电子元件符号介绍

常用电子元器件参考资料图形符号

第一节局部电气图形符号一．电阻器、电容器、电感器和变压器名称与说明 图形符号

名称与说明电阻器一般符号

电感器、线圈、绕组或扼流图。注：符号中半圆数3个可变电阻器或可调电阻器

带磁芯、铁芯的电感器带磁芯连续可调的电感器滑动触点电位器极性电容

双绕组变压器注：可增加绕组数目可变电容器或可调电容器

绕组间有屏蔽的双绕组变压器注：可增加绕组数目双联同调可变电容器。

在一个绕组上有抽头的变压器微调电容器发光二极管PNP发光二极管PNP型晶体三极管光电二极管稳压二极管NPN型晶体三极管全波桥式整流器变容二极管图形符号名称与说明图形符号名称与说明(1)JFET结型场效应二极管的符号管(2)N沟道P沟道三．其它电气图形符号图形符号 名称与说明图形符号名称与说明具有两个电极注：电极数目或接机壳或底板可增加熔断器导线的连接指示灯及信号导线的不连接灯扬声器动合(常开)触点开关蜂鸣器动断(常闭)触点开关接大地手动开关其次节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器电阻器和电位器的型号命名方法第一局部：主称其次局部：材料符第三局部：特征分类符 意义第一局部：主称其次局部：材料符第三局部：特征分类符 意义第四局部：序号对主称、材料一样，仅性能指标、尺寸大小有差异，但根本不影响互换使用的产品，赐予同一序号；假设性能指标、尺寸大小时，则在序号后面用大写字母作为区分代号。符号意义号意义号电阻器电位器R电阻器T碳膜1一般一般W电位器H合成膜2一般一般S有机实芯3超高频――N无机实芯4高阻――J金属膜5高温――Y氧化膜6――――C沉积膜7周密周密I玻璃釉膜8高压特别函数P硼碳膜9特别特别U硅碳膜G高功率――X线绕T可调――M压敏W――微调G光敏D――多圈R热敏B温度补偿用――C温度测量用――P旁热式――W稳压式――Z正温度系数――例如：周密金属膜电阻器R J 7 3多圈线绕电位器W X D 3

第四局部：序号第三局部：类别〔周密〕其次局部：材料〔金属膜〕第一局部：主称〔电阻器〕第四局部：序号第三局部：类别〔多圈〕其次局部：材料〔线绕〕第一局部：主称〔电位器〕电阻器的主要技术指标额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时肯定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功2所示。名称额定功率〔W〕表名称额定功率〔W〕实芯电阻器0.250.5125－0.51261015线绕电阻器253550751001500.0250.050.1250.250.51薄膜电阻器25102550100标称阻值3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。标称值系列精度电阻器标称值系列精度电阻器、电位器、电容器标称值P〕1.01.11.21.31.51.61.82.0E245%2.22.42.73.03.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.11.01.21.51.82.22.7E1210%3.33.94.75.66.88.2－－E620%1.01.52.23.34.76.88.2－10nn为正整数或负整数。允许误差(%)允许误差(%)等级符号(%)等级符号电阻的精度等级0.0010.002 0.0050.010.020.050.1EX YHUWB0.20.5 1251020CD FGJ〔I〕K〔II〕M〔III〕电阻器的标志内容及方法文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额阻值和其次位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表51R51.5，2K7表2.7k，表５文字符号RKMGT表示单位欧姆()千欧姆(103)兆欧姆(106)千兆欧姆(109)兆兆欧姆(1012)例如：RJ71－0.125－5k1－II允许误差10%标称阻值(5.1k)额定功率1/8W型号由标号可知，它是周密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1k，允许误差为10%。色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色〔色环或色点〕标注在它的外外表上。色标电阻〔色环电阻〕器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义12所示。标称值第一位有效数字标称值其次位有效数字0的个数允许误差颜色第一位有效值其次位有效值倍率允许偏差黑00棕11红22橙33黄44绿55蓝66紫77灰88白99―20%~+50%金5%银10%无色20%图1 两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值〔2010102＝1.0k20%的电阻器。〔二位有效数字〕15103＝15k5%的电阻器。〔三位有效数字〕275104＝2.75M1%的电阻器。一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的〔1.5~2〕倍。有些色环电阻器由于厂家生产不标准，无法用上面的特征推断，这时只能借助万用表推断。标称值第一位有效数字颜色第一位有效值其次位有效值第三位有效值倍率允许偏差黑000棕1111%红2222%橙333黄444绿5550.5%蓝6660.25紫7770.1%灰888白999金银标称值其次位有效数字标称值第三位有效数字0标称值其次位有效数字标称值第三位有效数字0的个数允许误差电位器的主要技术指标额定功率电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率率不等于中心抽头与固定端的功率。标称阻值标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。允许误差等级实测阻值与标称阻值误差范围依据不同精度等级可允许20%10%5%2%1%的误差。周密电位器的精度可达0.1%。阻值变化规律〔或滑动行程何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式〔指数式。在使用中，直线式电位器适合于作分压器；反转对数式〔指数式电位器适合于作收音机、录音机、电唱机、电视机中的音量掌握器。修理时假设找不到同类品，可用直线式代替，但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调掌握等。电位器的一般标志方法WT－2 3.3k 10%WX－1 510 J

