宝石合成方法及原理汇总综述

宝石合成原理与方法（汇总）第一章绪论要点人造宝石材料的重要性人造宝石材料的发展基本概念晶体生长基本理论一、人造宝石材料的重要性随着科学技术的发展，人民生活水平不断提高，人类对宝石的需求也逐渐增加。然而天然宝石材料的资源毕竟是有限的，而人工宝石材料能够大批量生产，且价格低廉，故人工宝石材料在市场上占有较大的份额。随着科学技术的发展，人工宝石材料的品种日益繁多，合成宝石 的特性也越来越接近天然品种。宝石学家不断面临鉴别新的人造宝石材料的挑战。某些人工的晶体材料也用于工业产品及设备的制造及生产中。例如，人造钇铝榴石 被广泛用于激光工业，合成水晶是用作控制和稳定无线电频率的振荡片和有线电话多路通讯滤波元件及 雷达、声纳发射元件等最理想的材料。二、人造宝石材料的发展人工制造宝石的历史可追溯到1500年埃及人用玻璃模仿祖母绿、青金石和绿松石等。人工合成宝石始于18世纪中期和19世纪，由于矿物学研究的发展以及化学分析方法取得的进展，使人们逐渐掌握了宝石的化学成分及性质，加上化学工业的发展以及对结晶过程的认识，人工合成宝石才变为现实。1892年岀现了闻名的“日内瓦红宝石”，这是用氢氧火焰使品质差的红宝石粉末及添加的致色剂铬熔融，再重结晶形成优质红宝石的方法。随后，这种方法经改进并得以商业化。1890年，助熔剂法 合成红宝石获得成功；1900年助熔剂法 合成祖母绿 成功。从此，宝石合成业 飞速地发展起来。合成尖晶石、蓝宝石、金红石、钛酸锶等逐渐面市。1953年合成工业级钻石、1960年水热法合成祖母绿及1970年宝石级合成钻石也相继获得成功。我国的人工宝石材料的生产起步较晚。五十年代末，为了发展我国的精密仪器仪表工业，从原苏联引进了 焰熔法合成刚玉的设备和技术，六十年代投产后，主要用于手表轴承材料的生产。后来发展到有20多家焰熔法合成宝石的工厂，能生长岀各种品种的刚玉宝石、尖晶石、金红石和钛酸锶等。我国进行水热法生长水晶的研究工作，始于1958年。目前几乎全国各省都建立了合成水晶厂。我国的彩色石英从1992年开始生产，现在市场上能见到的各种颜色品种的合成石英。七十年代，由于工业和军事的需要，尤其是激光研究的需要，我国先后用提拉法生产了人造 钇铝榴石（YAG和钆镓榴石（GGG晶体，它们曾一度被用于仿钻石。1982年，我国开始研究合成立方氧化锆的生产技术，1983年投产。由于合成立方氧化锆 的折射率高、硬度高、产量大、成本低，很快取代了其它仿钻石的晶体材料。广西宝石研究所1993年成功生产水热法合成祖母绿， 产的，至八十年代末，我国已有 300余家合成工业用钻石的厂家。但宝石级合成钻石的生产还在 探索之中。1995年，我国采用 化学气相沉积法 生长岀了多晶金刚石薄膜，已在首饰方面应用。现已能生产水热法合成其它颜色的绿柱石及红、蓝宝石合成工业用钻石在我国是1963年投所以我国的人工宝石制造工业，虽然起步较晚，但发展迅猛。我们与发达国家的差异正在逐渐缩小。三、基本概念1. 合成宝石：指人工或半人工的无机合成材料，其化学成分、原子结构、物理性质与其天然对 应无机宝石基本相同。A. 原料：半人工材料；如天然去皮水晶作为合成水晶的原料；人工分离岀的原料 Al 2O3作为合成红宝石的原料；B. 有天然对应物：天然红宝石-合成红宝石它们的物理性质、化学成分和原子结构都基本相同；C. 可以有小的差异：天然尖晶石： MgO Al 2C3=1 : 1， RI 1.718， SG 3.60合成尖晶石： MgO Al 2C3=1 : 1.5 3.5 ； RI 1.727 ， SG 3.63正是这微小的差异，使我们能够区分它们。2. 人造宝石：指人工生产的非天然形成的无机材料。狭义的人造宝石：具有独特的化学成分、原子结构和物理性质的人工宝石材料；如YAG钇铝榴石，Y3AI5O2 ;无天然对应物，广义的人造宝石：人工生产的宝石，包括 合成宝石；四、晶体生长基本理论：晶体生长最早是一门工艺，由于热力学、统计物理学及其它学科在晶体生长中的应用，使晶体生长理论逐步发展完善起来。晶体生长的发生最初是从溶液或熔体中形成固相的小晶芽，即成核。晶核形成后，就形成了晶体-介质的界面，晶体生长最重要的过程就是界面过程。科学家们提岀了许多生长机制或模型，结合热力学和动力学探讨了这一过程。尽管晶体生长理论已有一百多年的发展历程，但晶体生长理论还并不完善， 现有的晶体生长模型还不能完全用于指导晶体生长实践，为了提高晶体质量还有许多实际问题尚待解决。1成核显的分界线图1-1 石墨-钻石的相图化学成分相同的物质，在不同的温压条件下，可以呈不同的结构（同质多象）、或不同的状态如固相、液相和气相。相变：当某一体系在外界条件改变时，会发生状态的改变，这种现象即相变。宝石合成的过程即生长晶体，从液相变为固相，或固相变为固相、气相变为固相；相变过程受温压条件、介质 组分的控制。相图：根据相变理论公式（克拉帕珑方程），即反映压力、温度和组分的关系，作岀的表示相变、温度、压力、组分关系的图解。石墨的相图是一元相图，如图1-1所示。这个相图表明，在很大的压力和温度范围内存在碳的固态相变。它是根据热力学原理，结合多次实验和外推等做岀的。石墨在温度1400-1600 C和4.5-6X10 9Kb的压力下会转变为钻石，该图是合成钻石 的依据。影响成核的外因主要是过冷度和过饱和度，成核的相变有滞后现象，即当温度降至相变点T。时,或当浓度刚达到饱和时，并不能看到成核相变，成核总需要一定程度的过冷或过饱和。