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文档简介
第一章(1)越靠近内壳层的电子，共享化运动越弱，能带越窄(2)各分裂能级之间的能量差小，视为准连续(3)一部分频带充满电子(全频带)，一部分充满电子(半频带)，不被电子占据的是空频带在价格带：0K的条件下电子填充的能量最高的频带在传导带：0K条件下电子填充的能量最低的带禁带：传导带的低和价格带的山顶之间的带带隙：传导带底与价格带顶之间的能量差*电子具有粒子的二像性自由粒子的E-k关系是抛物线Ke0P=h因为每个频带的k取n个值，所以对应的能级是准连续的，每个频带的n个能级能够容纳2N个电子*半导体E(k )和k的关系因为导带底部E(k )具有极小值，所以导带底部的电子的有效质量为正值由于价带顶部E(k )具有极大值，因此价带顶部的电子的有效质量为负值能带越窄，有效质量越大(内层电子)，能带越宽，有效质量越小(外层电子)。*半导体中电子的加速度自由电子技术公司直接带隙半导体：导带的低和对应于价带的顶部的电子波矢量相同间接带隙半导体：传导带的低度和与价格带的顶端对应的电子波矢量不同第二章杂质离子化：电子从杂质原子脱离的束缚成为导电电子的过程施主杂质：发射电子，产生导电性电子，形成正点中心施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态ED接近导带施主杂质的电离能：传导带底EC和施主能级ED的能量差DED=EC-ED是施主杂质的电离能。 施主杂质没有离子化的情况下为中性，离子化后成为正的中心受主杂质：可以接受电子以在价带产生空穴，形成负中心的杂质被主能级EA:束缚的空穴的能量状态接近价格带受主杂质的功率：价带顶EV与受主能级EA的能量之差DEA=EV-EA是受主杂质的功率。 受主杂质没有电离时为中性，电离后为负中心施主：向半导体中供给导电性的电子，成为带正电的离子受主：向半导体供应导电空穴，并形成带负电的离子*杂质的补偿作用当施主和受主杂质混合
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