允许误差10%额定功率2W碳膜电位器允许误差5%标称阻值510额定功率1W线绕电位器二．电容器电容器型号命名法其次局部：第三局部：称材料其次局部：第三局部：称材料特征、分类第四局部：符号意符符意义序号对主称、材料一样，仅尺寸、性能指标略有不同，但根本不影响互使用的产品，赐予同一序号；假设尺寸性能指标的差异明显；影响互换使用时，则在序号后面用大写字母作为区别代号。义号意义号瓷介云母玻璃电解其他电C瓷介1圆片非密封－箔式非密封容Y云母2管形非密封－箔式非密封器I玻璃釉3迭片密封－烧结粉固体密封O玻璃膜4独石密封－烧结粉固体密封Z纸介5穿心－－－穿心J金属化纸6支柱－－－－B聚苯乙烯7－－－无极性－L涤纶8高压高压－－高压Q漆膜9－－－特别特别S聚碳酸脂J金属膜H复合介质W微调D铝A钽N铌G合金T钛E其他例如：铝电解电容器C D 1 1圆片形瓷介电容器C C 1－1纸介金属膜电容器C Z J X

第四局部：序号第三局部：特征分类〔箔式〕其次局部：材料〔铝〕第一局部：主称〔电容器〕第四局部：序号第三局部：特征分类〔圆片〕其次局部：材料〔瓷介质〕第一局部：主称〔电容器〕第四局部：序号第三局部：特征分类〔金属膜〕其次局部：材料〔纸介〕第一局部：主称〔电容器〕电容器的主要技术指标电容器的耐压：常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V，10V，16V，25V，40V，63V，100V，160V，250V，400V。电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表7所示。7+20%+50%+100%容许误差2%5%10%20%-30%-20%-10%级别0.2IIIIIIIVVVI電容常用字母代表誤差﹕B:±0.1﹪,C:±0.25﹪,D:±0.5﹪,F:±1﹪,G:±2﹪,J:±5﹪,K:±10﹪,M:±20﹪,N:±30﹪,Z:+80﹪-20﹪。标称电容量：表8 固定式电容器标称容量系列和容许误差系列代号E24E12E6容许5%〔I〕或〔J〕10%〔II〕或〔K〕20%〔III〕或〔m〕误差标10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,10,12,15,18,22,27,33,39,10,15,22,23称47,51,56,62,68,75,82,9047,56,68,82,47,68容量对应值注标称电容量为表中数值或表中数值再乘以 其中n为正整数或负整数单位为pF。电容器的标志方法直标法容量单位：F〔法拉、F〔微法、nF〔纳法、pF〔皮法或微微法。1法拉=1×106微法=1×1012微微法，1微法=1×103纳法=1×106微微法1纳法=1×103微微法例如：4n7 表示4.7nF或4700pF，0.22 表示0.22F，51 表示51pF。1的两位以上的数字表示单位为pF101100pF；用小于1的数字表示单位为F0.10.1F。数码表示法一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字，10i，i910-1223J代表5%479K4710-1pF，允许误差为5%的电容。这种表示方法最为常见。pF。有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22023pF。三．电感器电感器的分类偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。电感器的主要技术指标电感量:在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比其比例常数称为自感系数，用L表示，简称为电感。固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感器的固有电容。