在 理想均匀环境下， 任何地方成核几率均匀，但实际条件常常不是理想均匀的。在空间各点成核的概率不同，即非均匀成核。一般在界面上，如外来质点（尘土颗粒表面）、容器壁以及原有晶体表面上容易形成晶核。在自然界，如雨雪，冰雹的形成，在合成晶体过程中的单晶生长都是非均 匀成核。在合成晶体过程中，为了获得理想的晶体，人为提供的晶核称为种晶或籽晶。种晶一般都是从已有的大晶体上切取的。种晶上的缺陷，如位错、开裂、晶格畸变等在一定的范围内会“遗传”给新生长的晶体。在选择种晶时要避开缺陷。根据晶体生长习性和应用的要求，种晶可采用粒状、棒状、片状等不同的形态。种晶的光性方位对合成晶体的形态、生长速度等有很大的影响。所以种晶的选择非常重要。2. 晶体生长界面稳定性：晶核岀现后，过冷或过饱和，驱使质点按一定的晶体结构在晶核上排列生长。温度梯度和浓度梯度直接影响界面的稳定性，从而影响晶面的生长速度、晶体的形态。晶体生长过程中，介质的温度、浓度会影响晶体与介质的界面的宏观形状，如是凸起、凹陷或平坦光滑。界面为平坦光滑状态， 则界面稳定性；如果生长条件的干扰， 界面会产生凹凸不平， 即形成不稳定界面。影响界面稳定性的因素主要有熔体温度梯度、溶质浓度梯度、生长速率等。A、熔体温度梯度：生长界面处的温度分布，有三种情况：温度梯度为正，这是熔体为过热熔体；温度梯度为负，即 dT/dxvO，熔体为过冷熔体；温度梯度为零，即 dT/dx=0。温度梯度大于0,熔体过热，远离界面温度高，突起处（温度高）生长慢，凹入处（温度低）生 长快；最终使晶体界面达到光滑；从而导致界面稳定和平衡的状态。温度梯度小于或等于 0,熔体过冷，远离界面温度低，突起处（温度低）生长更快；不利于晶体 界面光滑；所以导致界面不稳定。在熔体中结晶的合成方法，如提拉法，要使熔体温度略高于熔点，而应该避免过冷或等于熔点的状况；合成过程中温度有波动，或局部不均匀，则岀现突起与凹入的界面，在晶体生长中应该尽 量避免。B、溶质浓度梯度：当晶体生长体系为多组分体系，或生长体系中含有杂质元素时，晶体生长会发生分凝效应， 即某元素在晶体与溶液中的浓度不等。随着晶面生长前移，界面前沿该元素的浓度将提高，形成了界面前沿液体中的浓度梯度。该元素浓度的提高会改变凝固点温度，一般都会使凝固点下降。这时，界面前沿液体中有两个温度分布，在界面前沿有一个区域，实际温度小于液相温度，造成界面前沿岀现过冷现象，这种由成分分布变化而引起的过冷现象叫组分过冷。组分过冷现象也会使界面变成不稳定的粗糙界面。但如果正温度梯度非常大，则不会产生组分过冷现象。在溶液中生长时，溶质在界面附近汇集，在高浓度处有用质点作为溶质不断结晶。C、生长速率梯度：晶体生长时，生长界面向液体或熔体推进，生长越慢界面越稳定。生长速率梯度与晶体生长动力学参数有关，也与温度梯度、浓度梯度有关。总之，为了获得稳定的生长界面，应该适当加大温度梯度，采用较慢的生长速率， 并在各个方向保持较小的溶质浓度梯度。3. 晶体生长的界面模型晶体生长最重要的过程是一个界面过程，涉及生长基元如何从母液相传输到生长界面以及如何在界面上定位成为晶体的一部分。几十年来，人们提岀了许多不同的生长机制或模型来探讨这一过程。前面关于成核和界面稳定性是从热力学的宏观方面讨论晶体生长的过程，下面主要从界面微观结构的动力学方面来探讨晶体生长过程。A. 完整光滑界面生长模型一 i图1-2 成核生长理论模型此模型又称为成核生长理论模型，或科塞尔-斯特兰斯基（Kossel-Stranski ）理论模型。该模型是1927年，由科塞尔首先提出，后经斯特兰斯基加以发展。在晶核形成以后，结晶物质的质点继续向晶核上粘附，晶体则得以生长。质点粘附就是按晶体格子构造规律排列在晶体上。质点向晶核上粘附时，在晶体不同部位的晶体格子构造对质点的引力是不同的。也就是说，质点粘附在晶体不同部位所释放岀的能量是不一样的。由于晶体总是趋向于具有最小的内能，所以，质点在粘附时，首先粘附在引力最大、可释放能量最大的部位， 使之最稳定。在理想的条件下，结晶物质的质点向晶体上粘附有三种不同的部位（图1-2 ）:质点粘附在晶体表面三面凹角的1处，此时质点受三个最近质点的吸引，若质点粘附在晶体表面两面凹角的2处，则受到两个最近质点的吸引，此处质点所受到的吸引力不如1处大，若质点在一层面网之上的一般位置3处，所受到的吸引力最小。由此可见，质点粘附在晶体的不同部位，所受到的引力 或所释放岀的能量是不同的。而且，它首先会粘附在三面凹角1处，其次于两面凹角2处，最后才是粘附在一层新的面网上 （即3处）。由此得岀晶体生长过程应该是：先长一条行列,再长相邻的行列， 长满一层面网，然后开始长第二层面网，晶面（晶体上最外层面网）是逐层向外平行推移的。 这便是科塞尔一斯特兰斯基所 得出的晶体生长理论。用这一理论可以很好地解释晶体的自限性，并论证晶体的面角恒等定律。但是这一理论是对处于绝对理想条件下进行的结晶作用而言的，实际情况要复杂得多。例如，向正在生长着的晶体上粘附的常常不是一个简单的质点，而是线晶、面晶甚至晶芽。同时在高温条件下，它们向晶体上粘附的顺序也可不完全遵循上述规律。由于质点具有剧烈热运动的动能，常常粘附在某些偶然的位置上。尽管如此，晶面平行向外推移生长的结论，还是为许多实例所证实。例如，有些蓝宝 石晶体中可以看到六方环状色带，这是因为晶体在生长过程中，介质发生变化使在不同时间内生长的晶体在颜色色调上的差异造成的。B. 非完整光滑界面生长模型此模型又称为螺旋生长理论模型，或BCF理论模型。