半导体物理与器件题库

半导体物理与器件题库Tag内容描述：<p>1、题库( 一) 半导体物理基础部分 1、计算分析题 已知：在室温（T = 300K）时，硅本征载流子的浓度为 ni = 1.51010/cm3 电荷的电量 q= 1.610-19C n=1350 p=500 2cm/Vs2c/Vs 半导体硅材料在室温的条件下，测得 n0 = 4.5104/cm3， ND=51015/cm3 问： 该半导体是 n 型还是 p 型？ 分别求出多子和少子的浓度 样品的电导率是多少？ 分析该半导体的是否在强电离区，为什么 ？0DnN 2、说明元素半导体 Si、Ge 中的主要掺杂杂质及其作用？ 3、什么叫金属-半导体的整流接触和欧姆接触，形成欧姆接触的主要方法有那些？ 4、为什么金属与重掺杂半导体接触。</p><p>2、）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。（ ）同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。（ ）非简并半导体处于热平衡状态的判据是n0p0=ni2。（ ）PN结空间电荷区宽度随反偏电压的增大而减小。（ ）MOSFET只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。（ ）平衡PN结中费米能级处处相等。（ ）双极性晶体管的放大作用是在工作在饱和区。（ ）要提高双极晶体管的直流电流放大系数、值，就必须提高发射结的注入系数和基区输运系数。（ ）金属与N型半导体接触，如果金属的功函数大于半导体的功函数则形成欧姆接触，反之形成肖特基势垒接触。。</p><p>3、半导体物理与器件物理SemiconductorPhysicsandDevicePhysics,2011.4,主要教材:半导体物理学，刘恩科，朱秉升，罗晋生，电子工业出版社，2008年11月第7版半导体器件物理与工艺，施敏著，赵鹤鸣，钱敏，黄秋萍译，苏州大学出版社，2002年12月第1版主要参考书：半导体物理与器件（第三版），DonaldA.Neamen著，电子工业出版社现代半导体器件。</p><p>4、题库 一 半导体物理基础部分 1 计算分析题 已知 在室温 T 300K 时 硅本征载流子的浓度为 ni 1 51010 cm3 电荷的电量q 1 610 19C n 1350 p 500 半导体硅材料在室温的条件下 测得 n0 4 5104 cm3 ND 51015 cm3 问 该半。</p><p>5、一、选择填空1. 非平衡载流子寿命公 2. 本征载流子浓度公式3. 本征半导体概念:完全不含杂质且无晶格却缺陷的纯净半导体称为本征半导体。4. 半导体功函数概念：功函数是指真空电子能及E。与半导体的费米能级Ef之差。5. 单位晶胞中原子占据的百分比，原子的数目:简立方 52.4% 1个；面心立方 74% 4个；体心立方 68% 2个；金刚石晶格 34% 8个。6。</p><p>6、电导率和电阻率 电流密度： 对于一段长为l，截面面积为s，电阻率为的均匀导体，若施加以电压V，则导体内建立均匀电场E，电场强度大小为： 对于这一均匀导体，有电流密度：,I,将电流密度与该处的电导率以及电场强度联系起来，称为欧姆定律的微分形式,半导体的电阻率和电导率,显然：电导率（电阻率）与载流子浓度（掺杂浓度）和迁移率有关,问题：本征半导体的导电性（常温下）是否一定比掺杂半导体更差？,其中i是本征半导体的电导率，b=n/p,Si-min0.86Si-I; GaAs-min0.4GaAs-I;,右图所示为N型和P型硅单晶材料在室温(300K)条件下电阻率随掺杂。</p><p>7、白光LED与固态照明技术,招 瑜 材料与能源学院 广东工业大学,LED-照亮新生活,1. 