额定电流：线圈中允许通过的最大电流。线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻。2．电感器电感量的标志方法直标法。单位H〔亨利、mH〔毫亨、H〔微亨、数码表示法。方法与电容器的表示方法一样。色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相像，色码一般有四种颜色，前两种颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为H，第四种颜色是误差位。四．半导体分立器件半导体分立器件的命名方法我国半导体分立器件的命名法第一局部其次局部第三局部G高频小功率管第一局部其次局部第三局部G高频小功率管〔 3MHzP<1W〕CFHPINJG复合管PIN型管激光器件第四局部第五局部用数字表示器用汉语拼音字母表示器用汉语拼音字母用数字件电极的数目件的材料和极性表示器件的类型表示器件符 意义符 意义符意义 符意义序号号号号号代号2 二极管A N型，锗材料P一般管 D低频大功率管B P型，锗材料V微波管〔 ＜3MHz,C N型，硅材料W稳压管P1W)CD P型，硅材料C参量管 A高频大功率管Z整流管〔 3MHz3 三极管A PNP型，锗材料L整流堆P1W〕CB NPN型，锗材料S隧道管 T半导体闸流管C PNP型，硅材料N阻尼管(可控硅整流器)D NPN型，硅材料U光电器件 Y体效应器件E 化合物材料K开关管 B雪崩管X低频小功率管 J阶跃恢复管〔 ＜3MHz, CS场效应器件P<1W〕 BTC半导体特别器件例：锗材料PNP型低频大功率三极管： 2)硅材料NPN型高频小功率三极管：3 A D 50 C3DG201B规格号规格号序号序号低频大功率PNP型、锗材料三极管低频大功率PNP型、锗材料三极管3)N型硅材料稳压二极管： 4)单结晶体管：B T 33 EB T 33 E序号 规格号稳压管 耗散功率N型、硅材料 三个电极二极管 特种管半导体国际电子联合会半导体器件命名法表10 国际电子联合会半导体器件型号命名法第一局部用的材料

其次局部用字母表示类型及主要特性

第三局部

第四局部型号者分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义检波、开关和M封闭磁路中的A锗材料A混频二极管霍尔元件通用半B变容二极管P光敏元件三导体器件低频小功率三位的登记序C极管Q发光器件数号〔同一B硅材料D低频大功率三极管R小功率可控硅字类型器件使用同一AE隧道二极管E隧道二极管S小功率开关管登记号〕C砷化镓高频小功率三一F极管T大功率可控硅个专用半复合器件字导体器件D锑化铟G及其它器件U大功率开关管母的登记序H磁敏二极管X倍增二极管加号〔同一开放磁路中的两类型器件复合材K霍尔元件Y整流二极管位使用同一R料高频大功率三稳压二极管即 数 登记号〕L极管Z齐纳二极管 字例如〔命名：A F239 S志AF239型某一参数的S档一般用登记序号高频小功率三极管锗材料国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：这种命名法被欧洲很多国家承受。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母A，B，C，DR的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。第一个字母表示材料AB表示硅管，但不表示极性NPN型或PNP型。其次个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。假设记住了这些字母的意义，不查手册也可以推断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。AC184为PNPAC185则为NPN型。第四局部字母表示同一型号的某一参数〔如hFE或N