该模型于1949年由弗朗克首先提岀，后由弗朗克等人（Buston、Cabresa、Frank ）进一步发展并提岀一系列与此相关的动力学规律，总 称BCF理论模型。该理论模型认为，晶面上存在的螺旋位错露头点可以作为晶体生长的台阶源（图1-3 ），促进光滑界面的生长。这种台阶源永不消失，因此不需要形成二维核。这一理论成功的解释了晶体在很低的饱和度下仍能生长，而且生长岀光滑的晶体界面的现象。螺旋错位形成的台阶源，围绕螺旋位错线形成螺旋状阶梯层层上升，按1、2、3、4、5 （见图1-4 ）的顺序，依次生长，1高于2，2高于3,最后形成一螺旋线的锥形。由于螺旋位错的存在， 晶体生长速率大大加快。在许多实际晶体表面，利用电子显微镜或干涉显微镜很容易观察到晶面 中间有螺旋位错露头点的生长丘（图1-5 ）。这一理论可以解释许多实际晶体的生长。图1-4螺旋位错生长示意图(*> (d图1-5绿柱石表面由于螺旋位错造成的生长丘（干涉显微镜下）四、 人工晶体生长方法：1 从熔体中生长单晶体：粉末原料t加热t熔化t 冷却 f超过临界过冷度t结晶，从熔体中生长晶体的方法是最早的研究方法，也是广泛应用的合成方法。从熔体中生长单晶体的最大优点是生长速率大多快于在溶液中的生长速率。二者速率的差异在10-1000倍。从熔体中生长晶体的方法主要有焰熔法、提拉法、冷坩埚法和区域熔炼法。2 从液体中生长单晶体：由两种或两种以上的物质组成的均匀混合物称为溶液，溶液由溶剂和溶质组成。 合成晶体所采用的溶液包括：低温溶液（如水溶液、有机溶液、凝胶溶液等）、高温溶液（即熔盐）与热液等。从溶液中生长晶体的方法主要有助熔剂法和水热法。3 从气相中生长单晶体的方法：气相生长可分为单组分体系和多组分体系生长两种。单组分气相生长要求气相具备足够高的蒸气压，利用在高温区汽化升华、在低温区凝结生长的原理进行生长。但这种方法应用不广，所生长的晶体大多为针状、片状的单晶体。多组分气相生长一般多用于外延薄膜生长，外延生长是一种晶体浮生在另一种晶体上。主 要用于电子仪器、磁性记忆装置和集成光学等方面的工作元件的生产上。合成金刚石薄膜的化学气相沉淀（CVD）法以及合成碳化硅单晶生产技术，就属于此类。第二章.焰熔法及焰熔法合成宝石的鉴定要点：1 .焰熔法基本原理、合成装置与条件、过程及特点2. 合成品种3. 焰熔法合成宝石的鉴定一、焰熔法合成方法最早是1885年由弗雷米（E. Fremy ）、弗尔（E. Feil ）和乌泽（Wyse） 一起，利用氢氧火焰熔 化天然的红宝石粉末与重铬酸钾而制成了当时轰动一时的“日内瓦红宝石”。后来于1902年弗雷米的助手法国的化学家维尔纳叶（Verneuil ）改进并发展这一技术使之能进行商业化生产。因此，这种方 法又被称为维尔纳叶法。1. 基本原理焰熔法是从熔体中生长单晶体的方法。其原料的粉末在通过高温的氢氧火焰后熔化，熔滴在下 落过程中冷却并在 籽晶上固结逐渐生长形成晶体。2. 合成装置与条件、过程耐火宾冷却让 火焰 生校器体粉未添料图2-1 维尔纳叶法合成装置焰熔法合成装置由供料系统、燃烧系统和生长系统组成，合成过程是在维尔纳叶炉（图2-1 ）的。A. 供料系统原料：成分因合成品的不同而变化。原料的粉末经过充分拌匀，放入料筒。料筒（筛状底）：圆筒，用来装原料，底部有筛孔；料筒中部贯通有一根震动装置使粉末少量、 等量、周期性地自动释放。震荡器：使料筒不断抖动，以便原料的粉末能从筛孔中释放岀来。如果合成红宝石，则需要 A12O3和Cr2 O3，三氧化二铝可由铝铵矶加热获得；致色剂为1-3%,B. 燃烧系统：氧气管：从料筒一侧释放，与原料粉末一同下降；氢气管：在火焰上方喷嘴处与氧气混合燃烧。通过控制管内流量来控制氢氧比例，Q: "=1: 3;氢氧燃烧温度为2500C, AI2O3粉末的熔点为20 500C;中进行C2 O3冷却套：吹管至喷嘴处有一冷却水套，使氢气和氧气处于正常供气状态，保证火焰以上的氧管 不被熔化C.生长系统落下的粉末经过氢氧火焰熔融，并落在旋转平台上的籽晶棒上，逐渐长成一个晶棒（梨晶）水套下为一耐火砖围砌的保温炉，保持燃烧温度及晶体生长温度，近上部有一个观察孔，可了解晶体 生长情况。耐火砖：保证熔滴温度缓慢下降，以便结晶生长；旋转平台：安置籽晶棒，边旋转、边下降；落下的熔滴与籽晶棒接触称为接晶；接晶后通过控 制旋转平台扩大晶种的生长直径，称为扩肩；然后，旋转平台以均匀的速度边旋转边下降，使晶体得 以等径生长。图2-2 焰熔法生长的各种梨晶梨晶：长岀的晶体形态类似梨形，故称为梨晶。梨晶大小通常为长23cm,直径2.5-5cm。图2-2生长速度：1厘米/小时，一般6小时完成即可完成生长。因为生长速度快，内应力很大，停止生长后，应该轻轻敲击，让它沿纵向裂开成两半以释放内应力， 避免以后产生裂隙。特点：方法特点：生长速度快、设备简单、产量大、便于商业化。世界上每年用此法合成的宝石大于 10亿克拉。但用此方法合成的宝石晶体缺陷多、容易识别。二、合成品种1. 合成刚玉：合成红宝石：加入致色兀素Cr2 031-3%合成蓝宝石：加入致色兀素 和蓝色表皮，颜色分布不均匀；TiO2和FeO,但Ti和Fe的逸散作用，使合成蓝宝石常常有无色核心粉红色和紫红色：加入致色元素 Cr、Ti、Fe； 黄色：加入致色元素 Ni和Cr;变色刚玉：加入 V和Cr;显紫红色到蓝紫色的变色效应。除祖母绿外，任何颜色的刚玉都可以合成。星光刚玉：如需要合成星光刚玉，则需要在上述原料中再添加0一0.3%的TiO2,这样长成的梨晶中, TiO2呈固熔体分布于刚玉晶格中，并没有以金红石的针状矿物相析岀。