薄膜及其制备的PVD技术.

薄膜及其制备的PVD技术.Tag内容描述：<p>1、绪 论,薄膜是一种二维材料，它在厚度方向上的尺寸很小，往往为纳米至微米量级。从宏观上讲，薄膜是位于两个平面之间的一层物质，其厚度与另外两维的尺寸相比要小得多。从微观角度来讲，薄膜是由原子或原子团凝聚而成的二维材料。按膜厚，对膜的经典分类认为，小于1微米的为薄膜，大于1微米的为厚膜 。,1. 薄膜的定义,在多数情况下，严格区分薄膜和厚膜并无实际意义，而针对具体的膜层形成方法、膜层材料、界面结构、结晶状态、晶体学取向、微观组织、各种性能和功能进行研究更有用。,绪 论,2. 薄膜材料的分类,2.1 金属薄膜材料 结构性金属。</p><p>2、物理制备方法,第十四章.薄膜制备技术,14.1薄膜材料基础,14.1.1薄膜的概念与分类,1.薄膜材料的概念,采用一定方法，使处于某种状态的一种或几种物质（原材料)的基团以物理或化学方式附着于衬底材料表面，在衬底材料表。</p><p>3、,1,功能薄膜及其沉积制备技术,2015-2016学年 第一学期,教材：戴达煌，代明江，侯惠君编著. 功能薄膜及其沉积制备技术M. 北京：冶金工业出版社. 2013.,.,2,第1章,绪论,第2章,第3章,装饰功能薄膜,第4章,机械功能薄膜,第5章,物理机械薄膜,目 录,第6章,特殊功能薄膜,第7章,功能薄膜的沉积制备方法,材料表面微细加工技术,.,3,绪 论,1.1。</p><p>4、薄膜制备 张洋洋 薄膜制备工艺包括 薄膜制备方法的选择 基体材料的选择及表面处理 薄膜制备条件的选择和薄膜结构 性能与工艺参数的关系等 物理气相沉积 PVD 薄膜制备 物理气相沉积 PVD PVD物理气相沉积 PVD 指的是利。</p><p>5、薄膜制备 张洋洋 薄膜制备工艺包括 薄膜制备方法的选择 基体材料的选择及表面处理 薄膜制备条件的选择和薄膜结构 性能与工艺参数的关系等 物理气相沉积 PVD 薄膜制备 物理气相沉积 PVD PVD物理气相沉积 PVD 指的是利。</p><p>6、薄膜制备,张洋洋,1,薄膜制备工艺包括：薄膜制备方法的选择，基体材料的选择及表面处理，薄膜制备条件的选择和薄膜结构、性能与工艺参数的关系等。,2,物理气相沉积（PVD）,薄膜制备,3,物理气相沉积（PVD）,PVD物理气相沉积（PVD)指的是利用某种物理的过程，如物质的热蒸发或在受到粒子束轰击时物理表面原子的溅射现象，实现物质从原物质到薄膜的可控的原子转移过程。,4,物理气相沉积（PV。</p><p>7、1,薄膜制备,.,2,薄膜制备工艺包括：薄膜制备方法的选择，基体材料的选择及表面处理，薄膜制备条件的选择和薄膜结构、性能与工艺参数的关系等。,3,物理气相沉积（PVD）,薄膜制备,.,4,物理气相沉积（PVD）,PVD。</p><p>8、薄膜制备,1,薄膜制备工艺包括：薄膜制备方法的选择，基体材料的选择及表面处理，薄膜制备条件的选择和薄膜结构、性能与工艺参数的关系等。,2,物理气相沉积（PVD）,薄膜制备,3,物理气相沉积（PVD）,PVD物理气相。</p><p>9、薄膜制备的真空技术基础,1,1 薄膜制备的真空技术基础,1.1 气体分子运动论的基本概念 1.2 气体的流动状态和真空抽速 1.3 真空泵简介 1.4 真空的测量,薄膜制备的真空技术基础,2,1.1 气体分子运动论的基本概念,固体,液体,气体,薄膜制备的真空技术基础,3,1.1.1 气体分子的运动速度及其分布 气体分子运动论： 气体分子一直处无规热运动； 平均运动速度取决于温度； 分子之间和分子与器壁之间相互碰撞。 结果：气体分子的速度服从一定统计分布, 气体本身对外显示一定的压力。