〕进展分档。F型号中的符号均不反映器件的极性〔指NPN或PN。极性确实定需查阅手册或测量。美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱命名法，即美国电子工业协会〔EIA〕规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表11所示。第一局部其次局部用数字表示第一局部其次局部用数字表示PN结的数目第三局部(EIA)注册标志第四局部登记挨次号第五局部器件分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义JAN1二极管J军用品2三极管多该器件在A3三个PNN位美国电子工B结器件数业协会登记C无非军用品nn个PN登记字的挨次号D别结器件例：1)JAN2N29042)1N4001JAN 2 N 29041N4001EIA登记序号EIA登记序号EIA注册标志EIA注册标志三极管二极管军用品美国晶体管型号命名法的特点：型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。组成型号的第一局部是前缀，第五局部是后缀，中间的三局部为型号的根本局部。1N、2N或3N开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。第四局部数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如，2N3464为硅NPN2N3465为N沟道场效应管。不同厂家生产的性能根本全都的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差特别用后缀字母表示。因此，型号一样的器件可以通用。登记序号数大的通常是近期产品。日本半导体器件型号命名法〔包括晶体管本工业标准〔JIS〕规定的命名法〔JIS－C－702〕命名的。及意义如表12所示。第六、七局部的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六局部的符号表示特别的用途及特性，其常用的符号有：M－松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上防卫队参谋部有关标准登记的产品。N－松下公司用来表示该器件符合日本播送协会〔NHK〕有关标准的登记产品。Z－松下公司用来表示专用通信用的牢靠性高的器件。H－日立公司用来表示专为通信用的牢靠性高的器件。K－日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的牢靠性高的器件。T－日立公司用来表示收发报机用的推举产品。G－东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。S－三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。R，G，n-1或具有结的晶体管Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作为直流放大系数n-1或具有结的晶体管第一局部其次局部第三局部第四局部第五局部用数字表示类型S表示日本电子用字母表示器件用数字表示在用字母表示或有效电极数工业协会的极性及类型日本电子工业对原来型号〔EIAJ〕的注册协会登记的顺的改进产品产品序号符号符符符符号意义号 意义号 意义号 意义意义光电(即光APNP型高频管从11ABCDEF用)BPNP型低频管开头，表字母0管、晶体SCNPN型高频管四示在日本表示管及其组会(EIAJ)注DNPN型低频管位电子工业对原合管以协会注册来型1二极管FP掌握极可控上登记的顺号的立器件硅的序号，不改进三极管、GN掌握极可控数同公司性产品具有两个硅字能一样的2以上PNHN基极单结晶器件可以结的其他体管使用同一晶体管JP沟道场效应挨次号，管其数字越KN沟道场效应管期产品具有四个M双向可控硅3有效电极或具有三个PN结的晶体管n个有效电极例如：1〕2SC502A〔日本收音机中常用的中频放大管〕2 S C 502 A2SC502型的改进产品日本电子工业协会登记挨次号NPN型高频三极管日本电子工业协会注册产品三极管〔两个PN结〕2〕2SA495〔日本夏普公司GF－9494收录机用小功率管〕2 S A 495日本电子工业协会登记挨次号PNP高频管日本电子工业协会注册产品三极管〔两个PN结〕日本半导体器件型号命名法有如下特点：型号中的第一局部是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。其次局部均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。A表示PNPJ表示P沟道场效应三极管。但是，第三局部既不表示材料，也不表示功率的大小。第四局部只表示在日本工业协会〔EIAJ〕注册登记的挨次号，并不反映器件的性能，2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，登记挨次号能反映产品时间的先后。登记挨次号的数字越大，越是近期产品。