物理意义是：体积V内电源提供的功率，减去电阻消耗的热功率，减去电磁能量的增加率，等于穿出闭合面S的电磁功率。Q(返回顶端)全电流定律

对于非恒定的电流，有，此式称为全电流定律。与它相应的微分形式是：。全反射

当反射系数时，电磁波在介质分界面上发生了全反射，此时入射波被全部反射回介质1中。全折射

当反射系数为零时，电磁波在介质分界面上发生了全折射。R(返回顶端)入射波

若在电磁波传播的路径上出现两种媒质的分界面，则方向为射入分界面的波称为入射波。入端阻抗

定义空间任意点x处，合成波的电场强度与磁场强度的比值为x处的入端阻抗，用Z(x)表示，即。S(返回顶端)矢量磁位

由于磁场的无散性，可以引入一个矢量函数A使

B=×A，式中A称为恒定磁场的磁示位，也称矢量磁位。束缚电荷

电介质中的电子被原子核所束缚而不能自由运动，称为束缚电荷。似稳场

任一时刻，电、磁场的分布规律分别与静态场中电、磁场相同，称之为似稳条件

条件r<<λ称为似稳条件。衰减常数

若电磁波按正弦周期变化，以入射波电场为例，其波动方程的复数形式为（设电磁波向+x方向传播，E=Eyey）方程解的相量形式为

，方程解的瞬时形式为

，式中，k称为传播常数，表示式为，而称为衰减常数，它决定电磁波衰减的快慢，其单位为Np/m（奈伯/米）。T(返回顶端)铁磁媒质

磁导率比周围空气磁导率大很多的媒质称为铁磁媒质。透入深度

时变电磁场中，电流密度、电场强度和磁场强度的振幅沿导体的纵深都按指数规律衰减，即愈深入导体内部，场量愈小。当频率很高时，场量几乎在导体表明附近一薄层中存在。这种场量主要集中在导体表面附近的现象，称为集肤效应。工程上常用透入深度d表示场量在良导体中的集肤程度。d定义为场量振幅衰减到其表面值的1/e时所经过的距离，即

，在良导体情形下，d的计算公式近似为。U(返回顶端)V(返回顶端)W(返回顶端)唯一性定理

在静电场中，凡满足电位微分方程和给定边界条件的解，是给定静电场的唯一解，称为静电场的唯一定理。无畸变传输线

称为无畸变条件。当非正弦信号在满足无畸变条件的有损耗传输线上传播时，可以消除振幅畸变和相位畸变。满足