半导体器件物理复习题2012

半导体器件物理复习题2012Tag内容描述：<p>1、半导体器件物理复习思考题 （1）提高半导体的掺杂浓度，p-n结的势垒高度将会增大，p-n结的势垒厚度将会增大；如果重掺杂，使半导体达到高度简并时，p-n结的势垒高度将会减小。 （增大；减小；不变）（2）当环境温度升高时，p-n结的势垒高度将会减小，p-n结的势垒厚度将会减小，p-n结的正向压降将会减小。 （增大；减小；不变）（3）半导体耗尽层就是其中不存在有任何载流子的区域。（任何载流子；任何电荷；任何载流子和任何电荷）（4）线性缓变p-n结的雪崩击穿电压要高于突变p-n结的击穿电压。（高于；低于；等于）（5）同时表征少数载流。</p><p>2、半导体器件物理复习题 一平衡半导体： 概念题：概念题： 1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义） 所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电 压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。 在这种情况 下，材料的所有特性均与时间和温度无关。 2.本征半导体： 本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。 3.受主（杂质）原子： 形成 P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质。</p><p>3、1 半导体器件物理复习题 一 平衡半导体 概念题 概念题 1 平衡半导体的特征 或称谓平衡半导体的定义 所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体 是指无外界 如 电压 电场 磁场或温度梯度等 作用影响的半导体 在这种 情况下 材料的所有特性均与时间和温度无关 2 本征半导体 本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体 3 受主 杂质 原子 形成 P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子 一般。</p><p>4、半导体器件物理复习题 第二章： 1） 带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差，也称能隙。 物理意义：带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低 2）什么是半导体的直接带隙和间接带隙？ 其价带顶部与导带最低处发生在相同动量处(p0)。因此，当电子从价带转换到导带时，不需要动量转换。这类半导体称为直接带隙半导体。 3）能态密度：能量介于EE+E之间的量子态数目。</p><p>5、半导体器件物理 复习思考题 1 提高半导体的掺杂浓度 p n结的势垒高度将会 增大 p n结的势垒厚度将会 增大 如果重掺杂 使半导体达到高度简并时 p n结的势垒高度将会 减小 增大 减小 不变 2 当环境温度升高时 p n结的势垒高度将会 减小 p n结的势垒厚度将会 减小 p n结的正向压降将会 减小 增大 减小 不变 3 半导体耗尽层就是其中不存在有 任何载流子 的区域 任何载流子 任何。</p><p>6、第1章 常用半导体器件 一 判断题 正确打 错误打 每题1分 1 在N型半导体中 如果掺入足够量的三价元素 可将其改型成为P型半导体 2 在N型半导体中 由于多数载流子是自由电子 所以N型半导体带负电 3 本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体 4 PN结在无光照 无外加电压时 结电流为零 5 使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏 且集电结也是正偏 6 晶体三极管的 值 在任何电路中都是越。</p><p>7、半导体器件物理复习题一 平衡半导体：概念题：1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义）所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。2. 本征半导体：本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。3. 受主（杂质）原子：形成P型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的族元素）。4. 施主（杂质）原子：形成N型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的族元素）。5. 杂。</p><p>8、半导体器件物理复习题 第二章： 1） 带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差，也称能隙。 物理意义：带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低 2）什么是半导体的直接带隙。</p><p>9、第七篇 题解-半导体表面与MIS结构刘诺 编7-1、解：又因为 7-3、解：（1） 表面积累：当金属表面所加的电压使得半导体表面出现多子积累时，这就是表面积累，其能带图和电荷分布如图所示：（2） 表面耗尽：当金属表面所加的电压使得半导体表面载流子浓度几乎为零时，这就是表面耗尽，其能带图和电荷分布如图所示：（3）当金属表面所加的电压使得半导体。</p><p>10、第七篇 题解 半导体表面与MIS结构 刘诺 编 7 1 解 又因为 7 3 解 1 表面积累 当金属表面所加的电压使得半导体表面出现多子积累时 这就是表面积累 其能带图和电荷分布如图所示 2 表面耗尽 当金属表面所加的电压使得半。</p><p>11、第一章 半导体的电子状态1设晶格常数为 a的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为：Ec= 02012021202 36)(,(3 mkhkEmkhV0 。 试 求 ：4.为 电 子 惯 性 质 量 ， 1na（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）eVmkEkEEmdkkEEcmmdkmkkVCgVVc 64.012)0(43因 此 ： 取 极 大 值处 ，所 以,6又 因 为 0得价 带 ： 取 极 小 值处 ，43所 以 ： 在 0382又 因 为 ： 43得 ： 0)(2由导 带 ： 102202 2021010 0432*8)2(1dkEmkCnC sNkkpmdkk。</p><p>12、侯识华侯识华(Hou Shi-Hua) shhou 声明：本资料仅用于我的学生复习用，请各位同学不要外传！谢谢合作！声明：本资料仅用于我的学生复习用，请各位同学不要外传！谢谢合作！ 半导体物理与器件期末复习题半导。</p><p>13、第一章 半导体的电子状态1设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为：Ec=（1）禁带宽度;（2） 导带底电子有效质量;（3） 价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107 V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。解：根据： 得第二章 半导体中的杂质和缺陷能级7. 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数er=17，电子的有效质量=0.015m0, m0为电子的惯性质量，求施主杂质的电离能，施主的弱束缚。</p><p>14、第一章 半导体的电子状态 1 设晶格常数为a的一维晶格 导带极小值附近能量Ec k 和价带极大值附近能量EV k 分别为 Ec 1 禁带宽度 2 导带底电子有效质量 3 价带顶电子有效质量 4 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解 1 2 晶格常数为0 25nm的一维晶格 当外加102V m 107 V m的电场时 试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间 解 根据 得 第二章 半导体中。</p>