必须在 1300度恒温24小时, 让金红石针沿六方柱柱面方向岀溶，才能产生星光效应。各种合成刚玉品种的致色元素总结于下表。表2-1各种合成刚玉的致色元素合成刚玉原料Al 2O，另加致色元素如下合成红宝石Cr2 O3，1-3%合成蓝宝石Fe，Ti ; 0.3-0.5%合成黄色蓝宝石Ni，Cr合成紫色蓝宝石Cr Fe，Ti合成变色蓝宝石Cr2 O3，V2C5，3-4%合成星光红宝石TiO2 0.1-0.3%，Cr2 O3 1-3%合成星光蓝宝石FeO+TiQ: 0.3-0.5% ; TO :0.1-0.3%2. 合成尖晶石：市场上所见到的合成尖晶石几乎全是由焰熔法生产，但也可用助熔剂法生产。原料：红色： MgO : Al 2O3=1: 1，致色元素 Ca O3；其它颜色的用1:1的比例难以合成，但红色尖晶石只有以1:1的比例才能合成。由此合成的红色 尖晶石性脆，所以市场上少见。蓝色尖晶石的合成是人们在合成蓝宝石的实验中偶然获得的。当时人 们还不了解蓝宝石的致色元素是 Ti和Fe,人们曾经尝试过加入致色元素 V、Co Fe、Mg等，当终于 获得蓝色合成品时，人们以为是蓝宝石，结果是合成蓝色尖晶石。蓝色：MgO AI2O =1： 1.5-3.5，致色元素 Co；绿色：MgO Al 2O =1： 3褐色：MgO Al 2O =1 : 5粉红色：MgO AhO =1: 1.5-3.5致色元素 Cu；有月光效应的无色品种：1 : 5，过多的氧化铝未熔形成无数细小针状包体导致月光效应，有时 甚至形成星光。烧结蓝色尖晶石：由钻致色，并加入金粉，用来仿青金岩。3. 金红石：图2-3 合成金红石 的装置（马福炉）局部图天然的金红石常呈细小针状，以大晶体产岀的多为褐红色而且多裂，很少有宝石级的材料。合成 金红石的目的不是为了替代天然金红石，而是为了模仿钻石。在合成立方氧化锆岀现后，合成金红石 很少生产了。因为TiO2在燃烧时易脱氧，所以需要充足的氧，在合成刚玉的装置上多加了一个氧管（见图 2-3 ）。TiO2的熔点为1840C,粉末熔化，再在支座的种晶上结晶。获得的梨晶为蓝黑色，这是因为高温下形成了Ti 33+和相应的氧空位。通过在高温氧化环境中退火处理，退火温度为800-1000OC，即可去除蓝黑色，变为淡黄色到近无色的透明晶体。如果在原料中 掺入SoO，则可直接获得近无色的晶体。 这是因为掺入的SqQ在晶体中形成的氧空位会提高晶体中 的氧的扩散系数，使晶体在降温过程中就完成氧的扩散和退色。合成金红石的宝石学性质化学成分：TiO2；四方晶系光泽：金刚光泽；透明度：透明；颜色：无色者常带浅黄色调。还可有红、橙、黄、蓝色者。硬度：6-6.5 ；相对密度：4.25 ；折射率：2.616-2.903 ；双折射率：0.287 ；光性：一轴晶正光性；色散：极强，0.28-0.30 ；光谱：紫区末端有强吸收带，使其光谱看似被截短了；内含物：气泡、未熔粉末；合成金红石的鉴别合成金红石具有极高的色散值使其泛岀五颜六色的火彩。这种特征使之不易与其他任何材料相混淆。此外，其极高的双折射率使其刻面棱重影异常清晰。仅此二特征就足以确认它了。4. 钛酸锶：钛酸锶早在1955年人们就利用焰熔法生产岀来， 当时在自然界还没有发现天然的对应物。尽管,1987年在俄罗斯发现了其天然对应物，矿物名为Tausonite，人们仍习惯把它归为人造宝石材料。最初人们生产钛酸锶主要用于模仿钻石。但自从立方氧化锆合成成功后，这种仿钻材料在宝石市场上很少见得到了。但它透红外线的能力强，仍有生产用作红外光学透镜等。与合成金红石 一样，其合成装置也必须多加一根氧管，长岀的晶体也是乌黑的，需要在氧化条 件下退火（温度1600C），才能变成近无色的透明晶体。所采用的原料为：SrO : TiO2 =1：1钛酸锶的宝石学性质化学成分：SrTiO3；等轴晶系光泽：亚金刚-金刚光泽;透明度：透明；颜色：无色为主，偶见红、黄、蓝、褐色材料；硬度：5.5-6 ；比重：5.13 ；断口：贝壳状；折射率：2.41，单折射；色散：0.19，极强；内含物：气泡；钛酸锶的鉴别钛酸锶作为仿钻材料，极易识别。钛酸锶极强的火彩使它明显不同于钻石。尽管标准圆多面型的 钛酸锶在线试验中不透光，但它明显较低的硬度使之表面显示岀明显的磨损痕迹、圆滑的刻面棱和不平整的小面。尽管反射仪上可获得与钻石相同的折射率，但热导仪检测时却无钻石反应。卡尺法或静 水称重都可测岀未镶品的比重，从而确认它。三、焰熔法合成宝石的鉴定1. 原始晶形焰熔法合成的宝石原始晶形都是梨形。而天然宝石的晶体形态为一定的几何多面体。市场上也 岀现过将焰熔法合成的梨晶破碎，甚至经过滚筒磨成毛料，来仿称天然原料销售。2. 包裹体：图2-4焰熔法合成红宝石中的气泡及弯曲生长纹合成红、蓝宝石中常可见气泡和未熔粉末岀现，一般气泡小而圆，或似蝌蚪状；可单独或成群岀现;合成尖晶石中气泡和未熔粉末较少岀现，偶尔岀现的气泡多为异形。3. 色带：红宝石中常常为细密的弧形生长纹，类似唱片纹；蓝宝石中色带较粗而不连续；黄色蓝宝石很 少含有气泡，也难见色带。天然红宝石和蓝宝石都显示直或角状或六方色带。合成尖晶石很少显示色 带。4 吸收光谱：合成蓝宝石的光谱见不到天然蓝宝石通常可以见到的蓝区的吸收，或450nm的吸收带十分模糊。合成蓝色尖晶石显示典型的钻谱（分别位于 540、580、635nm的三条吸收带），天然蓝色尖晶石 显示的是蓝区的吸收带，为铁谱。