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  • 1993-03-12 颁布
  • 1993-12-01 实施
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GB/T 14264-1993半导体材料术语_第1页
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文档简介

UDC669.87H80中华人民共和国国家标准GB/T14264-93半导体材料术语Semiconductormaterials-Termsanddefinitions1993-03-12发布1993-12-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准半导体材料术语GB/T14264-93SemiconductormaterialsTermsanddefinitions主题内客与适用范围本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面治污等方面的主要术语和定义本标准适用于元素和化合物半导体材料。一般术语2.1半导体semiconductor电阻率介于导体与绝缘体之间，其范围为10-～10"0·cm的一种固体物质。在较宽的温度范围内，电阻率随温度的升高而减小。电流是由带正电的空穴和带负电的电子的定向传输实现的。半导体按其结构可分为三类：单品体、多晶体和非晶体。2.2元素半导体elementalsemiconductor由一种元素组成的半导体。硅和错是最常用的元素半导体。2.3化合物半导体compoundsemiconductor由两种或两种以上的元素化合而成的半导体，如砷化像、缘铝砷等2.4本征半导体intrinsicsemiconductor晶格完整且不含杂质的单品半导体，其中参与导电的电子和空穴数目相等。这是一种实际上难以实现的理想情况。实用上所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质，导电性能与理想情况很相近的半导体。2.5导电类型conductivitytype半导体材料中多数教流子的性质所决定的导电特性2.6n-型半导体n-typesemiconductor多数载流子为电子的半导体2.7p-型半导体p-typesemiconductor多数载流子为空穴的半导体。2.8空穴hole半导体价带结构中一种流动空位，其作用就像一个具有正有效质量的正电子电荷一样。2.9受主accepter半导体中其能级位于禁带内，能“接受”价带激发电子的杂质原子或晶格缺陷，形成空穴导电：2.10施主donor半导体中其能级位于禁带内，能向导带“施放”电子的杂质原子或品格缺陷,形成电子导电。2.111载流子carrier固体中一种能传输电荷的载体,又称荷电载流子

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