,薄膜制备的真空技术基础,4,理想气体模型： 气体分子之间除相互碰撞的。</p><p>10、薄膜制备的真空技术基础 1 1薄膜制备的真空技术基础 1 1气体分子运动论的基本概念1 2气体的流动状态和真空抽速1 3真空泵简介1 4真空的测量 薄膜制备的真空技术基础 2 1 1气体分子运动论的基本概念 固体 液体 气体 薄。</p><p>11、TiO2薄膜的制备及其光催化性能表征,1,研究背景,1972年，Fujishima等首次报道TiO2电极表面光催化分解水制备氢气的实验结果1；TiO2作为一种光催化材料因其良好的光化学稳定性、抗磨损性和廉价无毒等特点备受人们的重。</p><p>12、TiO2薄膜的制备及其光催化性能表征 研究背景 1972年 Fujishima等首次报道TiO2电极表面光催化分解水制备氢气的实验结果 1 TiO2作为一种光催化材料因其良好的光化学稳定性 抗磨损性和廉价无毒等特点备受人们的重视 在降解污染物及杀菌方面的研究不断深入 2 3 TiO2不仅能够将有机物污染物降解为CO2和H2O 同时也可氧化分解除去大气中低浓度的氮氧化物NOx和含硫化合物H2S等有害。</p><p>13、薄膜材料与薄膜技术 第三章 薄膜的物理制备方法（1） 蒸 发 薄膜的物理制备技术 直流溅射 射频溅射 磁控溅射 离子束溅射 真空 蒸发 溅射 沉积 离子镀 物理气相沉积 （PVD） 电阻加热 感应加热 电子束加热 激光加热 直流二极型离子镀 射频放电离子镀 等离子体离子镀 1. 真空蒸发原理 2. 蒸发源的蒸发特性及薄厚分布 3. 蒸发源的类型 4. 合金及化合物的蒸发 5. 膜厚和淀积速率的测量与监控 本章主要内容 真空蒸发原理 真空蒸发原理 真空蒸发的特点与蒸发过程 设备比较简单、操作容易； 薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控制； 成膜速度快、。</p><p>14、AB Definitions m: coating metal weight p: metal density; T: plating time; M: metal atomic weight n: valence of metal ions; F: Faraday Constant; I(d): current density; S: coating area; h: coating thickness; C OOH。</p><p>15、薄膜材料与薄膜技术 第二章 薄膜的化学制备方法（1 ） 薄膜制备技术 直流溅射 射频溅射 磁控溅射 离子束溅射 真空 蒸发 溅射 沉积 离子镀 物理气相沉积 （PVD） 化学气相沉积 （CVD） 分子束外延 （MBE） 气相沉积 电 镀 法 溶胶-凝胶法 电阻加热 感应加热 电子束加热 激光加热 直流二极型离子镀 射频放电离子镀 等离子体离子镀 HFCVD PECVD LECVD DC RF MW ECR 热壁 冷壁 化学气相沉积(CVD) 1. 化学气相沉积: 沉积过程中发生化学反应，薄膜与原料的 化合状态不一样。 2. 代表性技术：低压CVD(LPCVD), 常压CVD APCVD, 等 离子体增强CVD (P。</p><p>16、薄膜材料制备原理、技术及应用,薄膜材料是相对于体材料而言的，是在体材料表面沉积或制备的一层性质与体材料性质完全不同的物质。,薄膜材料的性质及典型应用,光学性质 电学性质 磁学性质 化学性质 力学性质 热学性质,反射涂层和减反射涂层 光记录介质 光波导,绝缘薄膜 导电薄膜 半导体器件,磁记录介质,扩散阻挡层 防氧化或防腐蚀层,耐磨涂层 显微机械,防热涂层,课程内容,薄膜材料的制备手段 薄膜材料的形核。</p>