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文档简介
半导体场效应晶体亚阈值电导理想ID-VD关系中，当VG
VTH时，MOSFET截止，ID=0实际器件，当VG
VTH时，ID并不为0，把VG
VTH时的漏电流称为亚阈值电流半导体场效应晶体理想和实验函数关系的比较
s<2fp时，在半导体表面EF更靠近EC，表面处于弱n型，沟道中存在少量电子，使沟道导通。
fp<s<2fp夹断前夹断后漏端电流反比于沟道长度，考虑沟道调制效应例题例1.一个理想的N沟道MOSFET,在T=300K下进行特性分析，器件参数为：VG-VT<VDVG-VT>VD24VGVD=2VVD=4VVD=6V下图给出了理想MOSFET的ID-VD特性图，所给特性中IDS=10-3A,VDS=5V，请用平方律理论及图中所给信息回答下列问题：（1）若阈值电压VTH=1V,为了得到图中的特性曲线，需要在栅极施加多大的电压？（2）若x0=0.1
m,MOSFET偏置在图中点2处，求其沟道区靠近漏端单位面积（每平方厘米）上的反型层电荷?（3）假设栅极电压被调整到VG-VTH=3V，求VD=4V时的ID?（4)若图中点3为该MOSFET的静态工作点，请求出沟道电导(5)
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