高二物理竞赛课件间隙半导体_第1页
高二物理竞赛课件间隙半导体_第2页
高二物理竞赛课件间隙半导体_第3页
高二物理竞赛课件间隙半导体_第4页
高二物理竞赛课件间隙半导体_第5页
已阅读5页，还剩7页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

间隙半导体间隙半导体中，如Si,Ge,GaP,

载流子寿命足够长，

可形成电子-空穴液滴EHD.而直隙半导体中,尽管在足够强的泵浦下,EHP可以产生，但是由于载流子寿命很短

分直隙半导体无法产生EHL.间隙半导体中EHP大部1.发光谱●设为T=0KEHP的基态能量，●

EHP的束缚能T=0抛物能带存在①间隙半导体中发光过程伴随声子过程。②EHL发光频率范围很宽：

高能端是自由激子复合发光。③发光谱线型不随泵浦强度而改变。而EHL发光谱与FE发光谱之比与EHL和FE所占体积之比有关。④对于确定的临界温度

EHL开始发光时

对应共存区低密度端，而高密度端

可由等离子发光谱线型分析得出。⑤辐射强度●自发辐射其中动能为

量守恒，费米子占有率为表示能假设跃迁几率与能量无关，

包含跃迁几率和其它系数。●受激辐射以上

中

但是跃迁几率极小，故受激辐射不重要。因此Si不能用于制作激光二极管。⑥经谱线分析可以得出

等。Si的

Ge

⑦导带的多谷结构降低电子的动能，有利于稳定等离子体。对单轴施加应力，使得简并的导带移动，这些结果都可以影响动能和化学势。

①每滴包含约

电子-空穴对。

②EHD可以被杂质束缚。③在纯净半导体中，EHD可以在空间扩散。若空间中存在声子数梯度，热流（声子风）会驱动EHD扩散。上图

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 中学教育

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论