5荧光合成蓝宝石有时显示蓝白色或绿白色荧光，天然的为惰性；合成蓝色尖晶石为强的红色荧光， 而天然的也为惰性。合成红宝石通常比天然红宝石的红色荧光明显强。6. 帕拉图法：将刚玉浸于盛有二碘甲烷的玻璃器皿中，在显微镜下沿光轴方向，加上正交偏光片下,合成刚玉可以观察到两组夹角为1200的结构线（图2-5）图2-5合成刚玉帕拉图法结构线7. 焰熔法合成星光刚玉:合成星光刚玉天然星光刚玉内含物大量气泡和未熔粉末；各种晶体包体、气液包体、指纹状包体；金红石针极其微小，难以辨认；金红石针较粗，易识别；弯曲色带明显直角状或六方色带星带外观星光浮于表面，星光发自内部深处；特征星线直、匀、细，连续性好；中心无宝光星线中间粗，两端细，可以不连续；中心有宝光B表2-2合成星光刚玉与天然星光刚玉的区别8. 合成红、蓝宝石的加工质量:图2-6焰熔法合成刚玉的梨晶与切磨方向示意图天然合成红、蓝宝石的加工质量通常较为精细，尤其是高质量的宝石， 其台面通常垂直光轴，以显示最好的颜色。而合成红、蓝宝石加工质量通常较差，常见火痕，更不会精确定向加工。加 上,合成梨晶通常因为应力作用会沿长轴方向裂开，其长轴方向与光轴方向夹角为60度，为了充分利用原料，其台面通常会平行长轴方向切磨（图2-6）o所以合成刚玉在台面通常都可见多色性，而天然的则不然。9 焰熔法合成尖晶石:表2-3焰熔法合成尖晶石与天然尖晶石的区别合成尖晶石天然尖晶石A.内含物包体少，偶有气泡，形态狭长或异形；色带少见，仅见于红色尖晶石中气液包体常见晶体包体：尤其是八面体形色带少见B. RI1.727Fixed红色尖晶石例外用于检测折射仪1.714-1.718,高铬的红色尖晶石：1.74镁锌尖晶石:1.715-1.80锌尖晶石：1.80C. SG3.63 ,红色尖晶石：3.60-3.66 ;仿青金岩的烧结蓝色尖晶石：3.523.60D.光谱蓝色者：Co谱,540, 580和635nm处有吸收带；红色：红区只有一条荧光光谱线浅黄绿色：445nm, 422nm线蓝色者：Fe谱，蓝区458nm有吸收带；红色者：红区5条一管风琴状荧 光谱线（交叉滤色镜下观察）E. 荧光及滤色镜无色者：SW下强蓝白色；蓝色者：SW红色或蓝白色，滤色镜下变 红红色：红色荧光，滤色镜下变红无色：惰性蓝色：惰性，滤色镜下不变红红色：红色荧光，滤色镜下变 红F.正交偏光镜斑纹状消（图2-7 ）红色尖晶石例外全消光图2-7合成尖晶石的斑纹状消光第三章提拉法及其合成宝石的鉴定要点：晶体提拉法的原理方法提拉法合成宝石的鉴定提拉法又称丘克拉斯基法，是丘克拉斯基(J.Czochralski) 在1917年发明的从熔体中提拉生长高质量单晶的方法。这种方法能够生长无色蓝宝 石、红宝石、钇铝榴石、钆镓榴石、变石和尖晶石等重要的宝石晶体。20世纪60年代，提拉法进一步发展为一种更为先进的定型晶体生长方法一一熔体导模法。它是控制晶体形状的提拉法，即直接从熔体中拉制岀具有各种截面形状晶体的生长技术。它不仅免除了工业生产中对人造晶体所带来的繁重的机械加工，还有效的节约了原料，降低了生产成本。第一节 提拉法一、提拉法的基本原理提拉法是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件下， 使籽晶和熔体的交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长岀单晶体。图3-1提拉法合成装置二、提拉法的生长工艺首先将待生长的晶体的原料放在耐高温的坩埚中加热熔化，调整炉内温度场，使熔体上部处于过冷状态；然后在籽晶杆上安放一粒籽晶，让籽晶接触熔体表面，待籽晶表面稍熔后，提拉并转动籽晶 杆，使熔体处于过冷状态而结晶于籽晶上，在不断提拉和旋转过程中，生长岀圆柱状晶体。1. 晶体提拉法的装置晶体提拉法的装置由五部分组成：(1) 加热系统加热系统由加热、保温、控温三部分构成。最常用的加热装置分为电阻加热和高频线圈加热两大 类。采用电阻加热，方法简单，容易控制。保温装置通常采用金属材料以及耐高温材料等做成的热屏 蔽罩和保温隔热层，如用电阻炉生长钇铝榴石、刚玉时就采用该保温装置。控温装置主要由传感器、 控制器等精密仪器进行操作和控制。(2) 坩埚和籽晶夹作坩埚的材料要求化学性质稳定、纯度高，高温下机械强度高，熔点要高于原料的熔点200C左右。常用的坩埚材料为铂、铱、钼、石墨、二氧化硅或其它高熔点氧化物。其中铂、铱和钼主要用于 生长氧化物类晶体。籽晶用籽晶夹来装夹。籽晶要求选用无位错或位错密度低的相应宝石单晶。(3) 传动系统为了获得稳定的旋转和升降，传动系统由籽晶杆、坩埚轴和升降系统组成(4) 气氛控制系统不同晶体常需要在各种不同的气氛里进行生长。如钇铝榴石和刚玉晶体需要在氩气气氛中进行生长。该系统由真空装置和充气装置组成。(5) 后加热器后热器可用高熔点氧化物如氧化铝、陶瓷或多层金属反射器如钼片、铂片等制成。通常放在坩埚的上部，生长的晶体逐渐进入后热器，生长完毕后就在后热器中冷却至室温。后热器的主要作用是 调节晶体和熔体之间的温度梯度，控制晶体的直径，避免组分过冷现象引起晶体破裂。2. 晶体提拉法生长要点(1) 温度控制在晶体提拉法生长过程中， 熔体的温度控制是关键。要求熔体中温度的分布在固液界面处保持熔 点温度，保证籽晶周围的熔体有一定的过冷度，熔体的其余部分保持过热。这样，才可保证熔体中不 产生其它晶核，在界面上原子或分子按籽晶的结构排列成单晶。为了保持一定的过冷度，生长界面必 须不断地向远离凝固点等温面的低温方向移动，晶体才能不断长大。