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文档简介

PN空间电荷区8.2.1 PN结一、PN结的形成

1、浓度差引起载流子的扩散运动2、内电场引起载流子的漂移运动耗尽层8.2

半导体二极管内电场3、动态平衡时PN结中的电流：扩散电流等于漂移电流，PN结中的电流为零。(1)外加正向电压内电场方向外电场方向ERIP

区N

区外电场驱使P区的空空间电穴荷N进区区入电变空窄子间进入空间电荷区电荷区抵消一部分负空抵间消电一荷部分正空间电荷扩散运动增强，形成较大的正向电流二、PN结的单向导电特性P区

N

区ER空间电荷区变宽内电场方向外电场方向IR(2)

外加反向电压少数载流子越过PN

结形成很小的反向电流外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走多数载流子的扩散运动难于进行三、PN结的击穿1、齐纳击穿：（击穿电压低）4伏以下。浓度高时，PN结窄，在同样电压下，反向电场很强，从而破坏共价键的结构，把电子拉出来。2、雪崩击穿：（击穿电压高）6伏以上。浓度低时，：PN结宽，电子在PN结中被加速，当遇到价电子时，就可以把其撞出

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