半导体的导电性

半导体的导电性Tag内容描述：<p>1、第四章 半导体的导电性引言前几章介绍了半导体的一些基本概念和载流子的统计分布，还没有涉及到载流子的运动规律。本章主要讨论载流子在外加电场作用下的漂移运动，讨论半导体的迁移率、电导率、电阻率随温度和杂质浓度的变化规律，以及弱电场情况下电导率的统计理论和强电场情况下的效应，并介绍热载流子的概念。扩散运动：载流子浓度漂移运动：外加电场4.1载流子的漂移运动和迁移率一、欧姆定律1.金属：（4.1-1） （4.1-2） 单位：和（4.1-3） 单位：和2.半导体：电流密度：通过垂直于电流方向的单位面积的电流，（4.1-4） 单位：和电场。</p><p>2、第五章 半导体的导电性,载流子的散射、漂移,迁移率、电导率的公式,5.1 载流子的散射,一.散射机理,周期势场遭到破坏,1.原子的热振动,2.杂质原子和缺陷的存在,二.平均自由时间 和散射几率 的关系,在t时刻尚未遭到散射的电子数,被散射的电子数,未被散射的电子数,代入,被散射的电子数自由时间的总和,个载流子的所有自由时间的总和,被散射的电子数,三.散射机构,1.电离杂质散射,（1）弹性散射，散射过程中不交换能量,（2）散射中心固定,正电中心对电子吸引和 对空穴排斥引起的散射,负电中心对空穴吸引和 对电子排斥引起的散射,2.晶格振动散射,（。</p><p>3、本章内容提要,载流子漂移，迁移率 载流子的散射 迁移率/电阻率 Vs 杂质浓度/温度 强、弱电场效应 多能谷散射 及耿氏效应,半导体的导电性,Chapter 1:半导体中电子运动的基本特征和能量状态载流子 具有类似于自由荷电粒子的性质 Chapter 2:在平衡状态下，两种载流子浓度与半导体结构、所 含杂质以及温度的关系 Chapter 3:在电场作用下，半导体中载流子运动所引起的一些 主要现象及运动规律,实际半导体器件总是工作在一定的 外部条件（如电场、磁场、.）,载流子在外加电场作用下的漂移运动(包括与其相联系的材料的主要参数如迁移率、电导率、。</p><p>4、第四章半导体的导电性,4.1 载流子的漂移运动 迁移率 *4.2 载流子的散射 4. 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4. 电阻率与杂质浓度和温度的关系,4.1载流子的漂移运动 迁移率,本节主要内容： 欧姆定律的微分表达式 二. 漂移速度和迁移率 三.半导体的电导率和迁移率,4.1载流子的漂移运动 迁移率,一. 欧姆定律的微分表达式,欧姆定律：,电导率：,电阻由材料特性决定：,电阻率：,4.1载流子的漂移运动 迁移率,一. 欧姆定律的微分表达式,金属：在面积为S，长为L的导体两端，加电压V，在导体内形成电场,欧姆定律微分表达式,载流子在电场的作用下，定向。</p><p>5、本章内容提要,载流子漂移，迁移率载流子的散射迁移率/电阻率Vs杂质浓度/温度强、弱电场效应多能谷散射及耿氏效应,半导体的导电性,Chapter1:半导体中电子运动的基本特征和能量状态载流子具有类似于自由荷电粒子的性质Chapter2:在平衡状态下，两种载流子浓度与半导体结构、所含杂质以及温度的关系Chapter3:在电场作用下，半导体中载流子运动所引起的一些主要现象及运动规律,实际半导。</p><p>6、1,物理与光电工程学院,第4章 半导体的导电性 Chapter 4 Electrical Conductivity of Semiconductor,2,物理与光电工程学院,4.1 半导体的导电原理,3,物理与光电工程学院,4.1.1 半导体导电的微观机理,半导体在外电场作用下是否存在电流并不取决于单个电子的行为，而是取决于整个晶体中所有电子运动的总和,1、从能带的角度理解半导体导电。</p><p>7、1,第四章 半导体的导电性,2,4.1 半导体的导电原理,3,4.1.1 半导体导电的微观机理,半导体在外电场作用下是否存在电流并不取决于 单个电子的行为，而是取决于整个晶体中所有电 子运动的总和。,1、从能带的角度理解半导体导电性：,满带: 在外加电场的作用下，电子从第一布里渊区边界的一边流进,另一边流出。但由于电子的状态是波矢的周期函数,波函数在第一布里渊区边界两边的状态等价，总体。</p><p>8、中国矿业大学 材料科学与工程学院,第二章 材料的电学性能,顾修全,本章内容,金属的导电性 合金的导电性 半导体的导电性 材料的介电性 材料的超导电性,半导体的电学性能,半导体的特点及应用,电子和空穴同时作为载流子，并且载流子浓度 和导电类型能通过掺杂进行控制；,禁带宽度对应着红外至可见光波段,应用：形成pn结、晶体管、MIS场效应晶体管等基本 元件，应用于集成电路工业。,应用：通过形成一系列功能器。</p><p>9、半 导 体 物 理 (Semiconductor Physics),主 讲 ： 彭 新 村,信工楼519室，13687940615 Email: ,东华理工机电学院 电子科学与技术,第四章 半导体的导电性,4.1 载流子的漂移运动和迁移率 4.2 载流子的散射 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 4.6 强场下的效应 热载流子 4.7 多能谷散射、耿氏效。</p><p>10、本章内容提要,载流子漂移，迁移率 散射与散射机构 迁移率/电阻率 Vs 杂质浓度/温度 强电场效应,Chapter 1:半导体中电子运动的基本特征和能量状态载流子 具有类似于自由荷电粒子的性质 Chapter 3:在平衡状态下，两种载流子浓度与半导体结构、所含杂质以及温度的关系 Chapter 4:在电场作用下，半导体中载流子运动所引起的一些主要现象及运动规律,实际半导体器件总是工作在一定。</p><p>11、半导体物理Semiconductor Physics,第四章 半导体的导电性 （载流子的输运现象）,2020/10/7,重庆邮电大学微电子教学部,2,第四章 半导体的导电性,引言 一般来说，输运现象所讨论的对象是在电场、磁场以及温度场(或相应的温度梯度)作用下电荷和能量的输运问题，它具有广泛的实际意义。理论上，这是一个涉及内容相当广泛的非平衡统计问题通过输运现象的研究可以了解载流子和晶格以及晶格缺。</p>