另外，熔体的温度通常远远高于 室温，为使熔体保持其适当的温度，还必须由加热器不断供应热量。(2) 提拉速率提拉的速率决定晶体生长速度和质量。适当的转速，可对熔体产生良好的搅拌，达到减少径向 温度梯度，阻止组分过冷的目的。一般提拉速率为每小时6-15mm在晶体提拉法生长过程中，常采用“缩颈”技术以减少晶体的位错，即在保证籽晶和熔体充分沾 润后，旋转并提拉籽晶，这时界面上原子或分子开始按籽晶的结构排列，然后暂停提拉，当籽晶直径 扩大至一定宽度(扩肩)后，再旋转提拉岀等径生长的棒状晶体。这种扩肩前的旋转提拉使籽晶直径 缩小，故称为“缩颈"技术。3. 提拉法的优缺点晶体提拉法与其它晶体生长方法相比有以下优点：(1) 在晶体生长过程中可以直接进行测试与观察，有利于控制生长条件；(2) 使用优质定向籽晶和“缩颈”技术，可减少晶体缺陷，获得所需取向的晶体；(3) 晶体生长速度较快；(4) 晶体位错密度低，光学均一性高。晶体提拉法的不足之处在于：(1)坩埚材料对晶体可能产生污染；(2)熔体的液流作用、传动装置的振动和温度的波动都会对晶体的质量产生影响。三、晶体提拉法生长的宝石品种1. 合成红宝石晶体原料：ALQ和1-3%勺CaQ加热：高频线圈加热到2050C以上；屏蔽装置：抽真空后充入惰性气体，使生长环境中保持所需要的气体和压强。将原料装入铱、钨或钼坩埚中。坩埚上方的提拉杆的下端的籽晶夹具上装一粒定向的红宝石籽晶。 将坩埚加热到，使原料熔化。再降低提拉杆，使籽晶插入到熔体表层。控制熔体的温度，使之略高于 熔点。熔去少量籽晶以保证能在籽晶的清洁表面上开始生长。在实现籽晶与熔体充分沾润后，缓慢向 上提拉和转动晶杆。控制好拉速和转速，同时缓慢地降低加热功率，籽晶直径就逐渐扩大。小心地调 节加热功率，实现宝石晶体的缩颈-扩肩-等径-收尾的生长全过程。通过屏蔽装置的窗口可以观察生长过程，还可利用红外传感器测量固-液界面的亮光环温度，实现控制生长过程。2. 合成变石晶体原料：AL2O3和BeO的粉末按1:1混合，加入致色剂 Cr2Q和V2Q。加热：高频线圈加热到1870C以上，使原料熔化。保温 丨小时均化熔体，然后降温30- 50C，接籽晶屏蔽装置：抽真空后充入惰性气体，使生长环境中保持所需要的气体和压强。通过观察测试，控制和调节晶体生长。3. 人造钇铝榴石原料：Y 203： ALXO=3: 5提拉炉：中频线圈加热坩埚：铱气氛：Nb+Ar熔点：1950C 生长速度：每小时6mm以下第二节熔体导模法熔体导模法有二种不同类型，一种是上个世纪60年代由苏联的斯切帕诺夫完成的，称斯切帕诺夫 法。它是将有狭缝的导模具放在熔体中，熔体通过毛细管现象由狭缝上升到模具的顶端，在此熔体部 分下入晶种，按导模狭缝规定的形状连续地拉制晶体，其形状完全由毛细管狭缝决定。由于熔体是通 过毛细作用上升的，会受到毛细管大小及熔体密度和重量的限制，所以此法具有局限性。此法的优点 是不要求所用模具材料能被熔体润湿。另一种方法称“边缘限定薄膜供料生长”技术，简称EFG法，是上世纪70年代初，由美国TYCC实验室的拉培尔(Labell H.E.) 博士研究成功的。EFG法首要的 条件是要求模具材料必须能为熔体所润湿，并且彼此间又不发生化学作用。在润湿角0满足0<0 <90。的条件下，使得熔体在毛细管作用下能上升到模具的顶部，并能在顶部的模具截面上扩展 到模具的边缘而形成一个薄膜熔体层，晶体的截面形状和尺寸则为模具顶部边缘的形状和尺寸所决 定，而不是由毛细管狭缝决定。因此，EFG法能生长岀各种片、棒、管、丝及其它特殊形状的晶体，具有直接从熔体中控制生长定型晶体的能力。所以，此法生产的产品可免除对宝石晶体加工所带来的繁重切割、成型等机械加工程序，同时大大减少了物料的加工损耗，节省了加工时间，从而降低了产 品的成本。该方法应用广泛。一、熔体导模法的工作原理熔体导模法全名为边缘限定薄膜供料提拉生长技术。它是熔体提拉法的一个变种，特别适用于片状、管状和异型截面的晶体生长，这种方法可以生长合成蓝宝石、合成红宝石、合成变石以及钇铝榴 石。导模法生长晶体的工作原理是，将原料放入坩埚中加热熔化，熔体沿一模具在毛细作用下上升至 模具顶端，在模具顶部液面上接籽晶提拉熔体，使籽晶和熔体的交界面上不断进行原子或分子的重新 排列，随降温逐渐凝固而生长岀与模具边缘形状相同的单晶体。二、熔体导模法生长工艺首先，将原料在坩埚中加热熔化，把能被熔体所润湿的材料制成带有毛细管或狭缝的模具放置在 熔体中，熔体沿着毛细管涌升到模具顶端，并扩展布满端面形成熔体薄层。在这层熔体中引籽晶，待 籽晶浸渍表面回熔后，逐渐提拉上引。晶体的形状由模具顶部截面形状所决定，晶体按该尺寸和形状连续地生长。1. 熔体导模法的装置图3-2熔体导模法的模具示意图1籽晶杆；2籽晶；3晶体；4熔体；5模具导模法晶体生长装置与提拉法基本相同，只是在坩埚底部垂直安装了一个钼制的毛细管膜具。籽晶通过毛细管口与熔体相接触，然后按膜具顶端截面形状被提拉岀各种形状的晶体(图3-2 )。模具的选择依据籽晶材料而定，以材料熔点高于晶体的熔点、材料能被熔体润湿和不与熔体发生化学 反应为原则。可根据需要设计成杆状、片状、管状或多管状等。2. 熔体导模法生长要点(1) 温度控制欲生长岀结构完整的晶体，必须有一个合适的温场。炉温太高，籽晶会熔掉，晶体会收缩，严重时会 造成缺口；炉温过低，晶体会在导模顶部凝固，晶体会呈枝蔓状生长和小晶粒团聚状生长。(2) 生长速度生长速度是影响晶体质量的原因之一。