第六、七两局部的符号和意义各公司不完全一样。2S省略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A简化为C502A。在低频管〔2SB和2SD型〕中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征fT100MHz，所以，它们也可当高频管用。日本通常把Pcm1W的管子，称做大功率管。常用半导体二极管的主要参数普通检波二极管锗开关二极管普通检波二极管锗开关二极管参最大正向压反向最高反反向零偏反向恢复时类数整流(在击穿向工作电流压电间/ns型型号电流/mA/mA左栏电流值电/V压电压/V/A容/pF下)/V2AP92.54020fH(MHz)1502AP7165115010025012AP112AP17251510101101002501fH(MHz)402AK130102AK21501402032002AK52000.9604021502AK1010170502AK142500.77050硅2CK70A~E103开关2CK71A~E2CK72A~E20300.8A30B45A20B301.5450C60C401001501D75E90D50E6015200最大正向压反向最高反反向零偏反向恢复时整流(在击穿向工作电流压电间/ns电流/mA左栏电电压电压/V/A容/mA流值/V/pF下)/V2520.116005060.31100050100.5110005020111000256530.8100050301151.41010005020031.2101000二极管二极管类型2CK73A~E2CK74A~D2CK75A~D2CK76A~D参数型号整流二极管2CZ52BH2CZ53BM2CZ54B M2CZ55B M2CZ56B B1N4001 40071N5391 53991N5400 5408表14 几种单相桥式整流器的参数参数不重复正向整流正向电反向漏反向工作电压/V最高工作型号浪涌电流/A电流/A压降/V电/AQL110.05QL220.125，QL460.31050，100，200，400，QL5100.51.2500，600，700，800，130QL6201900，1000QL7QL7QL840602315常用稳压二极管的主要参数表15 局部稳压二极管的主要参数测试条件参型 数号工作电流为/V稳定电压下流/mA环境温度<50oC电流/mA流稳定电流下阻/稳定电流下数/10-4/oC环境温度＜10oC功率/W2CW512.5~3.571560-92CW523.2~4.555270-82CW534~5.841150-6~42CW545.5~6.5103830 -3~52CW567~8.8271570.252CW578.5~9.8260.52082CW5910~11.8203092CW6011.5~12.55194092CW1034~5.850165120-6~42CW11011.5~12.520760.520912CW11316~1910520.540112CW1A5302402012CW6C153070812CW7C6.0~6.51030100.050.2常用半导体三极管的主要参数(1)3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管原型号型号3AX313AX51A3AX51B原型号型号3AX313AX51A3AX51B3AX51C3AX51D测试条件数交流参数hfehFE色标分档－－－－(红)25~60；(绿)50~100；(蓝)90~150PCM(mW)100100100100Ta＝25oC极ICM(mA)100100100100限参TjM(oC)BVCBO(V)7530753075307530IC＝1mA数BVCEO(V)12121824IC＝1mA直ICBO(A)12121212VCB＝-10V流ICEO(A)500500300300VCE＝-6V参IEBO(A)12121212VEB＝-6VhFE40~15040~15030~10025~70VCE＝-1V IC＝50mAf(kHz)500500500500VCB＝-6V IE＝1mANF(dB)－8－－VCB＝-2V IE＝0.5mA f＝1kHzhie(k)hre(10)hoe(s)0.6~4.52.2800.6~4.52.2800.6~4.52.2800.6~4.52.280VCB＝-6VIE＝1mAf＝1kHzBB管脚EC〔2〕3AX81型PNP型锗低频小功率三极管表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数型号3AX81A3AX81B测试条件PCM(mW)200200极限ICM(mA)200200参数TjM(oC)7575BVCBO(V)-20-30IC＝4mABVCEO(V)-10-15IC＝4mABVEBO(V)-7-10IE＝4mA直流ICBO(A)ICEO(A)30100015700VCB＝-6VVCE＝-6V参数IEBO(A)VBES(V)300.6150.6VEB＝-6VVCE＝-1V IC＝175mAVCES(V)hFE沟通 f(kHz)参数