简介 照明的历史,火 火把 史前 油灯 赤陶灯 美索不达米亚平原 8000-7000 BC 铜和青铜灯 埃及，波斯 2700 BC 灯芯 橄榄或坚果的纤维 1000 BC 角灯 罗马 100 BC 达芬奇灯 圆柱形玻璃管 1490 AD 气体灯 天然气灯 中国（很久以前） 英国 1664 AD 蜡烛 鲸油蜡烛 捕鲸工业 1700 AD 弧光灯 两极间的电弧 法国，俄罗斯 1800 AD,流明效率,1 简介 照明的历史,3 种传统技术: 火 白炽灯,荧光灯 &高压气体放电,油灯,Shuji Nakamura（中村修二） 1994年在日亚化学(Nicchia) 。</p><p>8、真三国无双6 猛将传 是动作游戏中的经典游戏 也被某些玩家称之为割草游戏 在本作每个武将都有两种真三国无双6武器 第一秘藏限定在修罗或者究极难度下取得 第二秘藏限定于究极下取得 传奇模式限定 秘藏武器入手不限。</p><p>9、第一章 (1)越靠近内壳层的电子，共享化运动越弱，能带越窄 (2)各分裂能级之间的能量差小，视为准连续 (3)一部分频带充满电子(全频带)，一部分充满电子(半频带)，不被电子占据的是空频带 在价格带：0K的条件下电子填充的能量最高的频带 在传导带：0K条件下电子填充的能量最低的带 禁带：传导带的低和价格带的山顶之间的带 带隙：传导带底与价格带顶之间的能量差 *电子具有粒子的二像。</p><p>10、半导体物理与器件物理SemiconductorPhysicsandDevicePhysics,2011.4,主要教材:半导体物理学，刘恩科，朱秉升，罗晋生，电子工业出版社，2008年11月第7版半导体器件物理与工艺，施敏著，赵鹤鸣，钱敏，黄秋萍译，苏州大学出版社，2002年12月第1版主要参考书：半导体物理与器件（第三版），DonaldA.Neamen著，电子工业出版社现代半导体器件。</p><p>11、半导体物理与器件课程总结半导体物理与器件课程总结 吕游 微电子与固体电子学 201212171909 2012 2013 学年第二学期 在尊敬的李常青老师的指导下学习了 半导体物理与 器件 这门课程 我们按照章节划分 有侧重点的进行。</p><p>12、P F Wang Ting Ao Tang Fudan University Advanced semiconductor devices and physics 2012 09 半导体器件物理 半导体器件物理 复旦大学微电子学系 复旦大学微电子学系 王鹏飞 王鹏飞 Email pfw Email pfw 2013 09 2013 09 9 9 0 00 11 00 0 11 00 考试方式考试方。</p><p>13、Dr P F Wang Fudan University Advanced semiconductor devices and physics 2010 11 第一章第一章 引言引言 第二章第二章 半导体器件物理基础半导体器件物理基础 第三章第三章 MOS FETMOS FET基本结构和原理基本结构和原理 第四章第四章 短沟道短沟道MOSMOS器件器件 第五章第五章 存储器件基础 不挥发存储器件基。</p><p>14、半导体物理器件 名词解释名词解释 1 光电效应 在光的照射下 电路中产生电流或电流变 化 分两类 一是光照下能使物体电阻值改变称 内阻效应 或光导效应 二是在光照下能够产生一定的方向的电动势 称 阻挡层光电效应 或光伏效应 2 压阻效应 对半导体施加应力时 出产生变形外 能 带结构也要发生变化 因而 半导体的发生改变 这种由 于应力的作用使电阻率发生改变的现象 3 热电效应 把热能转换成电能的过。</p><p>15、西安邮电大学 微电子学系 商世广半导体器件试题库常用单位：在室温（T = 300K）时，硅本征载流子的浓度为 ni = 1.51010/cm3电荷的电量q= 1.610-19C n=1350 p=500 0=8.85410-12 F/m 一、半导体物理基础部分（一）名词解释题杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电。</p><p>16、第一章 固体晶格结构 1 如图是金刚石结构晶胞 若a 是其晶格常数 则其原子密度是 2 所有晶体都有的一类缺陷是 原子的热振动 另外晶体中常的缺陷有点缺陷 线缺陷 3 半导体的电阻率为10 3 109 cm 4 什么是晶体 晶体主。</p>