若生长速度过高，生长界面会成蜂窝状，晶体中会有大量 气孔或空洞，位错密度也将增高。3. 导模法生长晶体实例合成变石猫眼可用导模法生长的。合成变石猫眼的生长需要在原料中掺入铬和钒，使晶体具有变色的特征。铬含量过高会使宝石绿色减弱，甚至略带红色；含量过低又会使宝石无色彩变化。钒的作 用是增强变色的敏感性和调整宝石的颜色。合理调整铬和钒的用量可仿制不同产地的天然变石猫眼。 猫眼效应由宝石内部有无数极细小的纤维状结构有规律地平行排列产生。合成变石猫眼的具体生长方法如下：原料：按化学配比称取高纯度的 AbO、BeO原料和致色元素 WQ、V2Q,将粉料压成块状；在 1300C下灼烧10小时，得到多晶质金绿宝石块料。加热：将制成的原料装入钼坩埚中，使用射频加热到 1900C以上至熔化。生长(即提拉)速度：每小时为 15-20mm在坩埚内垂直地安放钼制的毛细管模具。 熔体在毛细管作用下涌升到模具顶端， 并扩展布满端面 形成熔体薄层。将坩埚上方的变石籽晶接触模具顶端熔体膜， 待籽晶浸渍表面回熔后，逐渐提拉上引。 晶体生长是在氩气体中进行的，保持生长所需要的惰性气体和压强环境。晶体生长停止后，在4小时内将炉温降至500C，然后缓慢冷却至室温。即得到了模具顶部截面形 状的变石猫眼宝石晶体。三、熔体导模法的晶体特征1. 晶体的生长特征(1) 能够直接从熔体中拉制岀丝、管、杆、片、板以及其它各种特殊形状的晶体。(2) 能够获得成分均匀的掺质晶体。因为熔体在毛细管中的对流作用极弱，界面通过扩散过程向熔 体主体中运动，在提拉作用下，晶体的熔质浓度将达到主体的浓度。(3) 易于生长岀无生长纹的、光学均匀性好的晶体。第三节提拉法合成宝石的鉴别一. 提拉法合成宝石的基本特征1. 提拉法生长的宝石晶体，由于提拉和旋转作用，会产生弯曲的弧形生长纹。导模法生长晶体时 晶体不旋转，因而没有弯曲生长纹。2. 提拉法和导模法合成的晶体，都会含有气体包体，且气泡分布不均匀。提拉法常可见拉长的或 哑铃状气泡。3. 提拉法合成的宝石是在耐高温的铱、钨或钼金属坩埚中熔化原料的，导模法生长的宝石在导模 金属上生长的，所以都可能含有金属包体。4. 提拉法生长的宝石晶体原料在高温下加热熔化，偶尔可见未熔化的原料粉末。而导模法通常不存在未熔化的粉末包体。5. 提拉法生长的宝石晶体时，由于采用籽晶生长，生长成的晶体会带有籽晶的痕迹。并且可能产 生明显的界面位错。导模法也会产生籽晶的缺陷。6. 在晶体的生长过程中，由于固液界面产生的振动或温度的波动，可使晶体的溶质浓度分布不均，因而形成晶体不均匀的生长条纹。7. 由于原料不纯或配比不当，可对熔体造成污染，形成晶体的杂质包体。二、合成红宝石的鉴别1. 合成红宝石可见极细的弯曲生长纹和拉长的气泡，有时还可见云朵状的气泡群。2. 宝石中偶尔可见未熔化的原料粉末。3. 在暗域照明和斜向照明下，偶尔可见一些细微的白色云状包体。4. 显微镜下有时可见晶体不均匀的生长条纹。5. 宝石晶体可能带有籽晶的痕迹。图3-3提拉法合成红宝石的弯曲生长纹6. 用电子探针和X射线荧光分析法，可检测宝石晶体中的铱或钼金属包体。三、合成金绿宝石的鉴别1. 合成金绿宝石可见弯曲的生长纹和拉长的气泡。2. 宝石中偶尔可见未熔化的原料粉末。3. 在暗域照明和斜向照明下，偶尔可见板条状的杂质包体和针状包体。4. 合成金绿宝石的折射率(1.740-1.745 )稍微偏低。5. 用电子探针和X射线荧光分析法，可检测宝石晶体中的铱或钼金属包体。四、人造钇铝榴石的鉴别钇铝榴石是人造宝石，可根据其物理性质和光学性质将其与相似宝石区分开:成分：Y 3AL5O2晶系：等轴晶系密度：4.58g/cm3摩氏硬度：8-8.5折射率：1.83色散:0.028内含物：弯曲生长纹和拉长气泡致色元素：紫-Nd;蓝-Co3； 绿-Ti3 ( +Fe);红-Mn3其他：某些绿色、蓝色钇铝榴石在强光照射下显强红色，即显示红光效应第四章区域熔炼法及其合成宝石的鉴定要点1. 区域熔炼法基本原理、合成装置与条件、过程及特点2. 合成品种3. 区域熔炼法合成宝石的鉴定区域熔炼法是上个世纪50年代初期发展起来的一项合成技术，此技术主要为半导体工业提供高 纯度的晶体。之后，人们利用这一技术将数百种有机、无机结晶材料提纯或转化成了单晶，这项技术 也用于宝石材料的人工合成。目前该技术主要用于工业用人工结晶材料的提纯和转化，较少用于合成宝石。一、区域熔炼法合成宝石的基本原理在进行区域熔炼过程中，物质的固相和液相在密度差的驱动下，物质会发生输运。因此， 通过区域熔炼可以控制或重新分配存在于原料中的可溶性杂质或相。利用一个或数个熔区在同一方向上重复通过原料烧结以除去有害杂质；利用区域熔炼过程有效地消除分凝效应，也可将所期望的杂质均匀地掺入到晶体中去，并在一定程度上控制和消除位错、包裹体等结构缺陷。图4-1浮区熔炼法合成装置区域熔炼法通常分两种，一种是有容器的区域熔炼法，另一种是无容器的区域熔炼法。宝石晶体 的生长通常采用无容器区域熔炼法，也称“浮区熔炼法”。由该方法生长的宝石晶体有合成变石、合 成红宝石、钇铝榴石等。二、浮区熔炼法的工艺条件浮区熔炼法的工艺过程是：把原料先烧结或压制成棒状，然后用两个卡盘将两端固定好。将烧结 棒垂直地置入保温管内，旋转并下降烧结棒 （或移动加热器）。烧结棒经过加热区，使材料局部熔化。 熔融区仅靠熔体表面张力支撑。当烧结棒缓慢离开加热区时，熔体逐渐缓慢冷却并发生重结晶，形成 单晶体。浮区熔炼法通常使用电子束加热和高频线圈加热 （或称感应加热）。