0.6540~2706

0.6540~2708

VCE＝VBE VCB＝0 VCE＝-1V IC＝175mAVCB＝-6V IE＝10mA色标分档管脚

(黄)40~55绿)55~80蓝)80~120紫)120~180灰)180~270白)270~400BE C〔3〕3BX31型NPN型锗低频小功率三极管表18 3BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数型号3BX31M3BX31A3BX31B3BX31C测试条件PCM(mW)125125125125Ta=25oC极限ICM(mA)125125125125参数TjM(oC)75757575BVCBO(V)-15-20-30-40IC＝1mABVCEO(V)-6-12-18-24IC＝2mABVEBO(V)-6-10-10-10IE＝1mAICBO(A)2520126VCB＝6V直流ICEO(A)1000800600400VCE＝6V参数IEBO(A)2520126VEB＝6VVBES(V)0.60.60.60.6VCE＝6V IC＝100mAVCES(V)0.650.650.650.65VCE＝VBE VCB＝0 IC＝125mAhFE80~40040~18040~18040~180VCE＝1V IC＝100mA沟通f(kHz)－－8f465VCB＝-6V IE＝10mA参数色标分档管脚

(黄)40~55(绿)55~80(蓝)80~120(紫)120~180(灰)180~270(白)270~400BE C3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管原型型号号3DG63DG100A3DG100B3DG100C3DG100D测试条件原型型号号3DG63DG100A3DG100B3DG100C3DG100D测试条件极限参数直流参数CBE管脚ECPCM(mW)100100100100ICM(mA)20202020BVCBO(V)30403040IC＝100µABVCEO(V)20302030IC＝100µABVEBO(V)4444IE＝100AICBO(A)0.010.010.010.01VCB＝10VICEO(A)0.10.10.10.1VCE＝10VIEBO(A)0.010.010.010.01VEB＝1.5VVBES(V)1111IC＝10mAIB＝1mAVCES(V)1111IC＝10mAIB＝1mAhFE30303030VCE＝10VIC＝3mAfT(MHz)150150300300V＝10VIL交KP(dB)7777＝-6VVCBIE＝3mA f＝100MHz流参Cob(pF)4444VCB＝10VIE＝0数hFE色标分档(红)30~60(绿)50~110(蓝)90~160(白)>150B3DG130(3DG12)NPN型硅高频小功率三极管原 型 型号号3DG123DG130A3DG130B3DG130C3DG130D测试条件原 型 型号号3DG123DG130A3DG130B3DG130C3DG130D测试条件PCM(mW)700700700700极ICM(mA)300300300300限参数BVCBO(V)BVCEO(V)BVEBO(V)40304604544030460454IC＝100µAIC＝100µAIE＝100AICBO(A)0.50.50.50.5VCB＝10V直ICEO(A)1111VCE＝10V流IEBO(A)0.50.50.50.5VEB＝1.5V参VBES(V)1111IC＝100mAIB＝10mA数VCES(V)0.60.60.60.6IC＝100mAIB＝10mA流5参KP(dB)666610V I50mA ＝100MHzVCB E数Cob(pF)10101010VCB＝10V IE＝0hFE色标分档(红)30~60(绿)50~110(蓝)90~160(白)>150hFEhFE30150301503030030300VCE＝10V IC＝50mA交V＝10VI＝50mAf＝100MHzR＝CBELB管脚EC数沟通参数VBES(V)hFE数沟通参数VBES(V)hFECob(pF)K(dB)PhFE色标分档(红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)>150管脚EBC(3DG)(3CX)(3DX)(3DG)(3CG)(3DG)(3DG)型号9011901290139014901590169018极PCM(mW)200300300300300200200限ICM(mA)20300