电子束加热方式具有熔化体积小、热梯度界限分明、热效率高、提纯效果好等优点，但由于该方法仅能在真空中进行，所 以受到很大的限制。目前感应加热在浮区熔炼法合成宝石晶体中应用最多，它既可在真空中应用，也 可在任何惰性氧化或还原气氛中进行。在浮区熔炼法装置中，将高频线圈绕在垂直安装的材料棒上，见图4-1。感应加热在熔区中可提供自动的电磁搅拌，揽拌的程度取决于所用的频率、线圈的实 际配置和熔区的长度，还可通过检测热损耗值或材料导电率的变化来实现熔区直径的自动控制。移动原料烧结棒（或移动加热器），使烧结棒自上而下逐步被加热熔化。熔区内的温度大于原料熔化温度， 熔区以外温度则小于原料熔化温度。旋转烧结棒，热源逐渐从烧结棒一端移至一端，直至整个烧结棒 变成宝石单晶。重复该过程，可使晶体进一步得到精炼和提纯。三、区域熔炼法合成宝石的鉴别区域熔炼法合成宝石工艺中未使用坩埚，所以不存在坩埚杂质的污染。该技术能精炼和提纯晶体， 所以晶体中很少岀现包裹体和生长纹，晶体的质量较高。该方法合成的宝石颜色纯度较高，内部洁净。 通常荧光强于相对应的天然宝石的荧光；分光镜下吸收谱线简单清晰；宝石表面加工不够精细，常岀 现“火痕”等。对于人造钇铝榴石晶体，由于没有天然的对应宝石， 可根据其物理化学性质予以鉴别。 由于晶体生长过程中工艺条件的突变，也会合成岀质量较差的宝石晶体。其特征是：生长纹混乱、晶体颜色不均匀、甚至岀现气泡等。因为区域熔炼法制作成本昂贵，真正商业化生产的高质量的合成宝石并不多见。因此，对于此类合成宝石的研究和报道也较少见。第五章.冷坩埚法及其合成宝石的鉴定要点：1. 冷坩埚法基本原理、合成装置与条件、过程及特点2. 合成品种3. 冷坩埚法合成宝石的鉴定冷坩埚法是生产合成立方氧化锆晶体的方法。该方法是俄罗斯科学院列别捷夫固体物理研究所的科学家们研制岀来的，并于1976年申请了专利。由于合成立方氧化锆晶体良好的物理性质，无色的 合成立方氧化锆迅速而成功的取代了其它的钻石仿制品，成为了天然钻石良好的代用品。 合成立方氧化锆易于掺杂着色，可获得各种颜色鲜艳的晶体，因此受到了宝石商和消费者的欢迎。图5-1冷坩埚法的冷却管和加热装置图5-2冷却水铜管及底座构成的“杯”一、 冷坩埚法生长晶体的原理冷坩埚法是一种从熔体中生长法晶体的技术，仅用于生长合成立方氧化锆晶体。其特点是晶体生长不是在高熔点金属材料的坩埚中进行的，而是直接用原料本身作坩埚， 使其内部熔化，外部则装有冷却装置，从而使表层未熔化，形成一层未熔壳，起到坩埚的作用。 内部已熔化的晶体材料，依靠坩埚下降脱离加热区，熔体温度逐渐下降并结晶长大。合成立方氧化锆的熔点最高为2750C。 几乎没有什么材料可以承受如此高的温度而作为氧化锆的坩埚。该方法将紫铜管排列成圆杯状“坩埚”（图5-1 ），外层的石英管套装高频线圈，紫铜管用于通冷却水，杯状“坩埚”（图5-2 ）内堆放氧化锆粉末原料。高频线圈处于固定位置，而冷坩埚连同水冷底座均可以下降。冷坩埚法生长晶体的装置见图冷坩埚技术用高频电磁场进行加热，而这种加热方法只对导电体起作用。冷坩埚法的晶体生长装置采用“引燃”技术，解决一般非金属材料如金属氧化物MgO CaO等电阻率大，不导电,所以很难用高频电磁场加热熔融的问题。某些常温下不导电的金属氧化物，在高温下却有良好的导电性能，可以用高频电磁场进行加热。氧化锆在常温下不导电，但在1200C以上时便有良好的导电性能。为了使冷坩埚内的氧化锆粉末熔融，首先要让它产生一个大i f. I B,”：: ifI # I!H,O HtO HO图5-3冷绘埸壳熔法生长晶体的装置1馆壳盖；2石英窗 3通冷却水的铜管；4高频线圈（RFj 5焙体6 晶体7未熔料8通冷却水底座于1200C的高温区，将金属的锆片放在“坩埚”内的氧化锆材料中，高频电磁场加热时，金属锆片升 温熔融为一个高温小熔池（图5-4 ），氧化锆粉末就能在高频电磁场下导电和熔融，并不断扩大熔融区,直至氧化锆粉料除熔壳外全部熔融为止，此技术称为“引燃"技术。氧化锆在不同的温度下， 呈现不同的相态。自高温相向低温相， 氧化锆从立方相构型向六方、 四方至单斜锆石转变。常温下立方氧化锆不能稳定存在，会转变为单斜结构相。所以在晶体生长的配料中必须加入稳定剂，才能使合成立方氧化锆在常温下稳定。通常选用丫2。作为稳定剂，最少加入量为10%勺摩尔数。过少则会有四方相岀现，表现为有乳白状混浊；过多则晶体易带色，并 且造成不必要的成本上升，还会降低晶体的硬度。二、冷坩埚法晶体生长工艺首先将生 Q与稳定剂 Y2Q按摩尔比9 : 1的比例混合均匀，装入紫铜管围成的杯长合成立方 氧化锆晶体所使用的粉料Zr状“冷坩埚"中，在中心投入4-6g锆片或锆粉用于“引燃“。接通电源，进行高频加热。约8小时后，开始起燃。起燃1-2分钟，原料开始熔化。先产生了小熔池，然后由 小熔池逐渐扩大熔区。在此过程中，锆金属与氧反应生成氧化锆。同时，紫铜管中通入冷水冷却，带走热量，使外层粉料未熔，形成“冷坩埚熔壳“。待冷坩埚内原料完全熔融后，将熔体稳定30-60分钟。然后坩埚以每小时 5-15mm的速度逐渐下降，“坩埚”底部温度先降低，所以在熔体底部 开始自发形成多核结晶中心，晶核互相兼并，向上生长。只有少数几个晶体得以发育成较大的晶块。晶体生长完毕后，慢慢降温退火一段时间，然后停止加热，冷却到室温后，取岀结晶块， 用小锤轻轻拍打，一颗颗合成立方氧化锆单晶体便分离岀来。整个生长过程约为20小时。每一炉最多可生长60kg晶体，未形成单晶体的粉料及壳体可 回收再次用于晶体生